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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
ZVN4306GVTA	1.5600	Richiesta di offerta	1	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	ZVN4306	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN	60 V	2.1A (Ta)	5 V, 10 V	330 mOhm a 3 A, 10 V	3 V a 1 mA		±20 V	350 pF a 25 V	-	3 W (Ta)
MURS460C	0,4200	Richiesta di offerta	3	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AB, SMC		Standard		SMC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													600 V		1,28 V a 4 A	50 n	10 µA a 600 V	-55°C ~ 150°C	4A	40 pF a 4 V, 1 MHz
DMTH8012LK3-13	0,9100	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	DMTH8012	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	80 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	34 nC a 10 V	±20 V	1949 pF a 40 V	-	2,6 W(Ta)
DZ23C43-7-F	0,0756	Richiesta di offerta	3108	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±6,98%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000	1 paio di catodo comune																		100 nA a 35 V									43 V	100 ohm
BSS84DW-7	-	Richiesta di offerta	1390	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BSS84	MOSFET (ossido di metallo)	300 mW	SOT-363	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)			50 V	130 mA		10 Ohm a 100 mA, 5 V	2 V a 1 mA	-		45 pF a 25 V	Porta a livello logico
DMT10H017LPD-13	0,6938	Richiesta di offerta	7312	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	DMT10	MOSFET (ossido di metallo)	2,2 W (Ta), 78 W (Tc)	PowerDI5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)			100 V	54,7 A(Tc)		17,4 mOhm a 17 A, 10 V	3 V a 250 µA	28,6 nC a 10 V		1986 pF a 50 V	-
RS1KB-13	-	Richiesta di offerta	1530	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	RS1K	Standard		PMI	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													800 V		1,3 V a 1 A	500 n	5 µA a 800 V	-65°C ~ 150°C	1A	15 pF a 4 V, 1 MHz
MBRB1530CT-T	-	Richiesta di offerta	1318	Diodi incorporati	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto			Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	MBRB1530CT-T	Schottky		TO-263AB (D²PAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	800		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	30 V	15A	700 mV a 7,5 A	30 ns	100 µA a 30 V	-65°C ~ 150°C
1SMB5928B-13	0,4400	Richiesta di offerta	3417	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	1SMB5928		3 W	PMI	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,5 V a 200 mA		1 µA a 9,9 V									13 V	7 Ohm
SDMG0340L-7	-	Richiesta di offerta	9558	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	SDMG0340	Schottky		SOT-323	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													40 V		370 mV a 1 mA		1 µA a 10 V	-40°C ~ 125°C	30mA	2pF @ 1V, 1MHz
SBRT6U10LP-7	-	Richiesta di offerta	9419	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	8-PowerUDFN	SBRT6	Superbarriera		U-DFN3030-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													10 V		480 mV a 6 A		300 µA a 10 V	-55°C ~ 150°C	6A	-
DMPH6050SPDQ-13	1.1700	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	DMPH6050	MOSFET (ossido di metallo)		PowerDI5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali P (doppio)				26A (Tc)		48 mOhm a 5 A, 10 V	3 V a 250 µA	14,5 nC a 4,5 V		1525 pF a 30 V	-
BZX84C15S-7	-	Richiesta di offerta	5127	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	±6%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BZX84		200 mW	SOT-363	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000	2 Indipendente																900 mV a 10 mA		100 nA a 10,5 V									15 V	30 Ohm
MMBZ5234B-7-F	0,1700	Richiesta di offerta	388	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5234		350 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		5 µA a 4 V									6,2 V	7 Ohm
DMN1008UFDF-7	0,4800	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	DMN1008	MOSFET (ossido di metallo)		U-DFN2020-6 (Tipo F)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	12 V	12,2A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	8 mOhm a 5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	23,4 nC a 8 V	±8 V	995 pF a 6 V	-	700mW (Ta)
SDM02U30LP3-7B-2477	-	Richiesta di offerta	1733	Diodi incorporati	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta			Montaggio superficiale	0201 (0603 metrico)		Schottky		X3-DFN0603-2	-				31-SDM02U30LP3-7B-2477			1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													30 V		370 mV a 10 mA		4 µA a 30 V	-65°C ~ 150°C	100mA	-
DMP2104LP-7-52	0,1007	Richiesta di offerta	9075	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-UDFN	DMP2104	MOSFET (ossido di metallo)		X1-DFN1411-3	scaricamento				31-DMP2104LP-7-52	EAR99	8541.21.0095	3.000			Canale P	20 V	1,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	150 mOhm a 950 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA		±12V	320 pF a 16 V	-	500mW (Ta)
DDTC114GUA-7	0,1000	Richiesta di offerta	1	Diodi incorporati	*	Nastro tagliato (CT)	Attivo					DDTC114				scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1034-DDTC114GUA-7DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000
DMP2170U-7	0,3800	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP2170	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			Canale P	20 V	3.1A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	90 mOhm a 3,5 A, 4,5 V	1,25 V a 250 µA	7,8 nC a 10 V	±12V	303 pF a 10 V	-	780 mW (Ta)
B130LAW-7-F	0,3600	Richiesta di offerta	16	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOD-123	B130	Schottky		SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													30 V		420 mV a 1 A		1 mA a 30 V	-55°C ~ 125°C	1A	40 pF a 10 V, 1 MHz
DDZ24DSF-7	0,0286	Richiesta di offerta	3691	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±3%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F	DDZ24		500 mW	SOD-323F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	-DDZ24DSF-7DICT	EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		70 nA a 22,4 V									24,24 V	60 Ohm
GBU4005	1.1900	Richiesta di offerta	5611	Diodi incorporati	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBU	GBU4005	Standard		GBU	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	20																	1 V a 2 A		5 µA a 50 V		4A				Monofase	50 V
DMN3025LFDF-13	0,1257	Richiesta di offerta	6044	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	DMN3025	MOSFET (ossido di metallo)		U-DFN2020-6 (Tipo F)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10.000			CanaleN	30 V	9,9A(Ta)	4,5 V, 10 V	20,5 mOhm a 7 A, 10 V	2 V a 250 µA	13,2 nC a 10 V	±20 V	641 pF a 15 V	-	2,1 W (Ta)
HER302-T	-	Richiesta di offerta	2894	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Foro passante	DO-201AD, assiale	HER302	Standard		DO-201AD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1.200		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													100 V		1,1 V a 3 A	50 n	10 µA a 100 V	-65°C ~ 150°C	3A	-
DDZ16BSF-7	0,2100	Richiesta di offerta	3	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±3%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F	DDZ16		500 mW	SOD-323F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		70 nA a 14,5 V									15,65 V	40 Ohm
DDZ15CSF-7	0,2000	Richiesta di offerta	8	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±3%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F	DDZ15		500 mW	SOD-323F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		70 nA a 13,6 V									14,72 V	40 Ohm
SBL540	-	Richiesta di offerta	6382	Diodi incorporati	-	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-220-2		Schottky		TO-220AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													40 V		550 mV a 5 A		500 µA a 40 V	-65°C ~ 150°C	5A	-
FMMT458QTA	0,4900	Richiesta di offerta	4429	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT458		500 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																							400 V	225 mA			100 nA			NPN	500mV a 6mA, 50mA	100 a 50 mA, 10 V	50 MHz
ES2D-13-F	0,4600	Richiesta di offerta	109	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	ES2D	Standard		PMI	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													200 V		920 mV a 2 A	25 ns	5 µA a 200 V	-55°C ~ 150°C	2A	25 pF a 4 V, 1 MHz
FMMT617TA	0,4600	Richiesta di offerta	6	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT617		625 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							15 V	3A			100 nA			NPN	200 mV a 50 mA, 3 A	300 a 200 mA, 2 V	120 MHz