SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - CC inversa (Vr) (max) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1)
6A4-T Diodes Incorporated 6A4-T -
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ECAD 6373 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante R-6, assiale 6A4 Standard R-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 500 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 400 V 900 mV a 6 A 10 µA a 400 V -65°C ~ 175°C 6A -
ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated ZXMN10A08GTA 0,7400
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ECAD 1540 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA ZXMN10 MOSFET (ossido di metallo) SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 100 V 2A (Ta) 6 V, 10 V 250 mOhm a 3,2 A, 10 V 2 V a 250 µA 7,7 nC a 10 V ±20 V 405 pF a 50 V - 2 W (Ta)
MMBD4448HTA-7 Diodes Incorporated MMBD4448HTA-7 0,3800
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ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro tagliato (CT) Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1034-MMBD4448HTA-7DKR EAR99 8541.10.0070 3.000
DMN3732UFB4-7 Diodes Incorporated DMN3732UFB4-7 0,2800
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ECAD 8671 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN DMN3732 MOSFET (ossido di metallo) X2-DFN1006-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 31-DMN3732UFB4-7CT EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 30 V 1,3A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 460 mOhm a 200 mA, 4,5 V 950 mV a 250 µA 0,9 nC a 4,5 V ±8 V 40,8 pF a 25 V - 490 mW (Ta)
ZXMN3AM832TA Diodes Incorporated ZXMN3AM832TA 0,4000
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ECAD 54 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro tagliato (CT) Attivo ZXMN3 - scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 -
BZT52C20-7-F Diodes Incorporated BZT52C20-7-F 0,2100
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ECAD 62 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SOD-123 BZT52 500 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 14 V 20 V 55 Ohm
DMG1013UWQ-13 Diodes Incorporated DMG1013UWQ-13 0,3500
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ECAD 8525 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DMG1013 MOSFET (ossido di metallo) SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 Canale P 20 V 820mA(Ta) 1,8 V, 4,5 V 750 mOhm a 430 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA 0,62 nC a 4,5 V ±6 V 59,76 pF a 16 V - 310 mW (Ta)
FZT789ATA-79 Diodes Incorporated FZT789ATA-79 -
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ECAD 5570 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto FZT789A - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 31-FZT789ATA-79TR OBSOLETO 3.000
DMN3022LDG-7 Diodes Incorporated DMN3022LDG-7 0,3891
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ECAD 6542 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerLDFN DMN3022 MOSFET (ossido di metallo) 1,96 W(Ta) PowerDI3333-8 (Tipo D) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 1.000 2 canali N (doppio) 30 V 7,6 A (Ta), 15 A (Tc) 22 mOhm a 10 A, 5 V, 8 mOhm a 10 A, 5 V 2,1 V a 250 µA, 1,2 V a 250 µA 3,7 nC a 4,5 V, 8 nC a 4,5 V 481pF a 15V, 996pF a 15V -
BZX84C5V1S-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C5V1S-7-F-79 -
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ECAD 3919 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZX84C5V1S-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
B120B-13 Diodes Incorporated B120B-13 -
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ECAD 9273 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AA, PMI B120 Schottky PMI - RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 20 V 500 mV a 1 A 500 µA a 20 V -65°C ~ 150°C 1A 110 pF a 4 V, 1 MHz
UF1001-T Diodes Incorporated UF1001-T 0,4600
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ECAD 16 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale UF1001 Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 1 V a 1 A 50 n 5 µA a 50 V -65°C ~ 150°C 1A 20 pF a 4 V, 1 MHz
FZT593TA Diodes Incorporated FZT593TA 0,6400
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ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA FZT593 2 W SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0075 1.000 100 V 1A 100 nA PNP 300mV a 50mA, 500mA 100 a 500 mA, 5 V 50 MHz
MMBZ5257BQ-7-F Diodes Incorporated MMBZ5257BQ-7-F 0,0367
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ECAD 1967 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5257 350 mW SOT-23-3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 25 V 33 V 58 Ohm
BZT52C6V2-13-F-79 Diodes Incorporated BZT52C6V2-13-F-79 -
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ECAD 8092 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZT52C6V2-13-F-79DI EAR99 8541.10.0050 10.000
DCX55-13 Diodes Incorporated DCX55-13 -
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ECAD 6274 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA DCX55 1 W SOT-89-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 1A 100nA (ICBO) NPN 500mV a 50mA, 500mA 63 a 150 mA, 2 V 200 MHz
DMN2046U-13 Diodes Incorporated DMN2046U-13 0,0555
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ECAD 6807 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2046 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato DMN2046U-13DI EAR99 8541.21.0095 10.000 CanaleN 20 V 3,4A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 72 mOhm a 3,6 A, 4,5 V 1,4 V a 250 µA 3,8 nC a 4,5 V ±12V 292 pF a 10 V - 760 mW(Ta)
DXTN03100BFG-7 Diodes Incorporated DXTN03100BFG-7 0,2319
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ECAD 7400 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale, fianco bagnabile 8-PowerVDFN 1,2 W PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX scaricamento REACH Inalterato 31-DXTN03100BFG-7TR EAR99 8541.29.0075 2.000 100 V 5A 50nA NPN 220 mV a 500 mA, 5 A 100 a 2 A, 2 V 140 MHz
DDTC122TE-7 Diodes Incorporated DDTC122TE-7 0,3600
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ECAD 4 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-523 DDTC122 150 mW SOT-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 100 a 1 mA, 5 V 200 MHz 220 Ohm
ZLLS2000QTC Diodes Incorporated ZLLS2000QTC 0,3242
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ECAD 5471 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-23-6 ZLLS2000 Schottky SOT-26 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-ZLLS2000QTCTR EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 540 mV a 2 A 6 ns 40 µA a 30 V 150°C 2.2A 65 pF a 30 V, 1 MHz
BZT585B27T-7 Diodes Incorporated BZT585B27T-7 0,2300
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ECAD 12 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BZT585 350 mW SOD-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,1 V a 100 mA 50 nA a 18,9 V 27 V 80 Ohm
BZT52C2V0SQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C2V0SQ-7-F 0,0359
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ECAD 5203 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±4,5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 BZT52 200 mW SOD-323 scaricamento REACH Inalterato 31-BZT52C2V0SQ-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 150 µA a 1 V 2 V 100 ohm
DMG6968U-7 Diodes Incorporated DMG6968U-7 0,5300
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ECAD 636 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG6968 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 20 V 6,5A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 25 mOhm a 6,5 ​​A, 4,5 V 900 mV a 250 µA 8,5 nC a 4,5 V ±12V 151 pF a 10 V - 1,3 W(Ta)
GBPC2506W Diodes Incorporated GBPC2506W -
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ECAD 9171 0.00000000 Diodi incorporati - Vassoio Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4 quadrati, GBPC-W GBPC2506 Standard GBPC-W scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato GBPC2506WDI EAR99 8541.10.0080 100 1,1 V a 12,5 A 5 µA a 600 V 25A Monofase 600 V
DDTA125TUA-7 Diodes Incorporated DDTA125TUA-7 0,1000
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ECAD 5 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Attivo DDTA125 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000
BAT54WS-7-F Diodes Incorporated BAT54WS-7-F 0,2000
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ECAD 40 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 BAT54 Schottky SOD-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 30 V 1 V a 100 mA 5 nn 2 µA a 25 V -65°C ~ 150°C 100mA 10 pF a 1 V, 1 MHz
1SMB5915B-13 Diodes Incorporated 1SMB5915B-13 -
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ECAD 2193 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 1SMB5915 550 mW PMI scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato OBSOLETO 0000.00.0000 3.000 1,5 V a 200 mA 25 µA a 1 V 3,9 V 7,5 Ohm
DMN3020UFDFQ-7 Diodes Incorporated DMN3020UFDFQ-7 0,1386
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ECAD 5342 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMN3020 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo F) scaricamento 31-DMN3020UFDFQ-7 EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 30 V 10,4 A (Ta), 15 A (Tc) 1,5 V, 4,5 V 19 mOhm a 4,5 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 27 nC a 8 V ±12V 1304 pF a 15 V - 730 mW (Ta)
MMBZ5255BW-7 Diodes Incorporated MMBZ5255BW-7 0,3600
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ECAD 6 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000
DMT67M8LCGQ-7 Diodes Incorporated DMT67M8LCGQ-7 0,4596
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ECAD 3480 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMT67 MOSFET (ossido di metallo) V-DFN3333-8 (Tipo B) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-DMT67M8LCGQ-7TR EAR99 8541.21.0095 2.000 CanaleN 60 V 16A(Ta), 64,6A(Tc) 4,5 V, 10 V 5,7 mOhm a 20 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 37,5 nC a 10 V ±20 V 2130 pF a 30 V - 900 mW(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock