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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
BSS84Q-13-F	0,2935	Richiesta di offerta	30	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS84	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-BSS84Q-13-FTR	EAR99	8541.21.0095	10.000			Canale P	50 V	130mA (Ta)	5 V	10 Ohm a 100 mA, 5 V	2 V a 1 mA	0,59 nC a 10 V	±20 V	45 pF a 25 V	-	300 mW (Ta)
PD3Z284C3V9-7	0,1465	Richiesta di offerta	2394	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5,13%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	PowerDI™323	PD3Z284		500 mW	PowerDI™323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,1 V a 100 mA		3 µA a 1 V							3,9 V	90 Ohm
FZT493ATA	0,6000	Richiesta di offerta	30	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	FZT493		2 W	SOT-223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																							60 V	1A	100 nA			NPN	500 mV a 100 mA, 1 A	300 a 250 mA, 10 V	150 MHz
BC857BTQ-7	0,0439	Richiesta di offerta	1994	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-523	BC857		150 mW	SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							45 V	100 mA	15nA (ICBO)			PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
ZVN2535ASTOB	-	Richiesta di offerta	4097	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3		MOSFET (ossido di metallo)		E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000			CanaleN	350 V	90mA (Ta)	10 V	35 Ohm a 100 mA, 10 V	3 V a 1 mA		±20 V	70 pF a 25 V	-	700mW (Ta)
BZT52C5V1LP-7	0,4500	Richiesta di offerta	23	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±6%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	0402 (1006 metri)	BZT52		250 mW	X1-DFN1006-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		2 µA a 2 V							5,1 V	60 Ohm
AZ23C8V2-7-G	-	Richiesta di offerta	4301	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±6,1%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C8V2		300 mW	SOT-23-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	AZ23C8V2-7-GDI	EAR99	8541.10.0050	3.000	1 paio di anodo comune																		100 nA a 6 V							8,2 V	7 Ohm
S5BC-13	-	Richiesta di offerta	1937	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	DO-214AB, SMC	S5B	Standard		SMC	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													100 V		1,15 V a 5 A		10 µA a 100 V	-65°C ~ 150°C	5A	40 pF a 4 V, 1 MHz
BAT54A-7-F-2477	-	Richiesta di offerta	2342	Diodi incorporati	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		Schottky		SOT-23-3	-				31-BAT54A-7-F-2477			1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												1 paio di anodo comune	30 V	200mA	800 mV a 100 mA	5 nn	2 µA a 25 V	-65°C ~ 150°C
B240A-13-02-F	-	Richiesta di offerta	9662	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	B240	Schottky		SMA	-		1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													40 V		500 mV a 2 A		500 nA a 40 V	-65°C ~ 150°C	2A	200 pF a 40 V, 1 MHz
DMN2053UFDB-13	0,0912	Richiesta di offerta	6677	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	DMN2053	MOSFET (ossido di metallo)	820 mW (Ta)	U-DFN2020-6 (Tipo B)	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMN2053UFDB-13TR	EAR99	8541.29.0095	10.000	2 canali N (doppio)			20 V	4,6A(Ta)		35 mOhm a 5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	7,7 nC a 10 V		369 pF a 10 V	-
BZX84B27Q-7-F	0,0382	Richiesta di offerta	3926	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300 mW	SOT-23-3	scaricamento			REACH Inalterato	31-BZX84B27Q-7-FTR	EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 18,9 V							27 V	80 Ohm
DDZ11CSF-7	0,0286	Richiesta di offerta	6850	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2,52%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F	DDZ11		500 mW	SOD-323F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 8,4 V							11,1 V	30 Ohm
MBR10150CTF-G1	0,5900	Richiesta di offerta	2928	Diodi incorporati	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	MBR10150	Schottky		TO-220F-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	150 V	5A	920 mV a 5 A		100 µA a 150 V	175°C (massimo)
BZT52C20LP-7	0,4500	Richiesta di offerta	8	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±6%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	0402 (1006 metri)	BZT52		250 mW	X1-DFN1006-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 14 V							20 V	55 Ohm
S1AF	-	Richiesta di offerta	2707	Diodi incorporati	-	Massa	Obsoleto			Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA		Standard		SMA	-			REACH Inalterato	31-S1AF	EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													50 V		1,1 V a 1 A	3 µs	5 µA a 50 V	-65°C ~ 150°C	1A	10 pF a 4 V, 1 MHz
DMNH6042SSD-13	0,3830	Richiesta di offerta	7164	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	DMNH6042	MOSFET (ossido di metallo)	2,1 W	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)			60 V	16,7 A(Tc)		50 mOhm a 5,1 A, 10 V	3 V a 250 µA	4,2 nC a 4,5 V		584 pF a 25 V	-
DMG1012TQ-7	0,3500	Richiesta di offerta	985	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-523	DMG1012	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	20 V	630mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	400 mOhm a 600 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	0,74 nC a 4,5 V	±6 V	60,67 pF a 16 V	-	280 mW(Ta)
MMSZ5248BQ-7-F	0,0368	Richiesta di offerta	6441	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-123	MMSZ5248		370 mW	SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-MMSZ5248BQ-7-FTR	EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 14 V							18 V	21 Ohm
BSS123W-7	-	Richiesta di offerta	8072	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BSS123	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	100 V	170mA (Ta)	4,5 V, 10 V	6 Ohm a 170 mA, 10 V	2 V a 1 mA		±20 V	60 pF a 25 V	-	200mW (Ta)
BAS40DW-05-7	-	Richiesta di offerta	1015	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS40	Schottky		SOT-363	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												Catodo comune a 2 coppie	40 V	200 mA (CC)	1 V a 40 mA	5 nn	200 nA a 30 V	-55°C ~ 125°C
PD3S160-7	0,4600	Richiesta di offerta	39	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	PowerDI™323	PD3S160	Schottky		PowerDI™323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													60 V		640 mV a 1 A		50 µA a 60 V	-65°C ~ 150°C	1A	38 pF a 10 V, 1 MHz
SBRT3U45SAQ-13	-	Richiesta di offerta	9474	Diodi incorporati	Automotive, AEC-Q101, TrenchSBR	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	SBRT3	Superbarriera		SMA	scaricamento		1 (illimitato)		31-SBRT3U45SAQ-13TR	EAR99	8541.10.0080	10.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													45 V		480 mV a 3 A		150 µA a 45 V	-55°C ~ 150°C	3A	-
DMT10H015SK3-13	0,4122	Richiesta di offerta	1151	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	DMT10	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252, (D-Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	DMT10H015SK3-13DI	EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	100 V	54A(Tc)	6 V, 10 V	14 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 250 µA	30,1 nC a 10 V	±20 V	2343 pF a 50 V	-	1,8 W (Ta), 4,2 W (Tc)
DMP2160UFDBQ-7	0,5500	Richiesta di offerta	109	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	DMP2160	MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W	U-DFN2020-6 (Tipo B)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali P (doppio)			20 V	3,8 A		70 mOhm a 2,8 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	6,5 nC a 4,5 V		536 pF a 10 V	-
DMG3401LSNQ-7	0,1934	Richiesta di offerta	3449	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMG3401	MOSFET (ossido di metallo)		SC-59-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-DMG3401LSNQ-7TR	EAR99	8541.21.0095	3.000			Canale P	30 V	3A (Ta)	2,5 V, 10 V	50 mOhm a 4 A, 10 V	1,3 V a 250 µA	25,1 nC a 10 V	±12V	1326 pF a 15 V	-	800 mW
DMN4027SSS-13	-	Richiesta di offerta	9876	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	DMN4027	MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	40 V	6A (Ta)	4,5 V, 10 V	27 mOhm a 7 A, 10 V	3 V a 250 µA	12,9 nC a 10 V	±20 V	604 pF a 20 V	-	1,56 W(Ta)
MBR20100CTF-G1	0,6300	Richiesta di offerta	1	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	MBR20100	Schottky		TO-220F-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	MBR20100CTF-G1DI	EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	100 V	10A	840 mV a 10 A		50 µA a 100 V	-55°C ~ 175°C
DCX100NS-7	0,4900	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	*	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto					DCX100				scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
DMN65D8LT-7	0,0352	Richiesta di offerta	7836	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-523	DMN65	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-523	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMN65D8LT-7TR	EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	60 V	210mA(Ta)	5 V, 10 V	5 Ohm a 115 mA, 10 V	2 V a 250 µA	0,4 nC a 4,5 V	±20 V	24 pF a 25 V	-	300 mW (Ta)