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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2) Figura di rumore (dB tipo @ f)
DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated DMT10H017LPD-13 0,6938
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 ECAD 7312 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMT10 MOSFET (ossido di metallo) 2,2 W (Ta), 78 W (Tc) PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 100 V 54,7 A(Tc) 17,4 mOhm a 17 A, 10 V 3 V a 250 µA 28,6 nC a 10 V 1986 pF a 50 V -
FCX718TA Diodes Incorporated FCX718TA 0,6400
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 ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA FCX718 2 W SOT-89-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 20 V 2,5 A 100 nA PNP 300 mV a 200 mA, 2,5 A 150 a 2A, 2V 180 MHz
DMP2165UW-7 Diodes Incorporated DMP2165UW-7 0,3800
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 ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DMP2165 MOSFET (ossido di metallo) SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 2,5A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 90 mOhm a 1,5 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 3,5 nC a 4,5 V ±12V 335 pF a 15 V - 500mW (Ta)
BZT52HC27WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC27WF-7 0,0439
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 ECAD 6777 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±7,04% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SOD-123F BZT52 375 mW SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 50 nA a 18,9 V 27 V 40 Ohm
2N7002-7 Diodes Incorporated 2N7002-7 -
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 ECAD 3190 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 60 V 115mA (Ta) 5 V, 10 V 7,5 Ohm a 50 mA, 5 V 2,5 V a 250 µA ±20 V 50 pF a 25 V - 370 mW (Ta)
BAV20W-7 Diodes Incorporated BAV20W-7 -
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 ECAD 6204 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale SOD-123 BAV20 Standard SOD-123 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 150 V 1,25 V a 200 mA 50 n 100 nA a 150 V -65°C ~ 150°C 200mA 5 pF a 0 V, 1 MHz
B170B-13-F Diodes Incorporated B170B-13-F 0,4600
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 ECAD 8243 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AA, PMI B170 Schottky PMI scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 70 V 790 mV a 1 A 500 µA a 70 V -65°C ~ 150°C 1A 80 pF a 4 V, 1 MHz
SD103BW-7-F Diodes Incorporated SD103BW-7-F 0,4000
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 ECAD 8544 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123 SD103 Schottky SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 600 mV a 200 mA 10 ns 5 µA a 20 V -65°C ~ 125°C 350mA 28 pF a 0 V, 1 MHz
DMN26D0UFB4-7 Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7 -
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 ECAD 2494 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN DMN26 MOSFET (ossido di metallo) X2-DFN1006-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 20 V 230mA(Ta) 1,5 V, 4,5 V 3 Ohm a 100 mA, 4,5 V 1,1 V a 250 µA ±10 V 14,1 pF a 15 V - 350 mW(Ta)
RS1KB-13 Diodes Incorporated RS1KB-13 -
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 ECAD 1530 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AA, PMI RS1K Standard PMI scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,3 V a 1 A 500 n 5 µA a 800 V -65°C ~ 150°C 1A 15 pF a 4 V, 1 MHz
1SMB5928B-13 Diodes Incorporated 1SMB5928B-13 0,4400
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 ECAD 3417 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 1SMB5928 3 W PMI scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,5 V a 200 mA 1 µA a 9,9 V 13 V 7 Ohm
GDZ7V5LP3-7 Diodes Incorporated GDZ7V5LP3-7 0,3300
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 ECAD 10 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,23% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 0201 (0603 metrico) GDZ7V5 250 mW X3-DFN0603-2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 500 nA a 4 V 7,5 V
DMT35M7LFV-7 Diodes Incorporated DMT35M7LFV-7 0,2768
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 ECAD 2423 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMT35 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 (tipo UX) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 30 V 76A(Tc) 4,5 V, 10 V 5 mOhm a 20 A, 10 V 2,4 V a 250 µA 36 nC a 10 V ±20 V 1667 pF a 15 V - 1,98 W (Ta)
FMMT5179TA Diodes Incorporated FMMT5179TA -
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 ECAD 4991 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT5179 330 mW SOT-23-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 15dB 12V 50mA NPN 25 a 3 mA, 1 V 2GHz 4,5 dB a 200 MHz
MMDT5451Q-7 Diodes Incorporated MMDT5451Q-7 0,4100
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 ECAD 3862 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT5451 200 mW SOT-363 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 160 V, 150 V 200mA 50nA (ICBO) PNP, PNP 200mV a 5mA, 50mA / 500mV a 5mA, 50mA 80 a 10 mA, 5 V / 60 a 10 mA, 5 V 300 MHz
ZVP0545GTA Diodes Incorporated ZVP0545GTA 0,8800
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 ECAD 5386 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA ZVP0545 MOSFET (ossido di metallo) SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 1.000 Canale P 450 V 75mA (Ta) 10 V 150 Ohm a 50 mA, 10 V 4,5 V a 1 mA ±20 V 120 pF a 25 V - 2 W (Ta)
BC848A-7-F Diodes Incorporated BC848A-7-F 0,2000
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 ECAD 28 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 300 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15nA NPN 600mV a 5mA, 100mA 110 a 2 mA, 5 V 300 MHz
BC857AW-7-F Diodes Incorporated BC857AW-7-F 0,2000
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 BC857 200 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15nA (ICBO) PNP 650 mV a 5 mA, 100 mA 125 a 2 mA, 5 V 200 MHz
DCX122LH-7 Diodes Incorporated DCX122LH-7 -
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 ECAD 9579 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 DCX122 150 mW SOT-563 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA - 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 56 a 10 mA, 5 V 200 MHz 220 Ohm 10kOhm
SBL3045CTP Diodes Incorporated SBL3045CTP -
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 ECAD 8192 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Obsoleto Foro passante Scheda isolata TO-220-3 SBL3045 Schottky ITO-220S scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato SBL3045CTPDI EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 15A 620 mV a 15 A 1 mA a 45 V -65°C ~ 150°C
BAT54BRW-7-F Diodes Incorporated BAT54BRW-7-F 0,4700
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 ECAD 117 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAT54 Schottky SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità Connessione in serie a 2 coppie 30 V 200 mA (CC) 1 V a 100 mA 5 nn 2 µA a 25 V -65°C ~ 125°C
SB120-B Diodes Incorporated SB120-B -
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 ECAD 3243 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Schottky DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 20 V 500 mV a 1 A 500 µA a 20 V -65°C ~ 125°C 1A -
DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated DMP2035UFDF-7 0,5000
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 ECAD 10 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMP2035 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo F) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 20 V 8.1A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 29 mOhm a 6,4 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 20,5 nC a 4,5 V ±8 V 1808 pF a 15 V - 2,03 W(Ta)
DXTP5840CFDB-7 Diodes Incorporated DXTP5840CFDB-7 0,4200
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 ECAD 7552 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 3-UDFN DXTP5840 690 mW U-DFN2020-3 (Tipo B) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 4,8 A 100 nA PNP 370 mV a 30 mA, 3 A 250 a 10 mA, 2 V 135 MHz
BAV21W-7 Diodes Incorporated BAV21W-7 -
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 ECAD 6059 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale SOD-123 BAV21 Standard SOD-123 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 200 V 1,25 V a 200 mA 50 n 100 nA a 200 V -65°C ~ 150°C 200mA 5 pF a 0 V, 1 MHz
BZT52C3V6-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C3V6-7-F-79 -
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 ECAD 8622 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5,56% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZT52 370 mW SOD-123 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-BZT52C3V6-7-F-79TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 5 µA a 1 V 3,6 V 90 Ohm
B390-13 Diodes Incorporated B390-13 -
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 ECAD 4481 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC B390 Schottky SMC scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 90 V 790 mV a 3 A 500 µA a 90 V -55°C ~ 125°C 3A 100 pF a 4 V, 1 MHz
ZXTP25140BFHTA Diodes Incorporated ZXTP25140BFHTA 0,5700
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTP25140 1,25 W SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 140 V 1A 50nA (ICBO) PNP 260 mV a 100 mA, 1 A 100 a 10 mA, 2 V 75 MHz
DMTH31M7LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH31M7LPSQ-13 0,5820
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 ECAD 8036 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN MOSFET (ossido di metallo) PowerDI5060-8 scaricamento REACH Inalterato 31-DMTH31M7LPSQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 30A (Ta), 100A (Tc) 4,5 V, 10 V 1,7 mOhm a 20 A, 10 V 3 V a 250 µA 90 nC a 10 V ±16V 5741 pF a 15 V - 1,3 W (Ta), 113 W (Tc)
DDTD122LC-7-F Diodes Incorporated DDTD122LC-7-F -
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 ECAD 7958 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTD122 200 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 56 a 50 mA, 5 V 200 MHz 220 Ohm 10 kOhm
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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