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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Corrente: max	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza @ Se, F	Rapporto di capacità	Condizione del rapporto di capacità	D@Vr, F
1N4580	3.8850	Richiesta di offerta	1166	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale			500 mW	DO-7	scaricamento			REACH Inalterato	150-1N4580	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA a 3 V						6,4 V	25 Ohm
469-03	428.4000	Richiesta di offerta	4623	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	469-03	Standard		8-SOIC	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1						1,35 V a 15,7 A	2 µA a 600 V		10A		Monofase	600 V
1N4757PE3/TR8	0,9150	Richiesta di offerta	6798	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4757		1 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.500						1,2 V a 200 mA	5 µA a 38,8 V						51 V	95 Ohm
1PMT4124CE3/TR7	0,4950	Richiesta di offerta	3064	Tecnologia del microchip	POWERMITE®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT4124		1 W	DO-216	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000						1,1 V a 200 mA	10 nA a 32,65 V						43 V	250 Ohm
680-6E3	246.7800	Richiesta di offerta	2211	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500	Massa	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	4-quadrati, NA		Standard		N / A	-			REACH Inalterato	150-680-6E3	EAR99	8541.10.0080	1						1,2 V a 2 A	2 µA a 600 V		10A		Monofase	600 V
JANTX1N4124C-1/TR	12.6749	Richiesta di offerta	9472	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N4124C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1						1,1 V a 200 mA	10 nA a 32,7 V						43 V	250 Ohm
CD936A	12.4650	Richiesta di offerta	7399	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	Morire				Morire	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CD936A	EAR99	8541.10.0050	1													9 V	30 Ohm
1N4474C	17.7000	Richiesta di offerta	8570	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AL, DO041, assiale			1,5 W	DO-41	scaricamento			REACH Inalterato	150-1N4474C	EAR99	8541.10.0050	1						1,5 V a 1 A	50 nA a 19,2 V						24 V	16 Ohm
GC4721-01	-	Richiesta di offerta	7974	Tecnologia del microchip	-	Vassoio	Attivo		-55°C ~ 150°C		Morire				Chip	-			REACH Inalterato	150-GC4721-01	EAR99	8541.10.0040	1				5 W						0,15 pF a 6 V, 1 MHz	PIN: singolo	120 V			1,5 Ohm a 10 mA, 100 MHz
1N5711E3	6.7950	Richiesta di offerta	5179	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale		Schottky		DO-35	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N5711E3	EAR99	8541.10.0070	1	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità				70 V	1 V a 15 mA	200 nA a 50 V	-65°C ~ 150°C	33 mA	2pF @ 0V, 1MHz
S3610	61.1550	Richiesta di offerta	1403	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo			Montaggio a perno	DO-203AB, DO-5, Prigioniero		Standard		DO-203AB (DO-5)	-			REACH Inalterato	150-S3610	EAR99	8541.10.0080	1	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)				100 V	1,25 V a 200 A	25 µA a 100 V	-65°C ~ 200°C	70A	-
MV21003-M23	-	Richiesta di offerta	9704	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C	-	-				-	-			REACH Inalterato	150-MV21003-M23	EAR99	8541.10.0060	1										0,5 pF a 4 V, 1 MHz	Separare	30 V				3.4	C0/C30	7000 a 4 V, 50 MHz
JANTXV1N2992RB	-	Richiesta di offerta	5129	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/124	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio a perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,5 V a 2 A	10 µA a 29,7 V						39 V	11 Ohm
1N5370E3/TR13	0,9900	Richiesta di offerta	5753	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-65°C ~ 150°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5370		5 W	T-18	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.250						1,2 V a 1 A	500 nA a 40,3 V						56 V	35 Ohm
JAN1N4491CUS	26.7600	Richiesta di offerta	7724	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/406	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	SQ-MELF, A	1N4491		1,5 W	D-5A	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1 V a 200 mA	250 nA a 96 V						120 V	400 ohm
MSASC100H30HS/TR	-	Richiesta di offerta	8503	Tecnologia del microchip	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo									-			REACH Inalterato	150-MSASC100H30HS/TR			100
JANTXV1N4627UR-1	20.1900	Richiesta di offerta	2118	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AA	1N4627		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,1 V a 200 mA	5 µA a 5 V						6,2 V	1200 Ohm
JAN1N6313DUS/TR	49.0650	Richiesta di offerta	5187	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/533	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			500 mW	B, SQ-MELF	-				150-JAN1N6313DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100						1,4 V a 1 A	3 µA a 1 V						3,6 V	25 Ohm
GC15008-150A/TR	-	Richiesta di offerta	3359	Tecnologia del microchip	-	Vassoio	Attivo		-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	Morire				Chip	-			REACH Inalterato	150-GC15008-150A/TR	EAR99	8541.10.0040	1										0,4 pF a 20 V, 1 MHz	Separare	22 V				13	C0/C20	900 a 4 V, 50 MHz
JANTXV1N6309D	45.0600	Richiesta di offerta	3595	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N6309		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,4 V a 1 A	100 µA a 1 V						2,4 V	30 Ohm
1N5271B	2.7531	Richiesta di offerta	4088	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N5271B	EAR99	8541.10.0050	1						1,5 V a 200 mA	100 nA a 76 V						100 V	500 ohm
JANTXV1N2818B	-	Richiesta di offerta	2680	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/114	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-204 d.C	1N2818		10 W	TO-204AD (TO-3)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1						1,5 V a 2 A	10 µA a 15,2 V						20 V	2,4 Ohm
1N4438FT	204.6750	Richiesta di offerta	2314	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 160°C	Montaggio su telaio	Premere adatto		Standard		Premere adatto	scaricamento			REACH Inalterato	150-1N4438FT	EAR99	8541.10.0080	1						1,2 V a 10 A	10 µA a 600 V		10A		Monofase	600 V
JANTXV1N4976US/TR	16.1250	Richiesta di offerta	3524	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/356	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			5 W	E-MELF	-				150-JANTXV1N4976US/TR	EAR99	8541.10.0050	100						1,5 V a 1 A	2 µA a 42,6 V						56 V	35 Ohm
JANTXV1N825UR-1/TR	9.7950	Richiesta di offerta	7586	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/159	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-	Montaggio superficiale	DO-213AA			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N825UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA a 3 V						6,2 V	15 Ohm
MV31016-P00	-	Richiesta di offerta	4378	Tecnologia del microchip	-	Vassoio	Attivo		-55°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	Morire				Chip	-			REACH Inalterato	150-MV31016-P00	EAR99	8541.10.0040	1										1,8 pF a 4 V, 1 MHz	Separare	22 V				9.6	C2/C20	3000 a 4 V, 50 MHz
MV2N4092UB/TR	92.4882	Richiesta di offerta	7511	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo									-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-MV2N4092UB/TR			1		CanaleN
LXP1004-23-2	4.9000	Richiesta di offerta	165	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 125°C		TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	LXP1004			SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0060	1			10 mA	250 mW						0,75 pF a 20 V, 1 MHz	PIN: connessione in serie a 1 paio	20 V			600 mOhm a 10 mA, 100 MHz
SMBG5344C/TR13	2.8650	Richiesta di offerta	7614	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-215AA, Ala di gabbiano per PMI	SMBG5344		5 W	SMBG (DO-215AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000						1,2 V a 1 A	10 µA a 5,9 V						8,2 V	1,5 Ohm
CDLL5526BE3	5.9052	Richiesta di offerta	6590	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	DO-213AA			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL5526BE3	EAR99	8541.10.0050	1						1,1 V a 200 mA	1 µA a 6,2 V						6,8 V	30 Ohm