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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
FMMT415TD Diodes Incorporated FMMT415TD 8.5200
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 ECAD 4 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT415 330 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 500 100 V 500 mA 100nA (ICBO) NPN - Modalità valanga 500 mV a 1 mA, 10 mA 25 a 10 mA, 10 V 40 MHz
BAT54SDW-7 Diodes Incorporated BAT54SDW-7 -
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 ECAD 9432 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAT54 Schottky SOT-363 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità Connessione in serie a 2 coppie 30 V 200 mA (CC) 1 V a 100 mA 5 ns 2 µA a 25 V -65°C ~ 125°C
BZT52C5V6S-7-F Diodes Incorporated BZT52C5V6S-7-F 0,2800
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 ECAD 353 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±7% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 BZT52 200 mW SOD-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 1 µA a 2 V 5,6 V 40 Ohm
ZVN2535ASTZ Diodes Incorporated ZVN2535ASTZ -
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 ECAD 8071 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante E-Line-3 MOSFET (ossido di metallo) E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 CanaleN 350 V 90mA (Ta) 10 V 35 Ohm a 100 mA, 10 V 3 V a 1 mA ±20 V 70 pF a 25 V - 700mW (Ta)
MMDT4413-7-F Diodes Incorporated MMDT4413-7-F 0,4300
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 ECAD 2013 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT4413 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 600mA - PNP, PNP 750mV a 50mA, 500mA 100 a 150 mA, 1 V / 100 a 150 mA, 2 V 250 MHz, 200 MHz
DMP2900UV-7 Diodes Incorporated DMP2900UV-7 0,0974
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 ECAD 8254 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 DMP2900 MOSFET (ossido di metallo) 500mW (Ta) SOT-563 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato DMP2900UV-7DI EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canali P (doppio) 20 V 850mA (Ta) 750 mOhm a 430 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA 0,7 nC a 4,5 V 49 pF a 16 V -
BAS16Q-7-F Diodes Incorporated BAS16Q-7-F 0,0286
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 ECAD 4218 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 Standard SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-BAS16Q-7-FTR EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 75 V 1,25 V a 150 mA 4nn 1 µA a 75 V -65°C ~ 150°C 300mA 2pF @ 0V, 1MHz
SBRT25M50SLP-13 Diodes Incorporated SBRT25M50SLP-13 -
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 ECAD 7435 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale 8-PowerTDFN Superbarriera PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 2.500 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 50 V 550 mV a 25 A 120 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 25A -
DMP3085LSS-13 Diodes Incorporated DMP3085LSS-13 0,4200
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 ECAD 9 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DMP3085 MOSFET (ossido di metallo) 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 30 V 3,8A(Ta) 4,5 V, 10 V 70 mOhm a 5,3 A, 10 V 3 V a 250 µA 5,2 nC a 4,5 V ±20 V 563 pF a 25 V - 1,3 W(Ta)
BZT585B11TQ-7 Diodes Incorporated BZT585B11TQ-7 0,0806
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 ECAD 3540 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BZT585 350 mW SOD-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato BZT585B11TQ-7DI EAR99 8541.10.0050 3.000 1,1 V a 100 mA 100 nA a 8 V 11 V 10 Ohm
DMG7702SFG-7 Diodes Incorporated DMG7702SFG-7 0,2397
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 ECAD 5207 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMG7702 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 CanaleN 30 V 12A (Ta) 4,5 V, 10 V 10 mOhm a 13,5 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 31,6 nC a 10 V ±20 V 4310 pF a 15 V Diodo Schottky (corpo) 890 mW (Ta)
DMP3037LSS-13 Diodes Incorporated DMP3037LSS-13 0,4200
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 ECAD 25 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DMP3037 MOSFET (ossido di metallo) 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 30 V 5,8A(Ta) 4,5 V, 10 V 32 mOhm a 7 A, 10 V 2,4 V a 250 µA 19,3 nC a 10 V ±20 V 931 pF a 15 V - 1,2 W (Ta)
DMTH4011SPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH4011SPDQ-13 1.0200
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 ECAD 6 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMTH4011 MOSFET (ossido di metallo) 2,6 W(Ta) PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 40 V 11,1 A (Ta), 42 A (Tc) 15 mOhm a 20 A, 10 V 4 V a 250 µA 10,6 nC a 10 V 805 pF a 20 V -
DMP1200UFR4-7 Diodes Incorporated DMP1200UFR4-7 0,4000
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 ECAD 1927 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN DMP1200 MOSFET (ossido di metallo) X2-DFN1010-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 12 V 2A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 100 mOhm a 2 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 5,8 nC a 4,5 V ±8 V 514 pF a 5 V - 480 mW(Ta)
DMN2230U-7 Diodes Incorporated DMN2230U-7 -
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 ECAD 7916 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2230 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 20 V 2A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 110 mOhm a 2,5 A, 4,5 V 1 V a 250 µA ±12V 188 pF a 10 V - 600mW(Ta)
DMC3060LVT-13 Diodes Incorporated DMC3060LVT-13 0,1185
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 ECAD 7307 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 DMC3060 MOSFET (ossido di metallo) 830 mW TSOT-23-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato DMC3060LVT-13DI EAR99 8541.21.0095 10.000 Canali N e P complementari 30 V 3,6 A (Ta), 2,8 A (Ta) 60 mOhm a 3,1 A, 10 V, 95 mOhm a 2,7 A, 10 V 1,8 V a 250 µA, 2,1 V a 250 µA 11,3 nC a 10 V 395pF a 15V, 324pF a 15V -
MMSZ5228BS-7 Diodes Incorporated MMSZ5228BS-7 -
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 ECAD 2201 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 MMSZ5228B 200 mW SOD-323 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 10 µA a 1 V 3,9 V 23 Ohm
SF10GG-A Diodes Incorporated SF10GG-A -
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 ECAD 2430 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e scatola (TB) Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 1.200 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 1 A 40 ns 10 µA a 400 V -65°C ~ 150°C 1A 75 pF a 4 V, 1 MHz
MMDT5451-7 Diodes Incorporated MMDT5451-7 -
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 ECAD 9923 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT5451 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 160 V, 150 V 200mA 50nA (ICBO) PNP, PNP 200mV a 5mA, 50mA / 500mV a 5mA, 50mA 80 a 10 mA, 5 V / 60 a 10 mA, 5 V 300 MHz
DMP2225L-7 Diodes Incorporated DMP2225L-7 -
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 ECAD 7820 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2225 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 20 V 2,6A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 110 mOhm a 2,6 A, 4,5 V 1,25 V a 250 µA 5,3 nC a 4,5 V ±12V 250 pF a 10 V - 1,08 W(Ta)
DDA143TUQ-13-F Diodes Incorporated DDA143TUQ-13-F 0,0597
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 ECAD 6218 0.00000000 Diodi incorporati Automotive, AEC-Q101, DDA (XXXX) U Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA143 200 mW SOT-363 scaricamento REACH Inalterato 31-DDA143TUQ-13-FTR EAR99 8541.21.0075 10.000 50 V 100mA 500nA (ICBO) 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 2,5 mA 160 a 1 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm -
MMBZ5237BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5237BTS-7-F 0,1300
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 ECAD 9926 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5237 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 3 Indipendente 900 mV a 10 mA 3 µA a 6,5 ​​V 8,2 V 8 Ohm
MMBZ5228B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5228B-7-F 0,2100
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5228 350 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 10 µA a 1 V 3,9 V 23 Ohm
FCX705TA Diodes Incorporated FCX705TA 0,6500
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 ECAD 915 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA FCX705 1 W SOT-89-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0075 1.000 120 V 1A 10μA PNP-Darlington 2,5 V a 2 mA, 2 A 3000 a 1 A, 5 V 160 MHz
FMMT549ATC Diodes Incorporated FMMT549ATC -
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 ECAD 9351 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT549A 500 mW SOT-23-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 10.000 30 V 1A 100nA (ICBO) PNP 300 mV a 1 mA, 100 mA 150 a 500 mA, 2 V 100 MHz
DDTA113TE-7 Diodes Incorporated DDTA113TE-7 0,3500
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 ECAD 5 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Attivo DDTA113 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000
ZTX601ASTOA Diodes Incorporated ZTX601ASTOA -
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 ECAD 2318 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante E-Line-3, formati lead ZTX601 1 W E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.000 160 V 1A 10μA NPN-Darlington 1,2 V a 10 mA, 1 A 2000 a 500 mA, 10 V 250 MHz
GBPC35005W Diodes Incorporated GBPC35005W -
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 ECAD 8309 0.00000000 Diodi incorporati - Vassoio Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4 quadrati, GBPC-W GBPC35005 Standard GBPC-W scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato GBPC35005WDI EAR99 8541.10.0080 100 1,1 V a 17,5 A 5 µA a 50 V 35A Monofase 50 V
MMBZ5227BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5227BTS-7-F 0,1300
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 ECAD 9215 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5227 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 3 Indipendente 900 mV a 10 mA 15 µA a 1 V 3,6 V 24 Ohm
MMBZ5231B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5231B-7-F 0,1600
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 ECAD 111 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5231 350 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 5 µA a 2 V 5,1 V 17 Ohm
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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