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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 6A4-T | - | ![]() | 6373 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | R-6, assiale | 6A4 | Standard | R-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 900 mV a 6 A | 10 µA a 400 V | -65°C ~ 175°C | 6A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMN10A08GTA | 0,7400 | ![]() | 1540 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | ZXMN10 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-223-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 100 V | 2A (Ta) | 6 V, 10 V | 250 mOhm a 3,2 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 7,7 nC a 10 V | ±20 V | 405 pF a 50 V | - | 2 W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD4448HTA-7 | 0,3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro tagliato (CT) | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1034-MMBD4448HTA-7DKR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3732UFB4-7 | 0,2800 | ![]() | 8671 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XFDFN | DMN3732 | MOSFET (ossido di metallo) | X2-DFN1006-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 31-DMN3732UFB4-7CT | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 1,3A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 460 mOhm a 200 mA, 4,5 V | 950 mV a 250 µA | 0,9 nC a 4,5 V | ±8 V | 40,8 pF a 25 V | - | 490 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMN3AM832TA | 0,4000 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro tagliato (CT) | Attivo | ZXMN3 | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C20-7-F | 0,2100 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | BZT52 | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 14 V | 20 V | 55 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG1013UWQ-13 | 0,3500 | ![]() | 8525 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | DMG1013 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canale P | 20 V | 820mA(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 750 mOhm a 430 mA, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 0,62 nC a 4,5 V | ±6 V | 59,76 pF a 16 V | - | 310 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZT789ATA-79 | - | ![]() | 5570 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | FZT789A | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 31-FZT789ATA-79TR | OBSOLETO | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3022LDG-7 | 0,3891 | ![]() | 6542 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerLDFN | DMN3022 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,96 W(Ta) | PowerDI3333-8 (Tipo D) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 2 canali N (doppio) | 30 V | 7,6 A (Ta), 15 A (Tc) | 22 mOhm a 10 A, 5 V, 8 mOhm a 10 A, 5 V | 2,1 V a 250 µA, 1,2 V a 250 µA | 3,7 nC a 4,5 V, 8 nC a 4,5 V | 481pF a 15V, 996pF a 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V1S-7-F-79 | - | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | BZX84 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | BZX84C5V1S-7-F-79DI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B120B-13 | - | ![]() | 9273 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | B120 | Schottky | PMI | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 500 mV a 1 A | 500 µA a 20 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 110 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF1001-T | 0,4600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | UF1001 | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1 V a 1 A | 50 n | 5 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| FZT593TA | 0,6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | FZT593 | 2 W | SOT-223-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 V | 1A | 100 nA | PNP | 300mV a 50mA, 500mA | 100 a 500 mA, 5 V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBZ5257BQ-7-F | 0,0367 | ![]() | 1967 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5257 | 350 mW | SOT-23-3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 25 V | 33 V | 58 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C6V2-13-F-79 | - | ![]() | 8092 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | BZT52 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | BZT52C6V2-13-F-79DI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCX55-13 | - | ![]() | 6274 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | DCX55 | 1 W | SOT-89-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV a 50mA, 500mA | 63 a 150 mA, 2 V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
| DMN2046U-13 | 0,0555 | ![]() | 6807 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN2046 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | DMN2046U-13DI | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | CanaleN | 20 V | 3,4A(Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 72 mOhm a 3,6 A, 4,5 V | 1,4 V a 250 µA | 3,8 nC a 4,5 V | ±12V | 292 pF a 10 V | - | 760 mW(Ta) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DXTN03100BFG-7 | 0,2319 | ![]() | 7400 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale, fianco bagnabile | 8-PowerVDFN | 1,2 W | PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DXTN03100BFG-7TR | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 100 V | 5A | 50nA | NPN | 220 mV a 500 mA, 5 A | 100 a 2 A, 2 V | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC122TE-7 | 0,3600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOT-523 | DDTC122 | 150 mW | SOT-523 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Prepolarizzato | 300 mV a 250 µA, 5 mA | 100 a 1 mA, 5 V | 200 MHz | 220 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZLLS2000QTC | 0,3242 | ![]() | 5471 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | ZLLS2000 | Schottky | SOT-26 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 31-ZLLS2000QTCTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 540 mV a 2 A | 6 ns | 40 µA a 30 V | 150°C | 2.2A | 65 pF a 30 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT585B27T-7 | 0,2300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 mW | SOD-523 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V a 100 mA | 50 nA a 18,9 V | 27 V | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C2V0SQ-7-F | 0,0359 | ![]() | 5203 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±4,5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 mW | SOD-323 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-BZT52C2V0SQ-7-FTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 150 µA a 1 V | 2 V | 100 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG6968U-7 | 0,5300 | ![]() | 636 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMG6968 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 6,5A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 25 mOhm a 6,5 A, 4,5 V | 900 mV a 250 µA | 8,5 nC a 4,5 V | ±12V | 151 pF a 10 V | - | 1,3 W(Ta) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBPC2506W | - | ![]() | 9171 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Vassoio | Obsoleto | -65°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, GBPC-W | GBPC2506 | Standard | GBPC-W | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | GBPC2506WDI | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V a 12,5 A | 5 µA a 600 V | 25A | Monofase | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA125TUA-7 | 0,1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | DDTA125 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54WS-7-F | 0,2000 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | BAT54 | Schottky | SOD-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 30 V | 1 V a 100 mA | 5 nn | 2 µA a 25 V | -65°C ~ 150°C | 100mA | 10 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5915B-13 | - | ![]() | 2193 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | 1SMB5915 | 550 mW | PMI | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 3.000 | 1,5 V a 200 mA | 25 µA a 1 V | 3,9 V | 7,5 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3020UFDFQ-7 | 0,1386 | ![]() | 5342 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | DMN3020 | MOSFET (ossido di metallo) | U-DFN2020-6 (Tipo F) | scaricamento | 31-DMN3020UFDFQ-7 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 10,4 A (Ta), 15 A (Tc) | 1,5 V, 4,5 V | 19 mOhm a 4,5 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 27 nC a 8 V | ±12V | 1304 pF a 15 V | - | 730 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5255BW-7 | 0,3600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMT67M8LCGQ-7 | 0,4596 | ![]() | 3480 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | DMT67 | MOSFET (ossido di metallo) | V-DFN3333-8 (Tipo B) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 31-DMT67M8LCGQ-7TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | CanaleN | 60 V | 16A(Ta), 64,6A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 5,7 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 37,5 nC a 10 V | ±20 V | 2130 pF a 30 V | - | 900 mW(Tc) |

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