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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT54LPS-7 | 0,4100 | ![]() | 95 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 0402 (1006 metri) | BAT54 | Schottky | X2-DFN1006-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 30 V | 650 mV a 100 mA | 5 nn | 2 µA a 25 V | -65°C ~ 125°C | 200mA | 10 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DLLFSD01T-7 | 0,2900 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | DLLFSD01 | Standard | SOD-523 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 80 V | 1,2 V a 100 mA | 4nn | 200 nA a 80 V | -65°C ~ 150°C | 100mA | 2,5 pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR3U60P1-7 | 0,4000 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Diodi incorporati | SBR® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | POWERDI®123 | SBR3U60 | Superbarriera | PowerDI™123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 60 V | 650 mV a 3 A | 100 µA a 60 V | -65°C ~ 150°C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN26D0UT-7 | 0,3300 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-523 | DMN26 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-523 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 230mA(Ta) | 1,2 V, 4,5 V | 3 Ohm a 100 mA, 4,5 V | 1 V a 250 µA | ±10 V | 14,1 pF a 15 V | - | 300 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||
| ZXTP2025FTA | 0,7900 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZXTP2025 | 1,2 W | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50 V | 5A | 20nA (ICBO) | PNP | 200 mV a 500 mA, 5 A | 200 a 500 mA, 2 V | 190 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR3045SCTB-13 | - | ![]() | 7314 | 0.00000000 | Diodi incorporati | SBR® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SBR3045 | Superbarriera | TO-263AB (D²PAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | SBR3045SCTB-13DI | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 45 V | 15A | 700 mV a 15 A | 500 µA a 45 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR40U300CTB | 2.2700 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Diodi incorporati | SBR® | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | SBR40 | Superbarriera | TO-263AB (D²PAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 300 V | 20A | 920 mV a 20 A | 50 n | 100 µA a 300 V | -65°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMN7A11GQTA | 0,4598 | ![]() | 5116 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-223 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-ZXMN7A11GQTATR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 70 V | 2,7A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 130 mOhm a 4,4 A, 10 V | 1 V a 250 µA | 7,4 nC a 10 V | ±20 V | 298 pF a 50 V | - | 2 W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||
| DMN5L06KQ-7 | - | ![]() | 7272 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN5L06 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 50 V | 300mA (Ta) | 1,8 V, 5 V | 2 Ohm a 50 mA, 5 V | 1 V a 250 µA | ±20 V | 50 pF a 25 V | - | 350 mW | |||||||||||||||||||||||||||
| T16M25F600B | 0,7682 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Attivo | T16M25 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 31-T16M25F600B | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2080UCB4-7 | 0,1300 | ![]() | 5291 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-XFBGA, WLBGA | DMN2080 | MOSFET (ossido di metallo) | X2-WLB0606-4 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 3A (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 56 mOhm a 1 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 7,4 nC a 4,5 V | ±8 V | 540 pF a 10 V | - | 710 mW | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DVRN6056-7-F | 0,1300 | ![]() | 1543 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | DVRN6056 | 300 mW | SOT-26 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 600 mA | - | NPN + diodo Zener (isolato) | 750mV a 50mA, 500mA | 100 a 150 mA, 1 V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2021UFDE-7 | 0,5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-PowerUDFN | DMP2021 | MOSFET (ossido di metallo) | U-DFN2020-6 (Tipo E) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 20 V | 11.1A (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 16 mOhm a 7 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 59 nC a 8 V | ±10 V | 2760 pF a 15 V | - | 1,9 W(Ta) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C2V7-13-F-79 | - | ![]() | 1139 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | BZT52 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | BZT52C2V7-13-F-79DI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDA143TK-7-F | - | ![]() | 3174 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | DDA143 | 300 mW | SOT-26 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100mA | - | 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 300 mV a 250 µA, 2,5 mA | 100 a 1 mA, 5 V | 250 MHz | 4,7 kOhm | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR1045SP5-13 | 0,8400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automotive, AEC-Q101, SBR® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | PowerDI™5 | SBR1045 | Superbarriera | PowerDI™5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 45 V | 550 mV a 10 A | 450 µA a 45 V | -65°C ~ 150°C | 10A | 500 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1G-13 | - | ![]() | 8978 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | S1G | Standard | SMA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 1 A | 3 µs | 5 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 10 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3110LCP3-7 | - | ![]() | 8071 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XFDFN | DMN3110 | MOSFET (ossido di metallo) | X2-DFN1006-3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 3,2A(Ta) | 1,8 V, 8 V | 69 mOhm a 500 mA, 8 V | 1,1 V a 250 µA | 1,52 nC a 4,5 V | 12V | 150 pF a 15 V | - | 1,38 W | |||||||||||||||||||||||||
| FZT968TA | 0,9900 | ![]() | 93 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | FZT968 | 3 W | SOT-223-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 12 V | 6A | 10nA (ICBO) | PNP | 450 mV a 250 mA, 6 A | 300 a 500 mA, 1 V | 80 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ADTB123YCQ-13 | - | ![]() | 6139 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ADTB123 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 31-ADTB123YCQ-13TR | OBSOLETO | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT4031LFDF-7 | 0,1162 | ![]() | 8864 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | MOSFET (ossido di metallo) | U-DFN2020-6 (Tipo F) | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMT4031LFDF-7TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 40 V | 6,8A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 26 mOhm a 6 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 7 nC a 10 V | ±16V | 362 pF a 20 V | - | 1,2 W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRT2U15LP-7 | - | ![]() | 3050 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automotive, AEC-Q101, TrenchSBR | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | 3-UDFN | SBRT2 | Superbarriera | X1-DFN1411-3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 15 V | 480 mV a 2 A | 5,7 mA a 15 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54TQ-7-F | 0,4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOT-523 | BAT54 | Schottky | SOT-523 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 30 V | 1 V a 100 mA | 2 µA a 25 V | -65°C ~ 150°C | 200mA | 10 pF a 10 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FZT755TA | 0,8300 | ![]() | 705 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | FZT755 | 2 W | SOT-223-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 150 V | 1A | 100nA (ICBO) | PNP | 500 mV a 200 mA, 1 A | 50 a 500 mA, 5 V | 30 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVN2535ASTOB | - | ![]() | 4097 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | E-Line-3 | MOSFET (ossido di metallo) | E-Line (compatibile con TO-92) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | CanaleN | 350 V | 90mA (Ta) | 10 V | 35 Ohm a 100 mA, 10 V | 3 V a 1 mA | ±20 V | 70 pF a 25 V | - | 700mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5236B-T | - | ![]() | 1966 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 200°C | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1N5236 | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V a 200 mA | 3 µA a 6 V | 7,5 V | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C11S-7-F-79 | - | ![]() | 7676 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | BZT52 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | BZT52C11S-7-F-79DI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ADC114YUQ-7 | 0,3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADC114 | 270 mW | SOT-363 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100mA | - | 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) | - | - | 250 MHz | 10kOhm, 47kOhm | 10kOhm, 47kOhm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V0T-7-F | 0,0630 | ![]() | 1326 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±7% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOT-523 | BZX84 | 150 mW | SOT-523 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 20 µA a 1 V | 3 V | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP6350S-7 | 0,4300 | ![]() | 1665 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMP6350 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canale P | 60 V | 1,5A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 350 mOhm a 900 mA, 10 V | 3 V a 250 µA | 4,1 nC a 10 V | ±20 V | 206 pF a 30 V | - | 720 mW (Ta) |

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