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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
PDS835L-7 Diodes Incorporated PDS835L-7 0,8151
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 ECAD 7689 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale PowerDI™5 PDS835 Schottky PowerDI™5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato PDS835L-7DI EAR99 8541.10.0080 1.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 35 V 510 mV a 8 A 1,4 mA a 35 V -65°C ~ 125°C 8A -
SBG3045CT-T-F Diodes Incorporated SBG3045CT-TF -
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 ECAD 4064 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SBG3045CT Schottky TO-263 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 15A 550 mV a 15 A 1 mA a 45 V -55°C ~ 125°C
FZT491ATC Diodes Incorporated FZT491ATC -
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 ECAD 4027 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA FZT491A 2 W SOT-223-3 scaricamento 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0075 4.000 40 V 1A 100 nA NPN 500 mV a 100 mA, 1 A 300 a 500 mA, 5 V 150 MHz
DZ23C3V0-7 Diodes Incorporated DZ23C3V0-7 -
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 ECAD 4237 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,67% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23C3V0 300 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 paio di catodo comune 3 V 95 Ohm
SDT40A100CTFP Diodes Incorporated SDT40A100CTFP 0,8700
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 ECAD 2374 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata SDT40 Schottky ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato SDT40A100CTFPDI EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 20A 720 mV a 20 A 120 µA a 100 V -55°C ~ 150°C
APD240VDTR-G1 Diodes Incorporated APD240VDTR-G1 -
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 ECAD 8589 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e scatola (TB) Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale APD240 Schottky DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 2.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 500 mV a 2 A 500 µA a 40 V -65°C ~ 125°C 2A -
DDTC114TKA-7-F Diodes Incorporated DDTC114TKA-7-F -
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 ECAD 4915 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC114 200 mW SC-59-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 300 mV a 100 µA, 1 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 10 kOhm
MMBZ5235B-7-G Diodes Incorporated MMBZ5235B-7-G -
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 ECAD 9574 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto - 1 (illimitato) REACH Inalterato MMBZ5235B-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
DCX143TK-7-F Diodes Incorporated DCX143TK-7-F -
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 ECAD 2100 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 DCX143 300 mW SC-74R scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA - 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 2,5 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm -
BAT54CWQ-7-F Diodes Incorporated BAT54CWQ-7-F 0,3900
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky SOT-323 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 1 paio di catodo comune 30 V 200 mA (CC) 1 V a 100 mA 5 ns 2 µA a 25 V -65°C ~ 125°C
B120B-13-F-52 Diodes Incorporated B120B-13-F-52 0,0896
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 ECAD 9014 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Attivo Montaggio superficiale DO-214AA, PMI B120 Schottky PMI scaricamento 31-B120B-13-F-52 EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 20 V 500 mV a 1 A 500 µA a 20 V -65°C ~ 150°C 1A 110 pF a 4 V, 1 MHz
DZT851-13 Diodes Incorporated DZT851-13 -
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 ECAD 6294 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA DZT851 1 W SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 6A 50nA (ICBO) NPN 375 mV a 300 mA, 6 A 100 a 2 A, 1 V 130 MHz
BCP5416TA Diodes Incorporated BCP5416TA 0,4000
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 ECAD 37 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA BCP5416 2 W SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 45 V 1A 100nA (ICBO) NPN 500mV a 50mA, 500mA 100 a 150 mA, 2 V 150 MHz
DDZ8V2BSF-7 Diodes Incorporated DDZ8V2BSF-7 0,2100
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±3% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-90, SOD-323F DDZ8V2 500 mW SOD-323F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 7,5 µA a 7,39 V 7,99 V 30 Ohm
DMN62D0U-13 Diodes Incorporated DMN62D0U-13 0,3200
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 ECAD 60 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN62 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 CanaleN 60 V 380mA(Ta) 1,8 V, 4,5 V 2 Ohm a 100 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA 0,5 nC a 4,5 V ±20 V 32 pF a 30 V - 380 mW(Ta)
BZT585B12T-7 Diodes Incorporated BZT585B12T-7 0,2300
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 ECAD 5048 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BZT585 350 mW SOD-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,1 V a 100 mA 100 nA a 8 V 12 V 10 Ohm
2N7002K-7 Diodes Incorporated 2N7002K-7 0,2100
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 ECAD 278 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 60 V 380mA(Ta) 5 V, 10 V 2 Ohm a 500 mA, 10 V 2,5 V a 1 mA 0,3 nC a 4,5 V ±20 V 50 pF a 25 V - 370 mW (Ta)
DMTH4014LDVW-13 Diodes Incorporated DMTH4014LDVW-13 0,2426
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 ECAD 6964 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMTH4014 MOSFET (ossido di metallo) 1,16 W(Ta) PowerDI3333-8 (tipo UXD) scaricamento REACH Inalterato 31-DMTH4014LDVW-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 40 V 10,2 A (Ta), 27,5 A (Tc) 15 mOhm a 20 A, 10 V 3 V a 250 µA 11,2 nC a 10 V 750 pF a 20 V -
SB5400-A Diodes Incorporated SB5400-A -
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 ECAD 8315 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 1.200
SDM20U40-7-50 Diodes Incorporated SDM20U40-7-50 0,0235
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 ECAD 4890 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Attivo Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 SDM20 Schottky SOD-523 scaricamento 31-SDM20U40-7-50 EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 600 mV a 200 mA 10 ns 5 µA a 30 V -65°C ~ 125°C 250 mA 50 pF a 0 V, 1 MHz
DMHT10H032LFJ-13 Diodes Incorporated DMHT10H032LFJ-13 0,4767
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 ECAD 3037 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 12-PowerVDFN DMHT10 MOSFET (ossido di metallo) 900 mW V-DFN5045-12 (Tipo C) scaricamento REACH Inalterato 31-DMHT10H032LFJ-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 4 canali N (mezzo ponte) 100 V 6A (Ta) 33 mOhm a 6 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 11,9 nC a 10 V 683 pF a 50 V -
MMBZ5248B-7-G Diodes Incorporated MMBZ5248B-7-G -
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 ECAD 5351 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto - 1 (illimitato) REACH Inalterato MMBZ5248B-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
DMN2027UPS-13 Diodes Incorporated DMN2027UPS-13 0,2436
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 ECAD 6777 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMN2027 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 20 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2,5 V, 4,5 V 12,5 mOhm a 9,4 A, 4,5 V 1,3 V a 250 µA 11,6 nC a 4,5 V ±12V 1091 pF a 10 V - 1,1 W (Ta)
SBL1030CT Diodes Incorporated SBL1030CT -
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 ECAD 4505 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 SBL1030CT Schottky TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 30 V 10A 550 mV a 5 A 500 µA a 30 V -65°C ~ 150°C
PD3Z284C20-7 Diodes Incorporated PD3Z284C20-7 0,4100
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 ECAD 4064 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale PowerDI™323 PD3Z284 500 mW PowerDI™323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,1 V a 100 mA 100 nA a 14 V 20 V 20 Ohm
DDZ27DS-7 Diodes Incorporated DDZ27DS-7 0,3000
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 ECAD 6902 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2,5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 DDZ27 200 mW SOD-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 50 nA a 21 V 27 V 45 Ohm
DMP26M1UPS-13 Diodes Incorporated DMP26M1UPS-13 0,3326
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 ECAD 2252 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMP26 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI5060-8 scaricamento REACH Inalterato 31-DMP26M1UPS-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 20 V 90A (Tc) 2,5 V, 4,5 V 6 mOhm a 15 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 164 nC a 10 V ±10 V 5392 pF a 10 V - 1,34 W
DDTD114TC-7-F Diodes Incorporated DDTD114TC-7-F -
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 ECAD 6976 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTD114 200 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 100 a 50 mA, 5 V 200 MHz 10 kOhm
BZT52C30-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C30-7-F-79 -
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 ECAD 9762 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZT52C30-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
SBR30A100CTB-13 Diodes Incorporated SBR30A100CTB-13 1.5200
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 ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SBR30 Superbarriera TO-263AB (D²PAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 15A 850 mV a 15 A 100 µA a 100 V -65°C ~ 150°C
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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