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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SF20BG-T | - | ![]() | 3515 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | Standard | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 950 mV a 2 A | 35 ns | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 2A | 75 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3731UFB4-7B | 0,3000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XFDFN | DMN3731 | MOSFET (ossido di metallo) | X2-DFN1006-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | CanaleN | 30 V | 1,2A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 460 mOhm a 200 mA, 4,5 V | 950 mV a 250 µA | 5,5 nC a 4,5 V | ±8 V | 73 pF a 25 V | - | 520 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||
| BSN20-7 | 0,3300 | ![]() | 148 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSN20 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 50 V | 500mA (Ta) | 4,5 V, 10 V | 1,8 Ohm a 220 mA, 10 V | 1,5 V a 250 µA | 0,8 nC a 10 V | ±20 V | 40 pF a 10 V | - | 600mW(Ta) | |||||||||||||||||||||||||||
| BCP5616TQTA | 0,1125 | ![]() | 6637 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | BCP5616 | 2,5 W | SOT-223-3 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-BCP5616TQTATR | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV a 50mA, 500mA | 100 a 150 mA, 2 V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FMMT493ATC | - | ![]() | 3338 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FMMT493A | 500 mW | SOT-23-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 60 V | 1A | 100 nA | NPN | 500 mV a 100 mA, 1 A | 300 a 250 mA, 10 V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH8030LPDWQ-13 | 0,3826 | ![]() | 1721 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | DMTH8030 | MOSFET (ossido di metallo) | 3,1 W (Ta), 41 W (Tc) | PowerDI5060-8 (tipo UXD) | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMTH8030LPDWQ-13TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canali N (doppio) | 80 V | 28,5 A(Tc) | 26 mOhm a 10 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 10,4 nC a 10 V | 631 pF a 40 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBG2035CT-TF | 1.3200 | ![]() | 716 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro tagliato (CT) | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTB142TU-7-F | - | ![]() | 5483 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | DDTB142 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500nA (ICBO) | PNP - Prepolarizzato | 300 mV a 2,5 mA, 50 mA | 100 a 5 mA, 5 V | 200 MHz | 470 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5248BS-7-F | 0,4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5248 | 200 mW | SOT-363 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Indipendente | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 14 V | 18 V | 21 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5259BS-7-F | 0,2800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | MMSZ5259 | 200 mW | SOD-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 30 V | 39 V | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1DB-13-G | - | ![]() | 7639 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | RS1DB-13-GDI | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR3U150LP-7 | 0,3480 | ![]() | 6138 | 0.00000000 | Diodi incorporati | SBR® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 8-PowerUDFN | SBR3U150 | Superbarriera | U-DFN3030-8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 910 mV a 3 A | 2 mA a 150 V | -65°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2DB1386Q-13 | 0,2093 | ![]() | 6933 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 2DB1386 | 1 W | SOT-89-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 V | 5A | 500nA (ICBO) | PNP | 1 V a 100 mA, 4 A | 120 a 500 mA, 2 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5242B-7 | - | ![]() | 4981 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | MMSZ5242B | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 1 µA a 9,1 V | 12 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR1045SP5-13 | 0,8400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automotive, AEC-Q101, SBR® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | PowerDI™5 | SBR1045 | Superbarriera | PowerDI™5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 45 V | 550 mV a 10 A | 450 µA a 45 V | -65°C ~ 150°C | 10A | 500 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR3040CTFP | 1.6200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Diodi incorporati | SBR® | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | SBR3040 | Superbarriera | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 15A | 550 mV a 15 A | 500 µA a 40 V | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1G-13 | - | ![]() | 8978 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | S1G | Standard | SMA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 1 A | 3 µs | 5 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 10 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX653STZ | 0,8600 | ![]() | 8840 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | E-Line-3, formati lead | ZTX653 | 1 W | E-Line (compatibile con TO-92) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 100 V | 2A | 100nA (ICBO) | NPN | 500 mV a 200 mA, 2 A | - | 175 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBZ5242BQ-7-F | 0,1900 | ![]() | 5794 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 1 µA a 9,1 V | 12 V | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3110LCP3-7 | - | ![]() | 8071 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XFDFN | DMN3110 | MOSFET (ossido di metallo) | X2-DFN1006-3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 3,2A(Ta) | 1,8 V, 8 V | 69 mOhm a 500 mA, 8 V | 1,1 V a 250 µA | 1,52 nC a 4,5 V | 12V | 150 pF a 15 V | - | 1,38 W | ||||||||||||||||||||||||||
| FZT968TA | 0,9900 | ![]() | 93 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | FZT968 | 3 W | SOT-223-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 12 V | 6A | 10nA (ICBO) | PNP | 450 mV a 250 mA, 6 A | 300 a 500 mA, 1 V | 80 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MMST5551-7-F | 0,3200 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | MMST5551 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 160 V | 200 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 200 mV a 5 mA, 50 mA | 80 a 10 mA, 5 V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DZ23C6V2-7 | - | ![]() | 9084 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23C6V2 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 paio di catodo comune | 6,2 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMC3A16DN8QTA | 1.1233 | ![]() | 5272 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ZXMC3 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,25 W(Ta) | 8-SO | - | REACH Inalterato | 31-ZXMC3A16DN8QTATR | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canali N e P complementari | 30 V | 6,4 A (Ta), 5,4 A (Ta) | 35 mOhm a 9 A, 10 V, 48 mOhm a 4,2 A, 10 V | 1 V a 250 µA | 17,5 nC a 10 V, 24,9 nC a 10 V | 796pF a 25V, 970pF a 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDA143TK-7-F | - | ![]() | 3174 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | DDA143 | 300 mW | SOT-26 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100mA | - | 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 300 mV a 250 µA, 2,5 mA | 100 a 1 mA, 5 V | 250 MHz | 4,7 kOhm | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVP2120ASTOA | - | ![]() | 5514 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | E-Line-3 | ZVP2120 | MOSFET (ossido di metallo) | E-Line (compatibile con TO-92) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | Canale P | 200 V | 120mA (Ta) | 10 V | 25 Ohm a 150 mA, 10 V | 3,5 V a 1 mA | ±20 V | 100 pF a 25 V | - | 700mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN62D0SFD-7 | 0,4700 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-UDFN | DMN62 | MOSFET (ossido di metallo) | X1-DFN1212-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 540mA(Ta) | 5 V, 10 V | 2 Ohm a 500 mA, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 0,87 nC a 10 V | ±20 V | 30,2 pF a 25 V | - | 430 mW(Ta) | ||||||||||||||||||||||||||
| DT955-7 | 0,4200 | ![]() | 900 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | DT955 | SOT-223-3 | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSTA63-7 | 0,4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD4448DW-7 | - | ![]() | 8391 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBD4448DW | Standard | SOT-363 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 2 Indipendente | 75 V | 250 mA | 1,25 V a 150 mA | 4nn | 2,5 µA a 75 V | -65°C ~ 150°C |

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