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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Corrente: max	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max)	Corrente del regolatore (massima)	Tensione - Limitazione (max)
JANTXV1N750AUR-1	7.4850	Richiesta di offerta	6169	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/127	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N750		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		5 µA a 1,5 V									4,7 V	19 Ohm
2C2907A	2.0083	Richiesta di offerta	7172	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo										-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-2C2907A			1
JANS1N5296-1/TR	100.0200	Richiesta di offerta	5147	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/463	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	-	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale			500 mW	DO-7	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANS1N5296-1/TR	EAR99	8541.10.0070	1																						100 V	1.001mA	1,29 V
1N6700US/TR	31.0800	Richiesta di offerta	5144	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SQ-MELF, C		Schottky		D-5C	-							100	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		20 V	470 mV a 5 A		200 µA a 20 V	-65°C ~ 125°C	5A	-
2N3867U4	75.6750	Richiesta di offerta	3832	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)		Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			1 W	U4	-			REACH Inalterato	150-2N3867U4	EAR99	8541.29.0095	1										40 V	3A			100μA (ICBO)				PNP	1,5 V a 250 mA, 2,5 A	40 a 1,5 A, 2 V	-
JANSR2N2906AUA/TR	153.2300	Richiesta di offerta	5834	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C		Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo	2N2906		500 mW	UA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANSR2N2906AUA/TR	EAR99	8541.21.0095	1										60 V	600 mA			50nA				PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
CDS4150UR-1	-	Richiesta di offerta	3898	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo										-			REACH Inalterato	150-CDS4150UR-1			50
JANS1N6642UBCC	75.9150	Richiesta di offerta	7591	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo		Standard		UB	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)			1,2 V a 100 mA	5 ns		-	-	-
JAN1N5295-1	31.5150	Richiesta di offerta	5777	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/463	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	-	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale	1N5295		500 mW	DO-7	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	1																						100 V	902 µA	1,25 V
JANTX1N4108DUR-1/TR	34.9790	Richiesta di offerta	7856	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N4108DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		50 nA a 10,7 V									14 V	200 ohm
JAN1N3043DUR-1/TR	26.8793	Richiesta di offerta	2697	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/115	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-55°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)			1 W	DO-213AB (MELF, LL41)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JAN1N3043DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1,2 V a 200 mA		10 µA a 69,2 V									91 V	250 Ohm
1N5284	18.4950	Richiesta di offerta	9578	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	-	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale	1N5284		500 mW	DO-7	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N5284	EAR99	8541.10.0070	1																						100 V	264μA	1 V
JANTX1N4124DUR-1	30.4050	Richiesta di offerta	5586	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N4124		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		10 nA a 32,7 V									43 V	250 Ohm
1PMT5943AE3/TR13	0,7350	Richiesta di offerta	6010	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-55°C ~ 150°C		Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5943		3 W	DO-216AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	12.000				1,2 V a 200 mA		1 µA a 42,6 V									56 V	86 Ohm
1N5368A/TR12	-	Richiesta di offerta	8821	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C		Foro passante	T-18, assiale	1N5368		5 W	T-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000				1,2 V a 1 A		500 nA a 33,8 V									47 V	25 Ohm
1N5188/TR	8.2800	Richiesta di offerta	5564	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Foro passante	B, assiale		Standard		B, assiale	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N5188/TR	EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		400 V	1,5 V a 9 A	250 n	2 µA a 400 V	-65°C ~ 175°C	3A	-
JAN1N4132UR-1	4.1100	Richiesta di offerta	8618	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N4132			DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		10 nA a 62,4 V									82 V	800 Ohm
SD4145	63.5250	Richiesta di offerta	3848	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo				Montaggio a perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero	SD4145	Schottky		DO-4 (DO-203AA)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	SD4145MS	EAR99	8541.10.0080	1	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)		45 V	680 mV a 30 A		1,5 mA a 45 V	-55°C ~ 175°C	30A	-
1N712A/TR	1.8620	Richiesta di offerta	6601	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			250 mW	DO-35	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N712A/TR	EAR99	8541.10.0050	1															8,2 V	6 Ohm
1PMT4135CE3/TR13	0,4950	Richiesta di offerta	6528	Tecnologia del microchip	POWERMITE®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-55°C ~ 150°C		Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT4135		1 W	DO-216	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	12.000				1,1 V a 200 mA		10 nA a 76 V									100 V	250 Ohm
JANKCA1N750D	-	Richiesta di offerta	8179	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-			REACH Inalterato	150-JANKCA1N750D	EAR99	8541.10.0050	100				1,1 V a 200 mA		2 µA a 1 V									4,7 V	19 Ohm
MS8351-P2819	-	Richiesta di offerta	3213	Tecnologia del microchip	-	Vassoio	Attivo		-55°C ~ 125°C			Morire				Chip	-			REACH Inalterato	150-MS8351-P2819	EAR99	8541.10.0040	1		15 mA							60 pF a 0 V, 1 MHz			Schottky - Collegamento in serie a 1 paio	3V				9 Ohm a 10 mA, 100 MHz
1N4113UR-1	3.9750	Richiesta di offerta	5994	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	DO-213AA	1N4113		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		50 nA a 14,5 V									19 V	150 ohm
MSCDC50X1201AG	139.6500	Richiesta di offerta	1966	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio su telaio	Modulo	MSCDC50	Schottky al carburo di silicio		-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCDC50X1201AG	EAR99	8541.10.0080	1				1,8 V a 50 A		200 µA a 1200 V		50A				Tre fasi	1,2 kV
1N750A-1	2.1800	Richiesta di offerta	311	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N750		500 mW	DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		5 µA a 1,5 V									4,7 V	15 Ohm
APTDF200H120G	138.5800	Richiesta di offerta	8562	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio su telaio	SP6	APTDF200	Standard		SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1				3 V a 200 A		150 µA a 1200 V		235A				Monofase	1,2 kV
JANTXV1N4121C-1/TR	20.6815	Richiesta di offerta	7252	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N4121C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		10 nA a 25,1 V									33 V	200 ohm
JAN1N6335US	13.4700	Richiesta di offerta	2738	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	SQ-MELF, B	1N6335		500 mW	B, SQ-MELF	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1				1,4 V a 1 A		50 nA a 23 V									30 V	32 Ohm
JANTX1N4129DUR-1/TR	27.0921	Richiesta di offerta	5213	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N4129DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1,1 V a 200 mA		10 nA a 47,1 V									62 V	500 ohm
1N5940APE3/TR8	0,9150	Richiesta di offerta	4191	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±10%	-65°C ~ 150°C		Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5940		1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.500				1,2 V a 200 mA		1 µA a 32,7 V									43 V	53 Ohm