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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2) Figura di rumore (dB tipo @ f)
DMN6069SFG-7 Diodes Incorporated DMN6069SFG-7 0,6400
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 ECAD 10 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMN6069 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 CanaleN 60 V 5,6 A (Ta), 18 A (Tc) 4,5 V, 10 V 50 mOhm a 4,5 A, 10 V 3 V a 250 µA 25 nC a 10 V ±20 V 1480 pF a 30 V - 930 mW (Ta)
MMBD7000-7-F Diodes Incorporated MMBD7000-7-F 0,1400
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 ECAD 488 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD7000 Standard SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 75 V 300 mA (CC) 1,25 V a 150 mA 4nn 1 µA a 50 V -65°C ~ 150°C
ZXMN2AM832TA Diodes Incorporated ZXMN2AM832TA 0,5200
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000
DCP53-13 Diodes Incorporated DCP53-13 -
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 ECAD 2314 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA DCP53 1 W SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.500 80 V 1A 100nA (ICBO) PNP 500mV a 50mA, 500mA 40 a 150 mA, 2 V 200 MHz
S3DB-13 Diodes Incorporated S3DB-13 -
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 ECAD 4200 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AA, PMI S3D Standard PMI scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1,15 V a 3 A 10 µA a 200 V -65°C ~ 150°C 3A 40 pF a 4 V, 1 MHz
DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated DMPH6050SK3Q-13 0,9100
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 DMPH6050 MOSFET (ossido di metallo) TO-252-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 60 V 7,2 A(Ta), 23,6 A(Tc) 4,5 V, 10 V 50 mOhm a 7 A, 10 V 3 V a 250 µA 25 nC a 10 V ±20 V 1377 pF a 30 V - 1,9 W(Ta)
FZT591TA Diodes Incorporated FZT591TA 0,6400
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 ECAD 6 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA FZT591 2 W SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0075 1.000 60 V 1A 100 nA PNP 600 mV a 100 mA, 1 A 100 a 500 mA, 5 V 150 MHz
DDTA123EUA-7 Diodes Incorporated DDTA123EUA-7 0,3900
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 ECAD 75 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro tagliato (CT) Attivo DDTA123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1034-DDTA123EUA-7DKR EAR99 8541.21.0075 3.000
MMBZ5233BS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5233BS-7-F 0,0756
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 ECAD 5230 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5233 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 2 Indipendente 900 mV a 10 mA 5 µA a 3,5 V 6 V 7 Ohm
DMP68D0LFB-7B Diodes Incorporated DMP68D0LFB-7B 0,0490
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 ECAD 9309 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-UFDFN MOSFET (ossido di metallo) X1-DFN1006-3 scaricamento REACH Inalterato 31-DMP68D0LFB-7BTR EAR99 8541.29.0095 10.000 Canale P 65 V 192mA(Ta) 2,5 V, 5 V 8 Ohm a 100 mA, 5 V 2,1 V a 250 µA 4,1 nC a 5 V ±20 V 36 pF a 30 V - 500 mW
MURS360-13 Diodes Incorporated MURS360-13 0,1705
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 ECAD 4267 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC Standard SMC scaricamento REACH Inalterato 31-MURS360-13TR EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,25 V a 3 A 50 n 3 µA a 600 V -55°C ~ 175°C 3A 40 pF a 4 V, 1 MHz
DDTC143FCA-7-F Diodes Incorporated DDTC143FCA-7-F 0,2200
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 ECAD 5174 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 68 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 22 kOhm
BSS84DW-7 Diodes Incorporated BSS84DW-7 -
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 ECAD 1390 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS84 MOSFET (ossido di metallo) 300 mW SOT-363 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canali P (doppio) 50 V 130 mA 10 Ohm a 100 mA, 5 V 2 V a 1 mA - 45 pF a 25 V Porta a livello logico
DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated DMT10H017LPD-13 0,6938
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 ECAD 7312 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMT10 MOSFET (ossido di metallo) 2,2 W (Ta), 78 W (Tc) PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 100 V 54,7 A(Tc) 17,4 mOhm a 17 A, 10 V 3 V a 250 µA 28,6 nC a 10 V 1986 pF a 50 V -
FCX718TA Diodes Incorporated FCX718TA 0,6400
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 ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA FCX718 2 W SOT-89-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 20 V 2,5 A 100 nA PNP 300 mV a 200 mA, 2,5 A 150 a 2A, 2V 180 MHz
DMP2165UW-7 Diodes Incorporated DMP2165UW-7 0,3800
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 ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DMP2165 MOSFET (ossido di metallo) SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 2,5A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 90 mOhm a 1,5 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 3,5 nC a 4,5 V ±12V 335 pF a 15 V - 500mW (Ta)
BZT52HC27WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC27WF-7 0,0439
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 ECAD 6777 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±7,04% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SOD-123F BZT52 375 mW SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 50 nA a 18,9 V 27 V 40 Ohm
2N7002-7 Diodes Incorporated 2N7002-7 -
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 ECAD 3190 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 60 V 115mA (Ta) 5 V, 10 V 7,5 Ohm a 50 mA, 5 V 2,5 V a 250 µA ±20 V 50 pF a 25 V - 370 mW (Ta)
BAV20W-7 Diodes Incorporated BAV20W-7 -
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 ECAD 6204 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale SOD-123 BAV20 Standard SOD-123 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 150 V 1,25 V a 200 mA 50 n 100 nA a 150 V -65°C ~ 150°C 200mA 5 pF a 0 V, 1 MHz
B170B-13-F Diodes Incorporated B170B-13-F 0,4600
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 ECAD 8243 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AA, PMI B170 Schottky PMI scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 70 V 790 mV a 1 A 500 µA a 70 V -65°C ~ 150°C 1A 80 pF a 4 V, 1 MHz
SD103BW-7-F Diodes Incorporated SD103BW-7-F 0,4000
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 ECAD 8544 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123 SD103 Schottky SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 600 mV a 200 mA 10 ns 5 µA a 20 V -65°C ~ 125°C 350mA 28 pF a 0 V, 1 MHz
DMN26D0UFB4-7 Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7 -
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 ECAD 2494 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN DMN26 MOSFET (ossido di metallo) X2-DFN1006-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 20 V 230mA(Ta) 1,5 V, 4,5 V 3 Ohm a 100 mA, 4,5 V 1,1 V a 250 µA ±10 V 14,1 pF a 15 V - 350 mW(Ta)
RS1KB-13 Diodes Incorporated RS1KB-13 -
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 ECAD 1530 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AA, PMI RS1K Standard PMI scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,3 V a 1 A 500 n 5 µA a 800 V -65°C ~ 150°C 1A 15 pF a 4 V, 1 MHz
1SMB5928B-13 Diodes Incorporated 1SMB5928B-13 0,4400
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 ECAD 3417 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 1SMB5928 3 W PMI scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,5 V a 200 mA 1 µA a 9,9 V 13 V 7 Ohm
GDZ7V5LP3-7 Diodes Incorporated GDZ7V5LP3-7 0,3300
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 ECAD 10 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,23% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 0201 (0603 metrico) GDZ7V5 250 mW X3-DFN0603-2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 500 nA a 4 V 7,5 V
DMT35M7LFV-7 Diodes Incorporated DMT35M7LFV-7 0,2768
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 ECAD 2423 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMT35 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 (tipo UX) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 30 V 76A(Tc) 4,5 V, 10 V 5 mOhm a 20 A, 10 V 2,4 V a 250 µA 36 nC a 10 V ±20 V 1667 pF a 15 V - 1,98 W (Ta)
FMMT5179TA Diodes Incorporated FMMT5179TA -
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 ECAD 4991 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT5179 330 mW SOT-23-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 15dB 12V 50mA NPN 25 a 3 mA, 1 V 2GHz 4,5 dB a 200 MHz
MMDT5451Q-7 Diodes Incorporated MMDT5451Q-7 0,4100
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 ECAD 3862 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT5451 200 mW SOT-363 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 160 V, 150 V 200mA 50nA (ICBO) PNP, PNP 200mV a 5mA, 50mA / 500mV a 5mA, 50mA 80 a 10 mA, 5 V / 60 a 10 mA, 5 V 300 MHz
ZVP0545GTA Diodes Incorporated ZVP0545GTA 0,8800
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 ECAD 5386 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA ZVP0545 MOSFET (ossido di metallo) SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 1.000 Canale P 450 V 75mA (Ta) 10 V 150 Ohm a 50 mA, 10 V 4,5 V a 1 mA ±20 V 120 pF a 25 V - 2 W (Ta)
BC848A-7-F Diodes Incorporated BC848A-7-F 0,2000
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 ECAD 28 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 300 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15nA NPN 600mV a 5mA, 100mA 110 a 2 mA, 5 V 300 MHz
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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