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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - CC inversa (Vr) (max) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
DMP2004TK-7-79 Diodes Incorporated DMP2004TK-7-79 -
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 ECAD 8088 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-523 DMP2004 MOSFET (ossido di metallo) SOT-523 - 31-DMP2004TK-7-79 EAR99 8541.21.0095 1 Canale P 20 V 430mA(Ta) 1,8 V, 4,5 V 1,1 Ohm a 430 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA 0,97 nC a 8 V ±8 V 47 pF a 16 V - 230 mW (Ta)
DMTH6016LSDQ-13 Diodes Incorporated DMTH6016LSDQ-13 1.1400
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 ECAD 16 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DMTH6016 MOSFET (ossido di metallo) 1,4 W, 1,9 W 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 60 V 7,6A(Ta) 19,5 mOhm a 10 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 17nC a 10V 864 pF a 30 V -
ZUMT618TA Diodes Incorporated ZUMT618TA 0,3900
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 ECAD 26 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 ZUMT618 385 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 20 V 1,25 A 10nA NPN 250 mV a 50 mA, 1,25 A 200 a 500 mA, 2 V 210 MHz
BAS299-7 Diodes Incorporated BAS299-7 0,3400
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 ECAD 5 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS299 Standard SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 1,25 V a 300 mA 6 ns 1 µA a 100 V -65°C ~ 150°C 430 mA 3pF @ 0V, 1MHz
DMT10H032LFDF-7 Diodes Incorporated DMT10H032LFDF-7 0,2915
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 ECAD 7648 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMT10 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo F) scaricamento REACH Inalterato 31-DMT10H032LFDF-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 100 V 6A (Ta) 4,5 V, 10 V 32 mOhm a 6 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 11,9 nC a 10 V ±20 V 683 pF a 50 V - 1,3 W(Ta)
ZVP4105ASTOB Diodes Incorporated ZVP4105ASTOB -
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 ECAD 8675 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante E-Line-3 MOSFET (ossido di metallo) E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 Canale P 50 V 175mA(Ta) 5 V 10 Ohm a 100 mA, 5 V 2 V a 1 mA ±20 V 40 pF a 25 V - 625 mW(Ta)
B260AE-13 Diodes Incorporated B260AE-13 0,3800
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 ECAD 7756 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA B260 Schottky SMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 650 mV a 2 A 200 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 2A 75 pF a 4 V, 1 MHz
B170B-13 Diodes Incorporated B170B-13 -
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 ECAD 1294 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AA, PMI B170 Schottky PMI scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 70 V 790 mV a 1 A 500 µA a 70 V -65°C ~ 150°C 1A 80 pF a 4 V, 1 MHz
MMST2907A-7-F Diodes Incorporated MMST2907A-7-F 0,2800
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 ECAD 21 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 MMST2907 200 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 600 mA 10nA (ICBO) PNP 1,6 V a 50 mA, 500 mA 100 a 150 mA, 10 V 200 MHz
MMBZ5236B-7 Diodes Incorporated MMBZ5236B-7 -
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 ECAD 1942 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5236B 350 mW SOT-23-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 3 µA a 6 V 7,5 V 6 Ohm
DMN2040U-13 Diodes Incorporated DMN2040U-13 0,3900
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 ECAD 9 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2040 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 CanaleN 20 V 6A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 25 mOhm a 8,2 A, 4,5 V 1,2 V a 250 µA 7,5 nC a 4,5 V ±12V 667 pF a 10 V - 800 mW (Ta)
BZT52C16TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C16TQ-7-F 0,2700
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 ECAD 3413 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,63% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BZT52 300 mW SOD-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 11,2 V 16 V 40 Ohm
BAS40-7-F-31 Diodes Incorporated BAS40-7-F-31 -
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 ECAD 7830 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23-3 - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 1 V a 40 mA 5 ns 200 nA a 30 V -55°C ~ 125°C 200mA 5 pF a 0 V, 1 MHz
RS1MWF-7 Diodes Incorporated RS1MWF-7 0,4400
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 ECAD 273 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123F RS1M Standard SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1000 V 1,3 V a 1 A 500 n 5 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C 1A 8 pF a 1 V, 1 MHz
ZUMT591TC Diodes Incorporated ZUMT591TC -
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 ECAD 1091 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 ZUMT591 500 mW SOT-323 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 1A 100 nA PNP 600 mV a 100 mA, 1 A 100 a 500 mA, 5 V 150 MHz
ZHCS400TA Diodes Incorporated ZHCS400TA 0,4000
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 ECAD 581 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 ZHCS400 Schottky SOD-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 500 mV a 400 mA 40 µA a 30 V - 400mA 20 pF a 25 V, 1 MHz
FZT795ATA Diodes Incorporated FZT795ATA 0,8200
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 ECAD 30 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA FZT795 2 W SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0075 1.000 140 V 500 mA 100 nA PNP 250mV a 50mA, 500mA 300 a 10 mA, 2 V 100 MHz
BAS70LP-7B-79 Diodes Incorporated BAS70LP-7B-79 -
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 ECAD 2696 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale 0402 (1006 metri) BAS70 Schottky X1-DFN1006-2 - 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-BAS70LP-7B-79TR EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 70 V 960 mV a 15 mA 1,6 n 10 µA a 70 V -65°C ~ 150°C 70 mA 1pF @ 0V, 1MHz
DMN4060SVT-7 Diodes Incorporated DMN4060SVT-7 0,4200
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 ECAD 101 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 DMN4060 MOSFET (ossido di metallo) TSOT-26 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 45 V 4,8A(Ta) 4,5 V, 10 V 46 mOhm a 4,3 A, 10 V 3 V a 250 µA 22,4 nC a 10 V ±20 V 1287 pF a 25 V - 1,2 W (Ta)
PR2004-T Diodes Incorporated PR2004-T -
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 ECAD 3352 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale Standard DO-15 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 4.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,2 V a 2 A 150 n 5 µA a 400 V -65°C ~ 150°C 2A 35 pF a 4 V, 1 MHz
DMP4013LFGQ-13 Diodes Incorporated DMP4013LFGQ-13 0,9100
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMP4013 MOSFET (ossido di metallo) POWERDI3333-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 40 V 10,3A(Ta) 4,5 V, 10 V 13 mOhm a 10 A, 10 V 3 V a 250 µA 68,6 nC a 10 V ±20 V 3426 pF a 20 V - 1 W (Ta)
DMT68M8LFV-13 Diodes Incorporated DMT68M8LFV-13 0,2878
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 ECAD 4241 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMT68 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 (tipo UX) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato DMT68M8LFV-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 60 V 54,1A(Tc) 4,5 V, 10 V 9,5 mOhm a 13,5 A, 10 V 3 V a 250 µA 30 nC a 10 V ±20 V 2078 pF a 30 V - 2,7 W (Ta), 41,7 W (Tc)
DZ23C22-7-F Diodes Incorporated DZ23C22-7-F 0,0756
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 ECAD 4723 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1 paio di catodo comune 22 V 55 Ohm
MMBZ5246BQ-7-F Diodes Incorporated MMBZ5246BQ-7-F 0,0337
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 ECAD 3451 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 mW SOT-23-3 scaricamento REACH Inalterato 31-MMBZ5246BQ-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 12 V 16 V 17 Ohm
KBP406G Diodes Incorporated KBP406G 0,7400
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 ECAD 3118 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, KBP KBP406 Standard KBP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 35 1,1 V a 4 A 5 µA a 600 V 4A Monofase 600 V
DMN1014UFDF-13 Diodes Incorporated DMN1014UFDF-13 0,0921
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 ECAD 2131 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMN1014 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo F) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 CanaleN 12 V 8A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 16 mOhm a 2 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 6,4 nC a 4,5 V ±8 V 515 pF a 6 V - 700mW (Ta)
BZT52C12-7-G Diodes Incorporated BZT52C12-7-G -
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 ECAD 8027 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZT52C12-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
BZT52C7V5-13-G Diodes Incorporated BZT52C7V5-13-G -
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 ECAD 4030 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZT52C7V5-13-GDI EAR99 8541.10.0050 10.000
DDTA125TCA-7 Diodes Incorporated DDTA125TCA-7 0,1000
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 ECAD 5 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Attivo DDTA125 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000
BZT52C18Q-7-F Diodes Incorporated BZT52C18Q-7-F 0,2200
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,39% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZT52 370 mW SOD-123 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 12,6 V 18 V 45 Ohm
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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