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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
DMN2022UDH-7	0,2308	Richiesta di offerta	6916	Diodi incorporati	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo					DMN2022	-			-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato			0000.00.0000	3.000												-
2N7002E-7-F	0,2800	Richiesta di offerta	1763	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	60 V	250mA (Ta)	4,5 V, 10 V	3 Ohm a 250 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	0,22 nC a 4,5 V	±20 V	50 pF a 25 V	-	370 mW (Ta)
DDZ9687Q-13	-	Richiesta di offerta	6457	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-123	DDZ9687		500 mW	SOD-123	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-DDZ9687Q-13TR	EAR99	8541.10.0050	10.000																	900 mV a 10 mA		4 µA a 2 V									4,3 V
APT13005DI-G1	-	Richiesta di offerta	9594	Diodi incorporati	-	Massa	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	APT13005		25 W	TO-251	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	3.600																							450 V	4A			-		NPN	900 mV a 1 A, 4 A	8 a 2 A, 5 V	4 MHz
ZXTP25100CZTA	0,5700	Richiesta di offerta	46	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	ZXTP25100		2,4 W	SOT-89-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																							100 V	1A			50nA (ICBO)		PNP	225 mV a 100 mA, 1 A	200 a 10 mA, 2 V	180 MHz
ZTX948STZ	0,4970	Richiesta di offerta	5837	Diodi incorporati	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX948		1,2 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0075	2.000																							20 V	4,5 A			50nA (ICBO)		PNP	310 mV a 300 mA, 5 A	100 a 1 A, 1 V	80 MHz
ZTX605STZ	0,3682	Richiesta di offerta	2638	Diodi incorporati	-	Nastro e scatola (TB)	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX605		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000																							120 V	1A			10 µA		NPN-Darlington	1,5 V a 1 mA, 1 A	2000 a 1 A, 5 V	150 MHz
ZTX757STOA	-	Richiesta di offerta	4758	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX757		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000																							300 V	500 mA			100nA (ICBO)		PNP	500mV a 10mA, 100mA	50 a 100 mA, 5 V	30 MHz
DXT5616U	-	Richiesta di offerta	5715	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3			1,3 W	TO-126	-		1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	31-DXT5616U	EAR99	8541.29.0075	65																							80 V	1A			100nA (ICBO)		NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	150 MHz
MMBTA42-7	-	Richiesta di offerta	6227	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA42		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																							300 V	500 mA			100nA (ICBO)		NPN	500 mV a 2 mA, 20 mA	40 a 30 mA, 10 V	50 MHz
ZTX1051A	1.0600	Richiesta di offerta	799	Diodi incorporati	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3	ZTX1051		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	ZTX1051A-NDR	EAR99	8541.29.0075	4.000																							40 V	4A			10nA		NPN	210 mV a 100 mA, 4 A	300 a 1 A, 2 V	155 MHz
BCP5616TA	0,4300	Richiesta di offerta	9949	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BCP5616		2 W	SOT-223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																							80 V	1A			100nA (ICBO)		NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	150 MHz
MBRM5100-13-F	-	Richiesta di offerta	3346	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	Powermite®3	MBRM5100	Schottky		Powermite 3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													100 V		810 mV a 5 A		200 µA a 100 V	-65°C ~ 125°C	5A	-
US1J-13	-	Richiesta di offerta	5193	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	US1J	Standard		SMA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													600 V		1,7 V a 1 A	75 ns	5 µA a 600 V	-65°C ~ 150°C	1A	10 pF a 4 V, 1 MHz
MMDT2227M-7	0,4600	Richiesta di offerta	20	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	MMDT2227		300 mW	SOT-26	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							40 V, 60 V	600mA			10nA (ICBO)		PNP, PNP	1 V a 50 mA, 500 mA / 1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	300 MHz, 200 MHz
DMC1028UVT-7	0,1561	Richiesta di offerta	8306	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	DMC1028	MOSFET (ossido di metallo)	800 mW	TSOT-26	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMC1028UVT-7TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P complementari			12V, 20V	6,1 A (Ta), 3,5 A (Ta)		25 mOhm a 5,2 A, 4,5 V, 80 mOhm a 3,8 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	18,5 nC a 8 V, 11,5 nC a 8 V		787pF a 6 V, 576pF a 10 V	-
FZT689BTC	-	Richiesta di offerta	7000	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	FZT689		2 W	SOT-223-3	scaricamento		1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0075	4.000																							20 V	3A			100nA (ICBO)		NPN	450 mV a 20 mA, 3 A	400 a 2 A, 2 V	150 MHz
ZTX601ASTOB	-	Richiesta di offerta	8594	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX601		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000																							160 V	1A			10 µA		NPN-Darlington	1,2 V a 10 mA, 1 A	2000 a 500 mA, 10 V	250 MHz
BAT54SW-7-F-2477	-	Richiesta di offerta	8389	Diodi incorporati	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta			Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323		Schottky		SOT-323	-				31-BAT54SW-7-F-2477			1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												Connessione in serie da 1 paio	30 V	200mA	1 V a 100 mA	5 nn	2 µA a 25 V	-65°C ~ 125°C
ZTX1047ASTOA	-	Richiesta di offerta	6239	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX1047A		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	4.000																							10 V	4A			10nA		NPN	190 mV a 20 mA, 4 A	300 a 1 A, 2 V	150 MHz
DCX4710H-7	-	Richiesta di offerta	8577	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	DCX4710		150 mW	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100mA			500nA		1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	250 mV a 300 µA, 10 mA	35 a 5 mA, 5 V / 80 a 5 mA, 5 V	250 MHz	10kOhm	10kOhm, 47kOhm
DCX115EU-7-F	0,4300	Richiesta di offerta	552	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DCX115		200 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100mA			500nA		1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 500 µA, 10 mA	82 a 5 mA, 5 V	250 MHz	100kOhm	100kOhm
DMC2025UFDB-13	0,1096	Richiesta di offerta	8820	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	DMC2025	MOSFET (ossido di metallo)	700mW (Ta)	U-DFN2020-6 (Tipo B)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000	Canali N e P complementari			20 V	6A(Ta), 3,5A(Ta)		25 mOhm a 4 A, 4,5 V, 75 mOhm a 2,9 A, 4,5 V	1 V a 250 µA, 1,4 V a 250 µA	12,3 nC a 10 V, 15 nC a 8 V		486pF a 10 V, 642pF a 10 V	-
DMN2025UFDF-13	0,0998	Richiesta di offerta	7380	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	DMN2025	MOSFET (ossido di metallo)		U-DFN2020-6 (Tipo F)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000			CanaleN	20 V	6,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	25 mOhm a 4 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	12,3 nC a 10 V	±10 V	486 pF a 10 V	-	700mW (Ta)
B1100B-13-F	0,4300	Richiesta di offerta	106	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	B1100	Schottky		PMI	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													100 V		790 mV a 1 A		500 µA a 100 V	-65°C ~ 150°C	1A	80 pF a 4 V, 1 MHz
DF15005M	-	Richiesta di offerta	4657	Diodi incorporati	-	Tubo	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-EDIP (0,300", 7,62 mm)	DF15005	Standard		DFM	scaricamento		1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	50																	1,1 V a 1,5 A		10 µA a 50 V		1,5 A				Monofase	50 V
DMP3120L-7	-	Richiesta di offerta	9252	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP3120	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P	30 V	2,8A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	120 mOhm a 2,8 A, 4,5 V	1,4 V a 250 µA	6,7 nC a 10 V	±12V	285 pF a 15 V	-	1,4 W(Ta)
DMNH3010LK3-13	0,3197	Richiesta di offerta	3705	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	DMNH3010	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	30 V	15A (Ta), 55A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,5 mOhm a 18 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±20 V	2075 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
DMTH4005SPSQ-13	1.2500	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	DMTH4005	MOSFET (ossido di metallo)		PowerDI5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	40 V	20,9 A (Ta), 100 A (Tc)	10 V	3,7 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 250 µA	49,1 nC a 10 V	±20 V	3062 pF a 20 V	-	2,6 W (Ta), 150 W (Tc)