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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
ZTX949 Diodes Incorporated ZTX949 1.1700
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ECAD 8334 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Attivo -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante E-Line-3 ZTX949 1,58 W E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato ZTX949-NDR EAR99 8541.29.0075 4.000 30 V 4,5 A 50nA (ICBO) PNP 320 mV a 300 mA, 5 A 100 a 1 A, 1 V 100 MHz
DDTC144WE-7 Diodes Incorporated DDTC144WE-7 0,3500
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ECAD 5 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Attivo DDTC144 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000
SBL2040CT Diodes Incorporated SBL2040CT -
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ECAD 9181 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 SBL2040 Schottky TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 40 V 20A 550 mV a 10 A 1 mA a 40 V -65°C ~ 150°C
DMT6016LPSW-13 Diodes Incorporated DMT6016LPSW-13 0,2261
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ECAD 3498 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale, fianco bagnabile 8-PowerTDFN DMT6016 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI5060-8 (tipo UX) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato DMT6016LPSW-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 11,2 A (Ta), 43 A (Tc) 4,5 V, 10 V 16,5 mOhm a 20 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 17 nC a 10 V ±20 V 864 pF a 30 V - 2,84 W (Ta), 41,67 W (Tc)
SBR3U60P1-7-50 Diodes Incorporated SBR3U60P1-7-50 0,0927
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ECAD 2447 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Montaggio superficiale POWERDI®123 Superbarriera PowerDI™123 scaricamento 31-SBR3U60P1-7-50 EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 60 V 650 mV a 3 A 100 µA a 60 V -65°C ~ 150°C 3A -
PDS540-13-52 Diodes Incorporated PDS540-13-52 0,2059
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ECAD 3835 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Attivo Montaggio superficiale PowerDI™5 PDS540 Schottky PowerDI™5 scaricamento 31-PDS540-13-52 EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 520 mV a 5 A 250 µA a 40 V -65°C ~ 150°C 5A -
MMSZ5246BS-7 Diodes Incorporated MMSZ5246BS-7 -
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ECAD 5482 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 MMSZ5246B 200 mW SOD-323 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 12 V 16 V 17 Ohm
ADA123JUQ-13 Diodes Incorporated ADA123JUQ-13 -
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ECAD 5967 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ADA123 270 mW SOT-363 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato ADA123JUQ-13DI EAR99 8541.21.0075 10.000 50 V 100mA 500nA 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 10 mA, 5 V 250 MHz 2,2 kOhm 47kOhm
BZX84C13-7-F Diodes Incorporated BZX84C13-7-F 0,1500
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ECAD 9 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 8 V 13 V 30 Ohm
SD830-B Diodes Incorporated SD830-B -
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ECAD 2345 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Obsoleto Foro passante DO-201AD, assiale Schottky DO-201AD - Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 700 mV a 8 A 1 mA a 30 V -65°C ~ 150°C 8A 550 pF a 4 V, 1 MHz
GBU30T08_HF Diodes Incorporated GBU30T08_HF 1.5880
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ECAD 5763 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, GBU GBU30 Standard GBU - 31-GBU30T08_HF EAR99 8541.10.0080 20 1,1 V a 15 A 10 µA a 800 V 30A Monofase 800 V
DMP31D7LQ-13 Diodes Incorporated DMP31D7LQ-13 0,0480
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ECAD 3784 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP31 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento 31-DMP31D7LQ-13 EAR99 8541.21.0095 10.000 Canale P 30 V 580mA (Ta) 4,5 V, 10 V 900 mOhm a 420 mA, 10 V 2,6 V a 250 µA 0,36 nC a 4,5 V ±20 V 19 pF a 15 V - 430 mW(Ta)
DMG1013TQ-7 Diodes Incorporated DMG1013TQ-7 0,3800
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ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-523 DMG1013 MOSFET (ossido di metallo) SOT-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 460mA(Ta) 1,8 V, 4,5 V 700 mOhm a 350 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA 0,58 nC a 4,5 V ±6 V 59,76 pF a 16 V - 270 mW (Ta)
DMT4004LPS-13 Diodes Incorporated DMT4004LPS-13 1.1000
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ECAD 420 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMT4004 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 26A (Ta), 90A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,5 mOhm a 50 A, 10 V 3 V a 250 µA 82,2 nC a 10 V ±20 V 4508 pF a 20 V - 2,6 W (Ta), 138 W (Tc)
BZT52C27-13-G Diodes Incorporated BZT52C27-13-G -
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ECAD 8394 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZT52C27-13-GDI EAR99 8541.10.0050 10.000
DMN61D8LVT-13 Diodes Incorporated DMN61D8LVT-13 0,1512
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ECAD 8503 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 DMN61 MOSFET (ossido di metallo) 820 mW TSOT-26 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 2 canali N (doppio) 60 V 630mA 1,8 Ohm a 150 mA, 5 V 2 V a 1 mA 0,74 nC a 5 V 12,9 pF a 12 V Porta a livello logico
MMSZ5230BS-7 Diodes Incorporated MMSZ5230BS-7 -
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ECAD 4179 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 MMSZ5230B 200 mW SOD-323 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 5 µA a 2 V 4,7 V 19 Ohm
BZT52C3V3SQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C3V3SQ-7-F 0,0359
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ECAD 2976 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,06% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 BZT52 200 mW SOD-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-BZT52C3V3SQ-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 5 µA a 1 V 3,3 V 95 Ohm
BSS126SK-7 Diodes Incorporated BSS126SK-7 -
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ECAD 3507 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS126 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 600 V 30mA (Ta) 0 V, 10 V 500 Ohm a 16 mA, 10 V 1,4 V a 8 µA 2 nC a 5 V ±20 V 30,9 pF a 25 V - 1 W (Ta)
MBR10200CS2-G1 Diodes Incorporated MBR10200CS2-G1 -
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ECAD 7927 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Obsoleto Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB MBR10200 Schottky TO-263-2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 200 V 5A 950 mV a 5 A 150 µA a 200 V 150°C (massimo)
DMN16M9UCA6-7 Diodes Incorporated DMN16M9UCA6-7 0,3560
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ECAD 7231 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, senza piombo DMN16 MOSFET (ossido di metallo) 2,4 W X3-DSN2718-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) - - - 1,3 V a 1 mA 35,2 nC a 4,5 V 2360 pF a 6 V -
BZX84C3V6-7-G Diodes Incorporated BZX84C3V6-7-G -
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ECAD 2815 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZX84C3V6-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
DMN61D8L-7 Diodes Incorporated DMN61D8L-7 0,4000
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ECAD 3519 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN61 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 60 V 470mA(Ta) 3V, 5V 1,8 Ohm a 150 mA, 5 V 2 V a 1 mA 0,74 nC a 5 V ±12V 12,9 pF a 12 V - 390 mW (Ta)
B360A-13-F-50 Diodes Incorporated B360A-13-F-50 0,0765
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ECAD 9239 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA B360 Schottky SMA scaricamento 31-B360A-13-F-50 EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 700 mV a 3 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 3A 200 pF a 4 V, 1 MHz
BC53-16PA-7 Diodes Incorporated BC53-16PA-7 0,3600
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ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-UDFN BC53 520 mW U-DFN-2020-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 1A 100nA (ICBO) PNP 500mV a 50mA, 500mA 100 a 150 mA, 2 V 125 MHz
DMP6023LFG-7 Diodes Incorporated DMP6023LFG-7 0,9100
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ECAD 8330 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMP6023 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 Canale P 60 V 7,7A(Ta) 4,5 V, 10 V 25 mOhm a 5 A, 10 V 3 V a 250 µA 53,1 nC a 10 V ±20 V 2569 pF a 30 V - 1 W (Ta)
LLSD101C-13 Diodes Incorporated LLSD101C-13 -
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ECAD 7929 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale DO-213AA Schottky MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato LLSD101C-13DI EAR99 8541.10.0070 10.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 40 V 900 mV a 15 mA 1 ns 200 nA a 30 V -55°C ~ 125°C 15 mA 2,2 pF a 0 V, 1 MHz
LZ52C5V1W Diodes Incorporated LZ52C5V1W -
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ECAD 5438 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Acquisto per l'ultima volta ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 1206 (3216 metri) LZ52C 500 mW 1206 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 5.000 1,5 V a 200 mA 100 nA a 1 V 5,1 V 50 Ohm
ZVN0540ASTZ Diodes Incorporated ZVN0540ASTZ -
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ECAD 6440 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante E-Line-3 MOSFET (ossido di metallo) E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 CanaleN 400 V 90mA (Ta) 10 V 50 Ohm a 100 mA, 10 V 3 V a 1 mA ±20 V 70 pF a 25 V - 700mW (Ta)
SBR2A30P1-7 Diodes Incorporated SBR2A30P1-7 0,4900
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ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale POWERDI®123 SBR2A30 Superbarriera PowerDI™123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 30 V 450 mV a 2 A 200 µA a 30 V -65°C ~ 150°C 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock