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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
ZVN4206ASTZ	0,2893	Richiesta di offerta	7039	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3	ZVN4206	MOSFET (ossido di metallo)		E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000			CanaleN	60 V	600mA (Ta)	5 V, 10 V	1 Ohm a 1,5 A, 10 V	3 V a 1 mA		±20 V	100 pF a 25 V	-	700mW (Ta)
ZVN4306AVSTOA	-	Richiesta di offerta	5762	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3		MOSFET (ossido di metallo)		E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000			CanaleN	60 V	1,1 A (Ta)	5 V, 10 V	330 mOhm a 3 A, 10 V	3 V a 1 mA		±20 V	350 pF a 25 V	-	850 mW(Ta)
ZXMN10A25KTC	1.3100	Richiesta di offerta	2266	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	ZXMN10	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	100 V	4,2A(Ta)	6 V, 10 V	125 mOhm a 2,9 A, 10 V	4 V a 250 µA	17,16 nC a 10 V	±20 V	859 pF a 50 V	-	2,11 W (Ta)
ZXMN2F34FHTA	0,4600	Richiesta di offerta	52	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXMN2	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	20 V	3,4A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	60 mOhm a 2,5 A, 4,5 V	1,5 V a 250 µA	2,8 nC a 4,5 V	±12V	277 pF a 10 V	-	950 mW(Ta)
ZXTN25100DGTA	0,5600	Richiesta di offerta	6892	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	ZXTN25100		3 W	SOT-223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0075	1.000																							100 V	3A	50nA (ICBO)			NPN	500 mV a 600 mA, 3 A	300 a 10 mA, 2 V	175 MHz
DDTA113ZE-7-F	0,0605	Richiesta di offerta	6453	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOT-523	DDTA113		150 mW	SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100 mA	500nA			PNP - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	33 a 10 mA, 5 V	250 MHz	1 kOhm	10 kOhm
ZTX690BSTOA	-	Richiesta di offerta	9817	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX690B		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000																							45 V	2A	100nA (ICBO)			NPN	500 mV a 5 mA, 1 A	400 a 1 A, 2 V	150 MHz
DDTA115TCA-7	0,1000	Richiesta di offerta	5	Diodi incorporati	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo					DDTA115				scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
ADC124EUQ-13	0,0480	Richiesta di offerta	7613	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	ADC124		270 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000																							50 V	100mA	-			2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	-	-	250 MHz	22kOhm	22kOhm
ZXMN10A08DN8TA	0,8300	Richiesta di offerta	7029	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	ZXMN10	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500	2 canali N (doppio)			100 V	1,6 A		250 mOhm a 3,2 A, 10 V	2 V a 250 µA (min)	7,7 nC a 10 V		405 pF a 50 V	Porta a livello logico
MMBZ5258BT-7-F	0,0736	Richiesta di offerta	2079	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOT-523	MMBZ5258		150 mW	SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 27 V							36 V	70 Ohm
MMBZ5255BW-7-F	0,3400	Richiesta di offerta	1	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	MMBZ5255		200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 21 V							28 V	44 Ohm
DMG2301L-7	0,3200	Richiesta di offerta	172	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMG2301	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P	20 V	3A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	120 mOhm a 2,8 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	5,5 nC a 4,5 V	±8 V	476 pF a 10 V	-	1,5 W(Ta)
ZXMN6A11DN8TC	-	Richiesta di offerta	7082	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	ZXMN6	MOSFET (ossido di metallo)	1,8 W	8-SO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)			60 V	2,5 A		120 mOhm a 2,5 A, 10 V	1 V a 250 µA (min)	5,7 nC a 10 V		330 pF a 40 V	Porta a livello logico
US1M-13-F	0,4300	Richiesta di offerta	82	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	US1M	Standard		SMA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													1000 V		1,7 V a 1 A	75 ns	5 µA a 1000 V	-65°C ~ 150°C	1A	10 pF a 4 V, 1 MHz
D1G-T	0,0567	Richiesta di offerta	6117	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Foro passante	T1, assiale	D1G	Standard		T-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													50 V		1 V a 1 A	2 µs	5 µA a 50 V	-65°C ~ 150°C	1A	8 pF a 4 V, 1 MHz
DMC4029SSD-13	0,2893	Richiesta di offerta	8763	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	DMC4029	MOSFET (ossido di metallo)	1,8 W (Ta)	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Canali N e P complementari			40 V	9A(Ta), 6,5A(Ta)		24 mOhm a 6 A, 10 V, 45 mOhm a 5 A, 10 V	3 V a 250 µA	8,8 nC a 4,5 V, 10,6 nC a 4,5 V		1060pF a 20 V, 1154pF a 20 V	-
BCV46TC	-	Richiesta di offerta	5764	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCV46		330 mW	SOT-23-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000																							60 V	500 mA	100nA (ICBO)			PNP-Darlington	1 V a 100 µA, 100 mA	10000 a 100 mA, 5 V	200 MHz
BZT52C10-7-F	0,2100	Richiesta di offerta	591	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±6%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-123	BZT52		500 mW	SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		200 nA a 7 V							10 V	20 Ohm
SMAZ16-13	-	Richiesta di offerta	3509	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	SMAZ16		1 W	SMA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	5.000																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 12,2 V							16 V	15 Ohm
BZX84C3V0S-7	-	Richiesta di offerta	5061	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	±6%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BZX84		200 mW	SOT-363	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000	2 Indipendente																900 mV a 10 mA		10 µA a 1 V							3 V	95 Ohm
DMN4036LK3Q-13	0,3061	Richiesta di offerta	4308	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	DMN4036	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	40 V	12,2A(Ta)	4,5 V, 10 V	36 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	9,2 nC a 10 V	±20 V	453 pF a 20 V	-	2,12 W(Ta)
DMN3110S-7	0,5600	Richiesta di offerta	3	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN3110	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	30 V	2,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	73 mOhm a 3,1 mA, 10 V	3 V a 250 µA	8,6 nC a 10 V	±20 V	305,8 pF a 15 V	-	740 mW (Ta)
DMP3007LK3Q-13	0,5272	Richiesta di offerta	3561	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	DMP3007	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252, (D-Pak)	scaricamento				31-DMP3007LK3Q-13	EAR99	8541.29.0095	2.500			Canale P	30 V	18,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	7 mOhm a 17 A, 10 V	2,8 V a 250 µA	64,2 nC a 10 V	±20 V	2826 pF a 15 V	-	1,5 W(Ta)
BZX84C10-7	-	Richiesta di offerta	1309	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	±6%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		200 nA a 7 V							10 V	20 Ohm
BZX84C7V5-7-F-79	-	Richiesta di offerta	4238	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±6%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300 mW	SOT-23-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-BZX84C7V5-7-F-79TR	EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		1 µA a 5 V							7,5 V	15 Ohm
6A04G	-	Richiesta di offerta	9873	Diodi incorporati	-	Massa	Obsoleto			Foro passante	R-6, assiale	6A04	Standard		R-6	-				31-6A04G	OBSOLETO		1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													400 V		1,1 V a 6 A		10 µA a 400 V	-55°C ~ 150°C	6A	100 pF a 4 V, 1 MHz
BAS40DW-05-7-F-2477	-	Richiesta di offerta	4918	Diodi incorporati	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363		Schottky		SOT-363	-				31-BAS40DW-05-7-F-2477			1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												Catodo comune a 2 coppie	40 V	200mA	1 V a 40 mA	5 nn	200 nA a 30 V	-55°C ~ 125°C
BZT52C10S-7-F	0,2800	Richiesta di offerta	116	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±6%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	BZT52		200 mW	SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 7 V							10 V	20 Ohm
DDZ13BQ-7	-	Richiesta di offerta	8914	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±3%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-123	DDZ13		310 mW	SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 10 V							12,88 V	14 Ohm