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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (Max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2) Condizione del rapporto di capacità D@Vr, F
DMC25D1UVT-7 Diodes Incorporated DMC25D1UVT-7 0,3900
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 DMC25 MOSFET (ossido di metallo) 1,3 W TSOT-26 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canali N e P 25 V, 12 V 500 mA, 3,9 A 4 Ohm a 400 mA, 4,5 V 1,5 V a 250 µA 0,9 nC a 10 V 27,6 pF a 10 V -
SD101CW-13 Diodes Incorporated SD101CW-13 -
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 ECAD 2038 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale SOD-123 SD101C Schottky SOD-123 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 10.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 40 V 900 mV a 15 mA 1 ns 200 nA a 30 V -65°C ~ 125°C 15 mA 2,2 pF a 0 V, 1 MHz
DSS20200L-7 Diodes Incorporated DSS20200L-7 0,3500
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 ECAD 3999 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DSS20200 600 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 20 V 2A 100nA (ICBO) PNP 180 mV a 200 mA, 2 A 180 a 1 A, 2 V 100 MHz
DDZ9701Q-7 Diodes Incorporated DDZ9701Q-7 0,0386
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 ECAD 9792 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 DDZ9701 500 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 50 nA a 10,6 V 14 V
DDC114EU-7-F Diodes Incorporated DDC114EU-7-F 0,0628
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 ECAD 7153 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC114 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 500nA 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 500 µA, 10 mA 30 a 5 mA, 5 V 250 MHz 10kOhm 10kOhm
MMBD2004SW-7-F Diodes Incorporated MMBD2004SW-7-F 0,0851
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 ECAD 1782 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 MMBD2004 Standard SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 240 V 225 mA (CC) 1 V a 100 mA 50 n 100 nA a 240 V -65°C ~ 150°C
DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated DMN1029UFDB-7 0,4600
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 ECAD 168 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMN1029 MOSFET (ossido di metallo) 1,4 W U-DFN2020-6 (Tipo B) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 12V 5,6 A 29 mOhm a 5 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 19,6 nC a 8 V 914 pF a 6 V -
ZMV934ATC Diodes Incorporated ZMV934ATC -
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 ECAD 9978 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 ZMV934 SOD-323 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 25 pF a 4 V, 50 MHz Separare 12 V - 80 a 4 V, 50 MHz
BCP5110TA Diodes Incorporated BCP5110TA 0,1000
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 ECAD 5442 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA BCP5110 2 W SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 45 V 1A 100nA (ICBO) PNP 500mV a 50mA, 500mA 63 a 150 mA, 2 V 150 MHz
DZ9F24S92-7 Diodes Incorporated DZ9F24S92-7 0,2200
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 ECAD 30 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-923 DZ9F24 200 mW SOD-923 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 18,9 V 24 V 70 Ohm
SDT8A100P5-7 Diodes Incorporated SDT8A100P5-7 0,6000
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 ECAD 54 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale PowerDI™5 SDT8A100 Schottky PowerDI™5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 1.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 700 mV a 8 A 100 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 8A -
2DB1132R-13 Diodes Incorporated 2DB1132R-13 0,4600
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 2DB1132 1 W SOT-89-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.500 32 V 1A 500nA (ICBO) PNP 500mV a 50mA, 500mA 180 a 100 mA, 3 V 190 MHz
DMS2220LFDB-7 Diodes Incorporated DMS2220LFDB-7 0,1628
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 ECAD 6565 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMS2220 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo B) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato -DMS2220LFDB-7DITR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 20 V 3,5A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 95 mOhm a 2,8 A, 4,5 V 1,3 V a 250 µA ±12V 632 pF a 10 V - 1,4 W(Ta)
DTH3006FP Diodes Incorporated DTH3006FP 1.4500
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 ECAD 43 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 Confezione completa, scheda isolata Standard ITO-220AC (Tipo WX) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-DTH3006FP EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 2,4 V a 30 A 45 ns 100 µA a 600 V -55°C ~ 175°C 30A 160 pF a 4 V, 1 MHz
DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated DMN2016LFG-7 0,6500
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 ECAD 24 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerUDFN DMN2016 MOSFET (ossido di metallo) 770 mW U-DFN3030-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Scarico comune a 2 canali N (doppio). 20 V 5.2A 18 mOhm a 6 A, 4,5 V 1,1 V a 250 µA 16nC a 4,5 V 1472 pF a 10 V Porta a livello logico
PDS360-13 Diodes Incorporated PDS360-13 1.1900
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 ECAD 47 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale PowerDI™5 PDS360 Schottky PowerDI™5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 620 mV a 3 A 150 µA a 60 V -65°C ~ 150°C 3A -
1N4935L-T Diodes Incorporated 1N4935L-T -
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 ECAD 6210 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4935 Standard DO-41 scaricamento 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 1,2 V a 1 A 200 n 5 µA a 200 V -65°C ~ 150°C 1A 15 pF a 4 V, 1 MHz
DDTB114EU-7-F Diodes Incorporated DDTB114EU-7-F -
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 ECAD 9929 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DDTB114 200 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 56 a 50 mA, 5 V 200 MHz 10 kOhm 10 kOhm
BCP5616TA Diodes Incorporated BCP5616TA 0,4300
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 ECAD 9949 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA BCP5616 2 W SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 80 V 1A 100nA (ICBO) NPN 500mV a 50mA, 500mA 100 a 150 mA, 2 V 150 MHz
SBR1A40S3-7 Diodes Incorporated SBR1A40S3-7 0,4200
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 ECAD 22 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 SBR1A40 Superbarriera SOD-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 550 mV a 1 A 100 µA a 40 V -65°C ~ 150°C 1A -
ZXTN25020DFHTA Diodes Incorporated ZXTN25020DFHTA 0,5600
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN25020 1,25 W SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 20 V 4,5 A 50nA (ICBO) NPN 265 mV a 90 mA, 4,5 A 300 a 10 mA, 2 V 215 MHz
DMT6010LFG-7 Diodes Incorporated DMT6010LFG-7 0,8600
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 ECAD 1013 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMT6010 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 60 V 13A (Ta), 30A (Tc) 4,5 V, 10 V 7,5 mOhm a 20 A, 10 V 2 V a 250 µA 41,3 nC a 10 V ±20 V 2090 pF a 30 V - 2,2 W (Ta), 41 W (Tc)
DMN3270UVT-7 Diodes Incorporated DMN3270UVT-7 0,1366
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 ECAD 1849 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 DMN3270 MOSFET (ossido di metallo) 760 mW(Ta) TSOT-26 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canali N (doppio) 30 V 1,6A(Ta) 270 mOhm a 650 mA, 4,5 V 900 mV a 40 µA 3,07 nC a 4,5 V 161 pF a 15 V -
DSS3540MQ-7B Diodes Incorporated DSS3540MQ-7B 0,3800
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 ECAD 3913 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-UFDFN 400 mW X1-DFN1006-3 scaricamento 31-DSS3540MQ-7B EAR99 8541.21.0075 10.000 40 V 500 mA 100 nA PNP 350mV a 50mA, 500mA 200 a 10 mA, 2 V 100 MHz
DDTA124GKA-7-F Diodes Incorporated DDTA124GKA-7-F -
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 ECAD 7334 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA124 200 mW SC-59-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 56 a 5 mA, 5 V 250 MHz 22 kOhm
DDZ9696T-7 Diodes Incorporated DDZ9696T-7 0,0840
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 ECAD 6095 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 DDZ9696 150 mW SOD-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 6,9 V 9,1 V
ZTX688B Diodes Incorporated ZTX688B -
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 ECAD 9134 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Interrotto alla SIC -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante E-Line-3 ZTX688B 1 W E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 4.000 12 V 3A 100nA (ICBO) NPN 350 mV a 20 mA, 3 A 500 a 100 mA, 2 V 150 MHz
SF10FG-B Diodes Incorporated SF10FG-B -
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 ECAD 5719 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 300 V 1,3 V a 1 A 40 ns 10 µA a 300 V -65°C ~ 150°C 1A 75 pF a 4 V, 1 MHz
DMTH48M3SFVW-7 Diodes Incorporated DMTH48M3SFVW-7 0,2217
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 ECAD 8551 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale, fianco bagnabile 8-PowerVDFN MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX scaricamento REACH Inalterato 31-DMTH48M3SFVW-7TR EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 40 V 14,6 A(Ta), 52,4 A(Tc) 10 V 8,9 mOhm a 20 A, 10 V 4 V a 250 µA 12,1 nC a 10 V ±20 V 897 pF a 20 V - 2,82 W (Ta), 36,6 W (Tc)
FES1DE Diodes Incorporated FES1DE 0,3400
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 ECAD 7 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AA Standard DO-219AA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 2.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 920 mV a 1 A 25 ns 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 1A 20 pF a 4 V, 1 MHz
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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