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Prodotti a semiconduttore discreti(41164)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Corrente: max	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza @ Se, F	Tensione - Anodo - Catodo (Vak)(Max)	Corrente del regolatore (massima)	Tensione - Limitazione (max)
JANTXV1N5296-1/TR	36.5700	Richiesta di offerta	2604	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/463	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	-	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale	1N5296		500 mW	DO-7	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N5296-1/TR	EAR99	8541.10.0070	1																							100 V	1.001mA	1,29 V
1N4765A	61.6350	Richiesta di offerta	6489	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-55°C~100°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4765		500 mW	DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1																				9,1 V	350 Ohm
GC4410-00	-	Richiesta di offerta	3383	Tecnologia del microchip	-	Vassoio	Attivo		-55°C ~ 150°C			Morire				Chip	-			REACH Inalterato	150-GC4410-00	EAR99	8541.10.0040	1			50 mA														0,1 pF a 50 V, 1 MHz	PIN: singolo	100 V			600 mOhm a 100 mA, 100 MHz
JANTXV1N5535DUR-1/TR	55.0221	Richiesta di offerta	7786	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N5535DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		10 nA a 13,5 V						15 V	100 ohm
1N4687	6.1650	Richiesta di offerta	1926	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N4687		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		4 µA a 2 V						4,3 V
JAN1N5523DUR-1	46.2900	Richiesta di offerta	6724	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)	1N5523		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		2 µA a 2 V						5,1 V	26 Ohm
MSCSM120HM31T3AG	221.7900	Richiesta di offerta	7986	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120	Carburo di silicio (SiC)	395 W(Tc)	-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM120HM31T3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (ponte intero)			1200 V (1,2 kV)	89A(Tc)	31 mOhm a 40 A, 20 V	2,8 V a 3 mA	232nC a 20 V	3020 pF a 1000 V	-
JANTXV1N5534B-1/TR	8.2327	Richiesta di offerta	3325	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			500 mW	DO-35 (DO-204AH)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N5534B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		10 nA a 12,6 V						14 V	100 ohm
JAN1N6324DUS	38.2200	Richiesta di offerta	3468	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	SQ-MELF, B			500 mW	B, SQ-MELF	-			REACH Inalterato	150-JAN1N6324DUS	EAR99	8541.10.0050	1												1,4 V a 1 A		1 µA a 8 V						10 V	6 Ohm
1N4974	6.9150	Richiesta di offerta	3360	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	E, assiale	1N4974		5 W		scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 1 A		2 µA a 35,8 V						47 V	25 Ohm
1N3155UR-1	15.4800	Richiesta di offerta	1269	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±4,7%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AA	1N3155		500 mW	DO-213AA	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1														10 µA a 5,5 V						8,4 V	15 Ohm
JANTX1N5545BUR-1/TR	13.2202	Richiesta di offerta	5604	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/437	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N5545BUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		10 nA a 27 V						30 V	100 ohm
1N4734AE3	2.9526	Richiesta di offerta	5867	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C		Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale			1 W	DO-41	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N4734AE3	EAR99	8541.10.0050	1												1,2 V a 200 mA		10 µA a 2 V						5,6 V	5 Ohm
JANTXV1N5802URS	26.9850	Richiesta di offerta	2304	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/477	Massa	Attivo				Montaggio superficiale	SQ-MELF, A	1N5802	Standard		A-MELF	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)									50 V	875 mV a 1 A	25 ns	1 µA a 50 V	-65°C ~ 175°C	1A	25 pF a 10 V, 1 MHz
1N3666	41.6850	Richiesta di offerta	8520	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo				Foro passante	Assiale		Standard		Assiale	-			REACH Inalterato	150-1N3666	EAR99	8541.10.0070	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)									80 V	1 V a 200 mA	300 n	25 µA a 50 V	-65°C ~ 85°C	500mA	-
JANTX1N6941UTK3CS/TR	438.9902	Richiesta di offerta	6498	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/726	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	ThinKey™3		Schottky		ThinKey™3	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N6941UTK3CS/TR	EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)									30 V	500 mV a 50 A		5 mA a 30 V	-65°C ~ 175°C	150A	7500pF a 5 V, 1 MHz
1N5286-1	18.6000	Richiesta di offerta	3681	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	-	Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale	1N5286		500 mW	DO-7	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	1																							100 V	330μA	1 V
JANS1N4473US	82.3500	Richiesta di offerta	6649	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/406	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	SQ-MELF, A			1,5 W	A, SQ-MELF	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,5 V a 1 A		50 nA a 17,6 V						22 V	14 Ohm
CDLL5955B	7.8450	Richiesta di offerta	2489	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF	CDLL5955		1,25 W	DO-213AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,2 V a 200 mA		1 µA a 136,8 V						180 V	900 Ohm
JANTX1N938B-1	-	Richiesta di offerta	2022	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/156	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N938		500 mW	DO-35	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1														10 µA a 6 V						9 V	20 Ohm
1N4623-1/TR	2.4871	Richiesta di offerta	1271	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Foro passante	DO-204AA, DO-7, assiale			500 mW	DO-7	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-1N4623-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		2 µA a 2 V						4,3 V	1600 Ohm
JANTX1N645-1/TR	-	Richiesta di offerta	1132	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/240	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale		Standard		DO-35	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX1N645-1/TR	EAR99	8541.10.0070	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)									225 V	1 V a 400 mA		50 nA a 225 V	-65°C ~ 175°C	400mA	-
CDLL5525B/TR	4.1097	Richiesta di offerta	1036	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF			500 mW	DO-213AB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-CDLL5525B/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		1 µA a 5 V						6,2 V	30 Ohm
1N5921PE3/TR8	0,9150	Richiesta di offerta	7112	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±20%	-65°C ~ 150°C		Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N5921		1,5 W	DO-204AL (DO-41)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.500												1,2 V a 200 mA		5 µA a 5,2 V						6,8 V	2,5 Ohm
JANTXV1N4104DUR-1/TR	36.8809	Richiesta di offerta	2951	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/435	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±1%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	DO-213AA (vetro)			500 mW	DO-213AA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV1N4104DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1												1,1 V a 200 mA		500 nA a 7,6 V						10 V	200 ohm
SMBJ5363BE3/TR13	0,8250	Richiesta di offerta	5508	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C		Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SMBJ5363		5 W	SMBJ (DO-214AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000												1,2 V a 1 A		500 nA a 21,6 V						30 V	8 Ohm
JANTX1N6312C	31.8300	Richiesta di offerta	9863	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/533	Massa	Attivo	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N6312		500 mW	DO-35 (DO-204AH)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1												1,4 V a 1 A		5 µA a 1 V						3,3 V	27 Ohm
MSCSM120HM31CT3AG	270.3700	Richiesta di offerta	7670	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120	Carburo di silicio (SiC)	395 W(Tc)	SP3F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM120HM31CT3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N			1200 V (1,2 kV)	89A(Tc)	31 mOhm a 40 A, 20 V	2,8 V a 1 mA	232nC a 20 V	3020 pF a 1000 V	-
1N4101UR/TR	3.9400	Richiesta di offerta	2481	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 175°C		Montaggio superficiale	DO-213AA			500 mW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	249												1,1 V a 200 mA		500 nA a 6,24 V						8,2 V	200 ohm
1N5187	8.1000	Richiesta di offerta	1526	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo				Foro passante	B, assiale	1N5187	Standard		B, assiale	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)									200 V	1,5 V a 9 A	200 n	2 µA a 200 V	-65°C ~ 175°C	3A	-