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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX84C24W-7 | - | ![]() | 5204 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±6% | -65°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | BZX84 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 16,8 V | 24 V | 70 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTN5551FLTA | 0,4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZXTN5551 | 330 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 V | 600 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 200 mV a 5 mA, 50 mA | 80 a 10 mA, 5 V | 130 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD3Z284C3V6-7 | 0,1465 | ![]() | 5059 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | PowerDI™323 | PD3Z284 | 500 mW | PowerDI™323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V a 100 mA | 5 µA a 1 V | 3,6 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN6040SSSQ-13 | 0,1688 | ![]() | 9118 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 31-DMN6040SSSQ-13TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 60 V | 5,5A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 40 mOhm a 4,5 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 22,4 nC a 10 V | ±20 V | 1287 pF a 25 V | - | 1,5 W(Ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTP25012EZTA | 0,5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | ZXTP25012 | 2,4 W | SOT-89-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 12 V | 4,5 A | 50nA (ICBO) | PNP | 285 mV a 450 mA, 4,5 A | 500 a 10 mA, 2 V | 310 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR60A60CT-2223 | - | ![]() | 5441 | 0.00000000 | Diodi incorporati | SBR® | Massa | Acquisto per l'ultima volta | Foro passante | TO-220-3 | Superbarriera | TO-220-3 | - | 31-SBR60A60CT-2223 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 60 V | 30A | 650 mV a 30 A | 200 µA a 60 V | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP2035UTS-13 | 0,6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | DMP2035 | MOSFET (ossido di metallo) | 890 mW | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Scarico comune a 2 canali P (doppio). | 20 V | 6.04A | 35 mOhm a 4 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 15,4 nC a 4,5 V | 1610 pF a 10 V | Porta a livello logico | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B160B-13-F-2477 | - | ![]() | 8717 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | Schottky | PMI | - | 31-B160B-13-F-2477 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 60 V | 700 mV a 1 A | 500 µA a 60 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 110 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B190-13-F | 0,5500 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | B190 | Schottky | SMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 90 V | 790 mV a 1 A | 500 µA a 90 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 80 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDA114YU-7 | 0,4200 | ![]() | 637 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro tagliato (CT) | Attivo | DDA114 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1034-DDA114YU-7DKR | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMDT2907VQ-7 | 0,4600 | ![]() | 6072 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-563, SOT-666 | MMDT2907 | 150 mW | SOT-563 | scaricamento | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 600mA | 50nA | 2 PNP (doppio) | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 a 150 mA, 10 V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMG7401SFG-13 | 0,5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | DMG7401 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerDI3333-8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 9,8 A (Ta) | 4,5 V, 20 V | 11 mOhm a 12 A, 20 V | 3 V a 250 µA | 58 nC a 10 V | ±25 V | 2987 pF a 15 V | - | 940 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXT10N15DE6TC | - | ![]() | 3620 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | ZXT10N15D | 1,1 W | SOT-23-6 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 10.000 | 15 V | 4A | 100 nA | NPN | 260 mV a 50 mA, 4 A | 200 a 3 A, 2 V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B3L30LP-7-2477 | - | ![]() | 9537 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | 8-PowerUDFN | Schottky | U-DFN3030-8 | - | 31-B3L30LP-7-2477 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 450 mV a 3 A | 1 mA a 30 V | -65°C ~ 150°C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ABS10A-13 | 0,4000 | ![]() | 101 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | ABS10 | Standard | 4-SOPA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,1 V a 1 A | 5 µA a 1000 V | 1A | Monofase | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5245B-7 | - | ![]() | 5975 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | MMSZ5245B | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 11 V | 15 V | 16 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C15-7 | - | ![]() | 5339 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±6% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | BZT52 | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 10,5 V | 15 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT8012LFG-7 | 0,9100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | DMT8012 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerDI3333-8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | CanaleN | 80 V | 9,5 A (Ta), 35 A (Tc) | 6 V, 10 V | 16 mOhm a 12 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 34 nC a 10 V | ±20 V | 1949 pF a 40 V | - | 2,2 W (Ta), 30 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C9V1-7 | 0,4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro tagliato (CT) | Attivo | AZ23C9V1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1034-AZ23C9V1-7DKR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B1100-13-F | 0,3500 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | B1100 | Schottky | SMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 790 mV a 1 A | 500 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 80 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC4050SSDQ-13 | 0,8300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DMC4050 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,8 W | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canali N e P complementari | 40 V | 5.3A | 45 mOhm a 3 A, 10 V | 1,8 V a 250 µA | 37,56 nC a 10 V | 1790,8 pF a 20 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2A02-T | - | ![]() | 2568 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | 2A02 | Standard | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,1 V a 2 A | 5 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 2A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LBS10-13 | 0,1302 | ![]() | 7165 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-SMD, conduttori piatti | LBS10 | Standard | T-DFN5564-4 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,1 V a 1 A | 5 µA a 1000 V | 1A | Monofase | 1 kV | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZM4730A-13 | - | ![]() | 2315 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 200°C | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | ZM4730 | 1 W | MELF | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 50 µA a 1 V | 3,9 V | 9 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP31D7LFBQ-7B | 0,0398 | ![]() | 8563 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-UFDFN | DMP31 | MOSFET (ossido di metallo) | X1-DFN1006-3 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMP31D7LFBQ-7BTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canale P | 30 V | 810mA(Ta) | 4,5 V, 10 V | 900 mOhm a 420 mA, 10 V | 2,6 V a 250 µA | 0,36 nC a 4,5 V | ±20 V | 19 pF a 15 V | - | 530 mW(Ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DZ23C8V2-7 | - | ![]() | 4838 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOT-23-3 Derivazioni piatte | DZ23C8V2 | 300 mW | SOT-23F | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 paio di catodo comune | 8,2 V | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-5-7-F | - | ![]() | 4695 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SOT-23-3 | - | 31-BAS40-5-7-F | 1 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 1 paio di catodo comune | 40 V | 200mA | 1 V a 40 mA | 5 ns | 200 nA a 30 V | -55°C ~ 125°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT10A100P5-7D | 0,2506 | ![]() | 9866 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | PowerDI™5 | SDT10 | Schottky | PowerDI™5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 680 mV a 10 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30A100CTE | 0,8900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | SBR30 | Superbarriera | TO-262 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 1034-SBR30A100CTE | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 15A | 800 mV a 15 A | 100 µA a 100 V | -65°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMNH4026SSD-13 | 0,8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DMNH4026 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canali N (doppio) | 7,5A(Ta) | 24 mOhm a 6 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 8,8 nC a 4,5 V | 1060 pF a 20 V | - |

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