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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
BCX6825TA Diodes Incorporated BCX6825TA 0,4400
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 ECAD 205 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA BCX6825 1 W SOT-89-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 20 V 1A 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 100 mA, 1 A 160 a 500 mA, 1 V 100 MHz
DMN6070SSDQ-13 Diodes Incorporated DMN6070SSDQ-13 0,1710
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 ECAD 9959 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DMN6070 MOSFET (ossido di metallo) 1,2 W (Ta) 8-SO scaricamento REACH Inalterato 31-DMN6070SSDQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 60 V 2,7A(Ta) 87 mOhm a 4,5 A, 10 V 3 V a 250 µA 12,3 nC a 10 V 588 pF a 30 V -
ZXTP5240F-7 Diodes Incorporated ZXTP5240F-7 0,4000
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 ECAD 104 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTP5240 730 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 2A 100nA (ICBO) PNP 350 mV a 200 mA, 2 A 300 a 100 mA, 2 V 100 MHz
DMN2053UFDB-13 Diodes Incorporated DMN2053UFDB-13 0,0912
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 ECAD 6677 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMN2053 MOSFET (ossido di metallo) 820 mW (Ta) U-DFN2020-6 (Tipo B) scaricamento REACH Inalterato 31-DMN2053UFDB-13TR EAR99 8541.29.0095 10.000 2 canali N (doppio) 20 V 4,6A(Ta) 35 mOhm a 5 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 7,7 nC a 10 V 369 pF a 10 V -
BZX84B27Q-7-F Diodes Incorporated BZX84B27Q-7-F 0,0382
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 ECAD 3926 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 mW SOT-23-3 scaricamento REACH Inalterato 31-BZX84B27Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 18,9 V 27 V 80 Ohm
DMN4027SSS-13 Diodes Incorporated DMN4027SSS-13 -
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 ECAD 9876 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DMN4027 MOSFET (ossido di metallo) 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 6A (Ta) 4,5 V, 10 V 27 mOhm a 7 A, 10 V 3 V a 250 µA 12,9 nC a 10 V ±20 V 604 pF a 20 V - 1,56 W(Ta)
DMN65D8LT-7 Diodes Incorporated DMN65D8LT-7 0,0352
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 ECAD 7836 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-523 DMN65 MOSFET (ossido di metallo) SOT-523 scaricamento REACH Inalterato 31-DMN65D8LT-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 60 V 210mA(Ta) 5 V, 10 V 5 Ohm a 115 mA, 10 V 2 V a 250 µA 0,4 nC a 4,5 V ±20 V 24 pF a 25 V - 300 mW (Ta)
MMDT4401-7 Diodes Incorporated MMDT4401-7 -
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 ECAD 5093 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT4401 200 mW SOT-363 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 600mA - 2 NPN (doppio) 750mV a 50mA, 500mA 100 a 150 mA, 1 V 250 MHz
DDC113TU-7-F Diodes Incorporated DDC113TU-7-F 0,0756
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 ECAD 1209 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC113 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA - 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 1 mA, 10 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 1kOhm -
DMTH6010LK3-13 Diodes Incorporated DMTH6010LK3-13 1.1600
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 ECAD 1244 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 DMTH6010 MOSFET (ossido di metallo) TO-252-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 14,8 A (Ta), 70 A (Tc) 4,5 V, 10 V 8 mOhm a 20 A, 10 V 3 V a 250 µA 41,3 nC a 10 V ±20 V 2090 pF a 30 V - 3,1 W (Ta)
DMP2160UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMP2160UFDBQ-7 0,5500
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 ECAD 109 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMP2160 MOSFET (ossido di metallo) 1,4 W U-DFN2020-6 (Tipo B) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali P (doppio) 20 V 3,8 A 70 mOhm a 2,8 A, 4,5 V 900 mV a 250 µA 6,5 nC a 4,5 V 536 pF a 10 V -
DMNH4011SPSQ-13 Diodes Incorporated DMNH4011SPSQ-13 0,9700
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 ECAD 6609 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMNH4011 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 12,9 A (Ta), 100 A (Tc) 10 V 10 mOhm a 50 A, 10 V 4 V a 250 µA 25,5 nC a 10 V ±20 V 1405 pF a 20 V - 2,5 W (Ta), 150 W (Tc)
BAT54A-7-G Diodes Incorporated BAT54A-7-G -
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 ECAD 4155 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23-3 - 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-BAT54A-7-GTR OBSOLETO 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 1 paio di anodo comune 30 V 200mA 800 mV a 100 mA 5 nn 2 µA a 25 V -65°C ~ 150°C
ZXMN3A04KTC Diodes Incorporated ZXMN3A04KTC 0,9087
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 ECAD 7303 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN ZXMN3 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo B) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 12A (Ta) 4,5 V, 10 V 20 mOhm a 12 A, 10 V 1 V a 250 mA 36,8 nC a 10 V ±20 V 1890 pF a 15 V - 2,15 W(Ta)
BZX84B4V7Q-7-F Diodes Incorporated BZX84B4V7Q-7-F 0,0382
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 ECAD 6676 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 mW SOT-23-3 scaricamento REACH Inalterato 31-BZX84B4V7Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 3 µA a 2 V 4,7 V 80 Ohm
1N4148WTQ-7 Diodes Incorporated 1N4148WTQ-7 0,2200
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 ECAD 2101 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 1N4148 Standard SOD-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 80 V 1,25 V a 150 mA 4nn 1 µA a 75 V -65°C ~ 150°C 125 mA 2pF @ 0V, 1MHz
SBR40100CTFP-JT Diodes Incorporated SBR40100CTFP-JT -
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 ECAD 9367 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata SBR40100 Superbarriera ITO-220AB scaricamento 1 (illimitato) 31-SBR40100CTFP-JT EAR99 8541.10.0080 50 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 20A 820 mV a 20 A 100 µA a 100 V -65°C ~ 175°C
DMP1055USW-7 Diodes Incorporated DMP1055USW-7 0,3900
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP1055 MOSFET (ossido di metallo) SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 12 V 3,8A(Ta) 1,5 V, 4,5 V 48 mOhm a 3 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 13 nC a 4,5 V ±8 V 1028 pF a 6 V - 660 mW
BZX84C6V8-13-F-79 Diodes Incorporated BZX84C6V8-13-F-79 -
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 ECAD 4155 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZX84C6V8-13-F-79DI EAR99 8541.10.0050 10.000
DMG4932LSD-13 Diodes Incorporated DMG4932LSD-13 -
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 ECAD 4035 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DMG4932LSD MOSFET (ossido di metallo) 1,19 W 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 30 V 9,5 A 15 mOhm a 9 A, 10 V 2,4 V a 250 µA 42nC a 10 V 1932pF @ 15V Porta a livello logico
DDTC144EUA-7-F-50 Diodes Incorporated DDTC144EUA-7-F-50 0,0391
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 ECAD 1007 0.00000000 Diodi incorporati Automotive, AEC-Q101, DDTC (SERIE R1 = R2) UA Massa Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DDTC144 200 mW SOT-323 scaricamento 31-DDTC144EUA-7-F-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 68 a 5 mA, 5 V 250 MHz 47 kOhm 47 kOhm
ZXMC4A16DN8TC Diodes Incorporated ZXMC4A16DN8TC -
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 ECAD 1244 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ZXMC4A16 MOSFET (ossido di metallo) 2,1 W 8-SO scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canali N e P complementari 40 V 5,2 A (Ta), 4,7 A (Ta) 50 mOhm a 4,5 A, 10 V, 60 mOhm a 3,8 A, 10 V 1 V a 250 mA (min) 17nC a 10V 770 pF a 40 V, 1000 pF a 20 V Porta a livello logico
1SMB5939B-13 Diodes Incorporated 1SMB5939B-13 0,4400
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 ECAD 14 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale DO-214AA, PMI 1SMB5939 3 W PMI scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,5 V a 200 mA 1 µA a 29,7 V 39 V 45 Ohm
DXTP03200BP5Q-13 Diodes Incorporated DXTP03200BP5Q-13 0,2363
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 ECAD 4744 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale PowerDI™5 740 mW PowerDI™5 scaricamento REACH Inalterato 31-DXTP03200BP5Q-13TR EAR99 8541.21.0075 5.000 200 V 2A 50nA (ICBO) PNP 275 mV a 400 mA, 2 A 100 a 1 A, 5 V 105 MHz
DMPH6050SPD-13 Diodes Incorporated DMPH6050SPD-13 1.0600
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMPH6050 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali P (doppio) 26A (Tc) 48 mOhm a 5 A, 10 V 3 V a 250 µA 14,5 nC a 4,5 V 1525 pF a 30 V -
HS1D-13 Diodes Incorporated HS1D-13 0,3600
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 ECAD 5 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA HS1D Standard SMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 1,1 V a 1 A 15 ns 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 1A 16 pF a 4 V, 1 MHz
DMP4065S-13-52 Diodes Incorporated DMP4065S-13-52 0,1411
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 ECAD 5852 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP4065 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento 31-DMP4065S-13-52 EAR99 8541.29.0095 10.000 Canale P 40 V 2,4A(Ta) 4,5 V, 10 V 80 mOhm a 4,2 A, 10 V 3 V a 250 µA 12,2 nC a 10 V ±20 V 587 pF a 20 V - 720 mW
DDTD123EC-7-F Diodes Incorporated DDTD123EC-7-F 0,0531
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 ECAD 7160 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTD123 200 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 39 a 50 mA, 5 V 200 MHz 2,2 kOhm 2,2 kOhm
DMP22D6UT-7 Diodes Incorporated DMP22D6UT-7 0,5200
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 ECAD 40 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-523 DMP22 MOSFET (ossido di metallo) SOT-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 430mA (Ta) 1,8 V, 4,5 V 1,1 Ohm a 430 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA ±8 V 175 pF a 16 V - 150mW (Ta)
SDT15150VP5-7 Diodes Incorporated SDT15150VP5-7 0,2610
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 ECAD 8782 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale PowerDI™5 Schottky PowerDI™5 scaricamento REACH Inalterato 31-SDT15150VP5-7TR EAR99 8541.10.0080 1.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 1 V a 15 A 80 µA a 150 V -55°C ~ 150°C 15A -
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AD9208BBPZ-3000

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