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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
MBR1660	-	Richiesta di offerta	5164	Diodi incorporati	-	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-220-2	MBR1660	Schottky		TO-220AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	MBR1660DI	EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													60 V		750 mV a 16 A		1 mA a 60 V	-65°C ~ 150°C	16A	450 pF a 4 V, 1 MHz
FZT653TA	0,6800	Richiesta di offerta	238	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	FZT653		2 W	SOT-223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0075	1.000																							100 V	2A			100nA (ICBO)			NPN	500 mV a 200 mA, 2 A	100 a 500 mA, 2 V	175 MHz
1N4448HWT-7	0,2900	Richiesta di offerta	87	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523	1N4448	Standard		SOD-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													80 V		1 V a 100 mA	4nn	100 nA a 80 V	-65°C ~ 150°C	125 mA	3pF a 0,5 V, 1 MHz
APT13003LZTR-G1	-	Richiesta di offerta	6804	Diodi incorporati	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	APT13003		800 mW	TO-92	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	APT13003LZTR-G1DI	EAR99	8541.21.0095	2.000																							450 V	800 mA			-			NPN	500mV a 40mA, 200mA	6 a 300 mA, 10 V	-
GBJ25005-F	1.6693	Richiesta di offerta	2076	Diodi incorporati	-	Tubo	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBJ	GBJ25005	Standard		GBJ	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	15																	1,05 V a 12,5 A		10 µA a 50 V		25A				Monofase	50 V
SBRT40V100CTE	1.7100	Richiesta di offerta	2716	Diodi incorporati	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	SBRT40	Superbarriera		TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	RAGGIUNGERE Interessato	SBRT40V100CTEDI-5	EAR99	8541.10.0080	50		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)												1 paio di catodo comune	100 V	20A	730 mV a 20 A		300 µA a 100 V	-55°C ~ 150°C
DDTA144EE-7	0,3500	Richiesta di offerta	8	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOT-523	DDTA144		150 mW	SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100 mA			500nA			PNP - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	68 a 5 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	47 kOhm
DMT10H032LSS-13	0,2198	Richiesta di offerta	4307	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	DMT10	MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMT10H032LSS-13TR	EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	100 V	5A (Ta)	4,5 V, 10 V	32 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	11,9 nC a 10 V	±20 V	683 pF a 50 V	-	1,3 W(Ta)
BZX84C13-7-F-31	-	Richiesta di offerta	1395	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±6,54%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300 mW	SOT-23-3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-BZX84C13-7-F-31TR	EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 8 V									13 V	30 Ohm
DDTC143FUA-7	0,1000	Richiesta di offerta	863	Diodi incorporati	*	Nastro tagliato (CT)	Attivo					DDTC143				scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1034-DDTC143FUA-7DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000
BZX84C20S-7-F	0,0756	Richiesta di offerta	8658	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±6%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BZX84		200 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000	2 Indipendente																900 mV a 10 mA		100 nA a 14 V									20 V	55 Ohm
ZM4738A-13	-	Richiesta di offerta	7724	Diodi incorporati	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	DO-213AB, MELF (vetro)	ZM4738		1 W	MELF	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	5.000																	1,2 V a 200 mA		10 µA a 6 V									8,2 V	4,5 Ohm
DDZ5V6BSF-7	0,2100	Richiesta di offerta	96	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2,5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F	DDZ5V6		500 mW	SOD-323F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		7,5 µA a 2 V									5,6 V	80 Ohm
DMT8008SCT	1.1132	Richiesta di offerta	8439	Diodi incorporati	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	DMT8008	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMT8008SCT	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	80 V	111A(Tc)	10 V	7,5 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 1 mA	34 nC a 10 V	±20 V	1950 pF a 40 V	-	2,4 W (Ta), 167 W (Tc)
DDTB113ZC-7-F	0,2500	Richiesta di offerta	20	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTB113		200 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	500 mA			500nA			PNP - Prepolarizzato	300 mV a 2,5 mA, 50 mA	56 a 50 mA, 5 V	200 MHz	1 kOhm	10 kOhm
DMNH10H028SK3-13	0,5880	Richiesta di offerta	2569	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	DMNH10	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	100 V	55A (Tc)	10 V	28 mOhm a 20 A, 10 V	3,3 V a 250 µA	36 nC a 10 V	±20 V	2245 pF a 50 V	-	2 W (Ta)
DMN6013LFGQ-7	0,8900	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	DMN6013	MOSFET (ossido di metallo)		PowerDI3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN	60 V	10,3 A (Ta), 45 A (Tc)	4,5 V, 10 V	13 mOhm a 10 A, 10 V	3 V a 250 µA	55,4 nC a 10 V	±20 V	2577 pF a 30 V	-	1 W (Ta)
DMN52D0LT-7	0,3800	Richiesta di offerta	8916	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-523	DMN52	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		31-DMN52D0LT-7CT	EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	50 V	350mA(Ta)	1,8 V, 5 V	2 Ohm a 50 mA, 5 V	1,2 V a 250 µA	1,5 nC a 10 V	±12V	40 pF a 25 V	-	500mW (Ta)
DMN52D0UVA-13	0,4700	Richiesta di offerta	8081	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	DMN52	MOSFET (ossido di metallo)	480 mW	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	10.000	2 canali N (doppio)			50 V	480mA (Ta)		2 Ohm a 50 mA, 5 V	1 V a 250 µA	1,5 nC a 10 V		39 pF a 25 V	-
MBR5H150VPTR-E1	-	Richiesta di offerta	2654	Diodi incorporati	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto			Foro passante	DO-201AA, DO-27, assiale		Schottky		DO-201	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	500		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													150 V		920 mV a 5 A		8 µA a 150 V	175°C (massimo)	5A	-
BAS16T-7-F	0,4500	Richiesta di offerta	4	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOT-523	BAS16	Standard		SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													85 V		1 V a 50 mA	4nn	2 µA a 75 V	-65°C ~ 150°C	75 mA	1,5 pF a 0 V, 1 MHz
ZVP3310FTA-50	0,1328	Richiesta di offerta	9890	Diodi incorporati	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZVP3310	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento				31-ZVP3310FTA-50	EAR99	8541.21.0095	3.000			Canale P	100 V	75mA (Ta)	10 V	20 Ohm a 150 mA, 10 V	3,5 V a 1 mA		±20 V	50 pF a 25 V	-	330 mW(Ta)
FCX1047ATA	0,7100	Richiesta di offerta	57	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	FCX1047		2 W	SOT-89-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0075	1.000																							10 V	4A			10nA			NPN	350 mV a 25 mA, 5 A	300 a 1 A, 2 V	150 MHz
MBR0580S1-7	0,2900	Richiesta di offerta	299	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOD-123	MBR0580	Schottky		SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													80 V		800 mV a 500 mA		5 µA a 80 V	-55°C ~ 175°C	500mA	15 pF a 5 V, 1 MHz
DMP21D0UFB4-7B	0,3700	Richiesta di offerta	5369	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XFDFN	DMP21	MOSFET (ossido di metallo)		X2-DFN1006-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000			Canale P	20 V	770mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	495 mOhm a 400 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,54 nC a 8 V	±8 V	80 pF a 10 V	-	430 mW(Ta)
RS2MA-13	-	Richiesta di offerta	9483	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	RS2M	Standard		SMA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													1000 V		1,3 V a 1,5 A	500 n	5 µA a 1000 V	-65°C ~ 150°C	1,5 A	30 pF a 4 V, 1 MHz
BCM857BS-7-F	0,3100	Richiesta di offerta	114	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BCM857		200 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							45 V	100mA			15nA (ICBO)			2 PNP (doppio)	400 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
LZ52C12W	-	Richiesta di offerta	6543	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	±2%	-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	1206 (3216 metri)	LZ52C		500 mW	1206	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0050	5.000																	1,5 V a 200 mA		100 nA a 9,1 V									12 V	20 Ohm
SDT20120CT	0,7124	Richiesta di offerta	4224	Diodi incorporati	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3	SDT20120	Schottky		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	SDT20120CTDI	EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	120 V	10A	880 mV a 10 A		80 µA a 120 V	-55°C ~ 150°C
ZTX788B	1.0600	Richiesta di offerta	1	Diodi incorporati	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3	ZTX788		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	4.000																							15 V	3A			-			PNP	450 mV a 10 mA, 2 A	500 a 10 mA, 2 V	100 MHz