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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
STPR1240	0,6900	Richiesta di offerta	48	Diodi incorporati	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3		Standard		TO220AB (Tipo WX)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-STPR1240	EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	400 V	6A	1,3 V a 6 A	35 ns	10 µA a 400 V	-55°C ~ 150°C
DDZX33-13	0,0321	Richiesta di offerta	8099	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±3%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDZX33		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	DDZX33-13DI	EAR99	8541.10.0050	10.000																	900 mV a 10 mA		50 nA a 27 V									33 V	75 Ohm
SMAZ20-13	-	Richiesta di offerta	7139	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	SMAZ20		1 W	SMA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	5.000																	1,2 V a 200 mA		500 nA a 15,2 V									20 V	15 Ohm
MB1505W	-	Richiesta di offerta	7042	Diodi incorporati	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 quadrati, MB-W		Standard		MB-W	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	MB1505WDI	EAR99	8541.10.0080	100																	1,1 V a 7,5 A		10 µA a 50 V		15A				Monofase	50 V
GBP306	0,5800	Richiesta di offerta	35	Diodi incorporati	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBP		Standard		Sterlina inglese	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-306 GBP	EAR99	8541.10.0080	35																	1,05 V a 1,5 A		5 µA a 600 V		3A				Monofase	600 V
DMTH8008SFGQ-13	0,5557	Richiesta di offerta	3773	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN		MOSFET (ossido di metallo)		PowerDI3333-8	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMTH8008SFGQ-13TR	EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN	80 V	17A (Ta), 68A (Tc)	6 V, 10 V	7 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 1 mA	31,7 nC a 10 V	±20 V	1945 pF a 40 V	-	1,2 W (Ta), 50 W (Tc)
SDT5100LP5-7	0,4100	Richiesta di offerta	1	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	PowerDI™5	SDT5100	Schottky		PowerDI™5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	1.500		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													100 V		820 mV a 5 A		4 µA a 100 V	-55°C ~ 150°C	5A	-
DCX123JUQ-7-F	0,0660	Richiesta di offerta	4860	Diodi incorporati	Automotive, AEC-Q101, DCX (XXXX) U	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DCX123		200 mW	SOT-363	scaricamento			REACH Inalterato	31-DCX123JUQ-7-FTR	EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100mA			500nA (ICBO)			1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	2,2 kOhm	47kOhm
DMN60H3D5SK3-13	-	Richiesta di offerta	1619	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	DMN60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252, (D-Pak)	-	Conformità ROHS3		RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	600 V	2,8 A(Tc)	10 V	3,5 Ohm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	12,6 nC a 10 V	±30 V	354 pF a 25 V	-	41 W (Tc)
BZX84C33S-7-F	0,0756	Richiesta di offerta	1774	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±6,06%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BZX84		200 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	BZX84C33S-FDITR	EAR99	8541.10.0050	3.000	2 Indipendente																900 mV a 10 mA		100 nA a 23,1 V									33 V	80 Ohm
SDM10K45-7-F-79	-	Richiesta di offerta	3926	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	SDM10	Schottky		SOD-323	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-SDM10K45-7-F-79TR	EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													45 V		450 mV a 10 mA		1 µA a 10 V	-40°C~150°C	100mA	6 pF a 10 V, 1 MHz
BZX84C22TS-7-F	-	Richiesta di offerta	7806	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±6%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BZX84		200 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000	3 Indipendente																900 mV a 10 mA		100 nA a 15,4 V									22 V	55 Ohm
DMP2066LDMQ-7	0,1465	Richiesta di offerta	6922	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	DMP2066	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-26	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P	20 V	4,6A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	40 mOhm a 4,6 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	10,1 nC a 4,5 V	±12V	820 pF a 15 V	-	1,25 W(Ta)
DMN3270UVT-13	0,1201	Richiesta di offerta	7839	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	DMN3270	MOSFET (ossido di metallo)	760 mW(Ta)	TSOT-26	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000	2 canali N (doppio)			30 V	1,6A(Ta)		270 mOhm a 650 mA, 4,5 V	900 mV a 40 µA	3,07 nC a 4,5 V		161 pF a 15 V	-
DDZ33S-7	0,4500	Richiesta di offerta	5	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2,5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	DDZ33		200 mW	SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		50 nA a 27 V									33 V	75 Ohm
BC847PN-7-F	0,3400	Richiesta di offerta	1134	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		200 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							45 V	100mA			15nA (ICBO)			PNP, PNP	600 mV a 5 mA, 100 mA / 650 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V / 220 a 2 mA, 5 V	300 MHz, 200 MHz
BZT52HC13WFQ-7	0,0662	Richiesta di offerta	9381	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo	±5,68%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-123F	BZT52		375 mW	SOD-123F	scaricamento				31-BZT52HC13WFQ-7	EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 8 V									13 V	10 Ohm
ZTX855	1.0200	Richiesta di offerta	7432	Diodi incorporati	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3			1,2 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0075	4.000																							150 V	4A			50nA (ICBO)			NPN	260 mV a 400 mA, 4 A	100 a 1 A, 5 V	90 MHz
PDS1040L-13	0,9900	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	PowerDI™5	PDS1040	Schottky		PowerDI™5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													40 V		490 mV a 10 A		600 µA a 40 V	-65°C ~ 150°C	10A	-
RS1J-13-G	-	Richiesta di offerta	3924	Diodi incorporati	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	RS1J-13-GDI	EAR99	8541.10.0080	5.000
DMN3005LK3-13	-	Richiesta di offerta	3496	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	DMN3005	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	30 V	14,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	5 mOhm a 20 A, 10 V	2 V a 250 µA	46,9 nC a 4,5 V	±20 V	4342 pF a 15 V	-	1,68 W(Ta)
BAV16WS-7	-	Richiesta di offerta	8689	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	BAV16	Standard		SOD-323	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													75 V		1,25 V a 150 mA	4nn	1 µA a 75 V	-65°C ~ 150°C	150mA	2pF @ 0V, 1MHz
2N7002-7-F	0,1900	Richiesta di offerta	1	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	60 V	115mA (Ta)	5 V, 10 V	7,5 Ohm a 50 mA, 5 V	2,5 V a 250 µA		±20 V	50 pF a 25 V	-	370 mW (Ta)
DMS3015SSS-13	0,4400	Richiesta di offerta	17	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	DMS3015	MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	30 V	11A (Ta)	4,5 V, 10 V	11,9 mOhm a 11 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	30,6 nC a 10 V	±12V	1276 pF a 15 V	Diodo Schottky (corpo)	1,55 W(Ta)
MMBZ5227B-7-F-79	-	Richiesta di offerta	1856	Diodi incorporati	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MMBZ5227B-7-F-79DI	EAR99	8541.10.0050	3.000
DMN95H8D5HCT	-	Richiesta di offerta	5448	Diodi incorporati	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	DMN95	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	950 V	2,5 A (TC)	10 V	7 Ohm a 1 A, 10 V	5 V a 250 µA	7,9 nC a 10 V	±30 V	470 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
DMC3025LNS-13	0,2138	Richiesta di offerta	3806	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	DMC3025	MOSFET (ossido di metallo)	1,2 W (Ta)	PowerDI3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P complementari			30 V	7,2 A(Ta), 6,8 A(Ta)		25 mOhm a 7 A, 10 V, 28 mOhm a 7 A, 10 V	2 V a 250 µA	4,6 nC a 4,5 V, 9,5 nC a 4,5 V		500pF a 15V, 1188pF a 15V	-
DMN3003LCA8-7	-	Richiesta di offerta	8371	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, senza piombo	DMN3003	MOSFET (ossido di metallo)	1,4 W	X2-TSN6025-8	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMN3003LCA8-7TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	Scarico comune a 2 canali N (doppio).			30 V	25A (Ta)		2,6 mOhm a 10 A, 10 V	2,2 V a 1 mA	45,5 nC a 4,5 V		3722pF a 15V	-
DDTC114WE-7	0,3500	Richiesta di offerta	3	Diodi incorporati	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo					DDTC114				scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
ZXMN10A11K	-	Richiesta di offerta	3490	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	100 V	2,4A(Ta)	6 V, 10 V	350 mOhm a 2,6 A, 10 V	4 V a 250 µA	5,4 nC a 10 V	±20 V	274 pF a 50 V	-	2,11 W (Ta)