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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1)
SD103BW-13 Diodes Incorporated SD103BW-13 -
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 ECAD 9502 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale SOD-123 SD103B Schottky SOD-123 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 600 mV a 200 mA 10 ns 5 µA a 20 V -65°C ~ 125°C 350mA 28 pF a 0 V, 1 MHz
BZX84B9V1Q-7-F Diodes Incorporated BZX84B9V1Q-7-F 0,0382
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 ECAD 3391 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 mW SOT-23-3 scaricamento REACH Inalterato 31-BZX84B9V1Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 500 nA a 6 V 9,1 V 15 Ohm
BZT585B3V6T-7 Diodes Incorporated BZT585B3V6T-7 0,2300
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 ECAD 62 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BZT585 350 mW SOD-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,1 V a 100 mA 5 µA a 1 V 3,6 V 90 Ohm
BSN20-7 Diodes Incorporated BSN20-7 0,3300
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 ECAD 148 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSN20 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 50 V 500mA (Ta) 4,5 V, 10 V 1,8 Ohm a 220 mA, 10 V 1,5 V a 250 µA 0,8 nC a 10 V ±20 V 40 pF a 10 V - 600mW(Ta)
DDTB142TU-7-F Diodes Incorporated DDTB142TU-7-F -
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 ECAD 5483 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DDTB142 200 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 100 a 5 mA, 5 V 200 MHz 470 Ohm
ZXTD2M832TA Diodes Incorporated ZXTD2M832TA -
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 ECAD 4949 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Tampone esposto 8-VDFN ZXTD2M832 1,7 W 8-MLP (3x2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 20 V 3,5 A 25nA 2 PNP (doppio) 300 mV a 350 mA, 3,5 A 150 a 2A, 2V 180 MHz
FMMT493ATC Diodes Incorporated FMMT493ATC -
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 ECAD 3338 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT493A 500 mW SOT-23-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 10.000 60 V 1A 100 nA NPN 500 mV a 100 mA, 1 A 300 a 250 mA, 10 V 150 MHz
ZXMP3F36N8TA Diodes Incorporated ZXMP3F36N8TA -
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 ECAD 5464 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) MOSFET (ossido di metallo) 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato ZXMP3F36N8TADI EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 30 V 7,2A(Ta) 4,5 V, 10 V 20 mOhm a 10 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 43,9 nC a 15 V ±20 V 2265 pF a 15 V - 1,56 W(Ta)
ZVN4106FTC Diodes Incorporated ZVN4106FTC -
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 ECAD 6237 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 CanaleN 60 V 200mA (Ta) 5 V, 10 V 2,5 Ohm a 500 mA, 10 V 3 V a 1 mA ±20 V 35 pF a 25 V - 350 mW(Ta)
DMTH8030LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH8030LPDWQ-13 0,3826
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 ECAD 1721 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMTH8030 MOSFET (ossido di metallo) 3,1 W (Ta), 41 W (Tc) PowerDI5060-8 (tipo UXD) scaricamento REACH Inalterato 31-DMTH8030LPDWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 80 V 28,5 A(Tc) 26 mOhm a 10 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 10,4 nC a 10 V 631 pF a 40 V -
BSS126SK-13 Diodes Incorporated BSS126SK-13 -
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 ECAD 1591 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS126 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento EAR99 8541.29.0095 10.000 CanaleN 600 V 30mA (Ta) 0 V, 10 V 500 Ohm a 16 mA, 10 V 1,4 V a 8 µA 2 nC a 5 V ±20 V 30,9 pF a 25 V - 1 W (Ta)
SBR10U200P5Q-13 Diodes Incorporated SBR10U200P5Q-13 0,8600
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 ECAD 2989 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale PowerDI™5 SBR10 Superbarriera PowerDI™5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 880 mV a 10 A 100 µA a 200 V -65°C ~ 175°C 10A -
DMNH6042SSD-13 Diodes Incorporated DMNH6042SSD-13 0,3830
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 ECAD 7164 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DMNH6042 MOSFET (ossido di metallo) 2,1 W 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 60 V 16,7 A(Tc) 50 mOhm a 5,1 A, 10 V 3 V a 250 µA 4,2 nC a 4,5 V 584 pF a 25 V -
SBR20A45CT Diodes Incorporated SBR20A45CT 0,8260
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 ECAD 8289 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 SBR20 Superbarriera TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato SBR20A45CTDI EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 10A 500 mV a 10 A 500 µA a 45 V -65°C ~ 150°C
DMT10H052LFDF-13 Diodes Incorporated DMT10H052LFDF-13 0,1469
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 ECAD 4117 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMT10 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo F) scaricamento REACH Inalterato 31-DMT10H052LFDF-13TR EAR99 8541.29.0095 10.000 CanaleN 100 V 5A (Ta) 4,5 V, 10 V 52 mOhm a 4 A, 10 V 3 V a 250 µA 5,4 nC a 10 V ±20 V 258 pF a 50 V - 800 mW (Ta)
MBR20100CS2TR-E1 Diodes Incorporated MBR20100CS2TR-E1 -
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 ECAD 4372 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB Schottky TO-263-2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 10A 850 mV a 10 A 100 µA a 100 V -65°C ~ 150°C
DZ23C15Q-7-F Diodes Incorporated DZ23C15Q-7-F 0,0738
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 ECAD 8535 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,12% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300 mW SOT-23-3 scaricamento REACH Inalterato 31-DZ23C15Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 paio di catodo comune 14,7 V 30 Ohm
DMTH8004LPS-13 Diodes Incorporated DMTH8004LPS-13 0,8379
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 ECAD 1933 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN MOSFET (ossido di metallo) PowerDI5060-8 scaricamento REACH Inalterato 31-DMTH8004LPS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 80 V 100A (Tc) 4,5 V, 10 V 3,8 mOhm a 20 A, 10 V 2,8 V a 250 µA 81 nC a 10 V ±20 V 4979 pF a 40 V - 1,5 W (Ta), 125 W (Tc)
BZT52C27-13-F Diodes Incorporated BZT52C27-13-F -
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 ECAD 4331 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±7% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SOD-123 BZT52 500 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 18,9 V 27 V 80 Ohm
BZX84C18-7-F-31 Diodes Incorporated BZX84C18-7-F-31 -
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 ECAD 6659 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±6,39% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 mW SOT-23-3 - 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-BZX84C18-7-F-31TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 12,6 V 18 V 45 Ohm
DMMT3906-7-F Diodes Incorporated DMMT3906-7-F 0,4000
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 ECAD 56 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 DMMT3906 225 mW SOT-26 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 200mA - 2 coppie abbinate PNP (doppie). 400 mV a 5 mA, 50 mA 100 a 10 mA, 1 V 250 MHz
DMC2450UV-13 Diodes Incorporated DMC2450UV-13 0,0863
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 ECAD 2777 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 DMC2450 MOSFET (ossido di metallo) 450 mW SOT-563 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato DMC2450UV-13DI EAR99 8541.21.0095 10.000 Canali N e P 20 V 1,03 A, 700 mA 480 mOhm a 200 mA, 5 V 900 mV a 250 µA 0,5 nC a 4,5 V 37,1 pF a 10 V -
MMBZ5230B-7 Diodes Incorporated MMBZ5230B-7 -
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 ECAD 2608 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5230B 350 mW SOT-23-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 5 µA a 2 V 4,7 V 19 Ohm
SBG1025L-T Diodes Incorporated SBG1025L-T -
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 ECAD 6247 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SBG1025 Schottky TO-263AB (D²PAK) scaricamento 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 25 V 450 mV a 10 A 1 mA a 25 V -65°C ~ 125°C 10A -
MMBZ5252BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5252BTS-7-F -
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 ECAD 5209 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 3 Indipendente 900 mV a 10 mA 100 nA a 18 V 24 V 33 Ohm
BAS116T-7 Diodes Incorporated BAS116T-7 -
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 ECAD 1504 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale SOT-523 BAS116 Standard SOT-523 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 85 V 1,25 V a 150 mA 3 µs 5 nA a 75 V -65°C ~ 150°C 215 mA 2pF @ 0V, 1MHz
DMNH6069SFVW-7 Diodes Incorporated DMNH6069SFVW-7 0,2277
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 ECAD 6395 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale, fianco bagnabile 8-PowerVDFN DMNH6069 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX scaricamento REACH Inalterato 31-DMNH6069SFVW-7TR EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 60 V 5A (Ta), 18A (Tc) 4,5 V, 10 V 50 mOhm a 3 A, 10 V 3 V a 250 µA 14 nC a 10 V ±20 V 740 pF a 30 V - 3 W (Ta)
DMTH12H007SK3-13 Diodes Incorporated DMTH12H007SK3-13 0,7541
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 ECAD 7659 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 DMTH12 MOSFET (ossido di metallo) TO-252, (D-Pak) scaricamento 31-DMTH12H007SK3-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 120 V 86A(Tc) 10 V 8,9 mOhm a 30 A, 10 V 4 V a 250 µA 44 nC a 10 V ±20 V 3142 pF a 60 V - 2 W (Ta)
SBR1045SP5Q-13D Diodes Incorporated SBR1045SP5Q-13D 0,3658
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 ECAD 9721 0.00000000 Diodi incorporati Automotive, AEC-Q101, SBR® Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale PowerDI™5 SBR1045 Superbarriera PowerDI™5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 45 V 550 mV a 10 A 450 µA a 45 V -65°C ~ 150°C 10A 500 pF a 4 V, 1 MHz
DDZX22DQ-7 Diodes Incorporated DDZX22DQ-7 -
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 ECAD 5786 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2,52% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX22 300 mW SOT-23-3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-DDZX22DQ-7TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 50 nA a 17 V 22 V 30 Ohm
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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