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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)
DDZ27DQ-7	-	Richiesta di offerta	2060	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±3%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-123	DDZ27		310 mW	SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		50 nA a 21 V							26,97 V	45 Ohm
ZTX758STOB	-	Richiesta di offerta	2270	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX758		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000																							400 V	500 mA	100 nA			PNP	500mV a 10mA, 100mA	40 a 200 mA, 10 V	50 MHz
DDZ15S-7	0,3000	Richiesta di offerta	18	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2,54%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	DDZ15		200 mW	SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		50 nA a 12 V							15 V	18 Ohm
DDTA143ZUA-7	0,3900	Richiesta di offerta	5	Diodi incorporati	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo					DDTA143				scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
MMBD4448HTS-7-F	0,3500	Richiesta di offerta	597	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOT-523	MMBD4448	Standard		SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												Connessione in serie da 1 paio	80 V	250 mA	1,25 V a 150 mA	4 ns	100 nA a 70 V	-65°C ~ 150°C
DMP31D7LDWQ-13	0,0565	Richiesta di offerta	5059	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMP31	MOSFET (ossido di metallo)	290 mW (Ta)	SOT-363	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMP31D7LDWQ-13TR	EAR99	8541.21.0095	10.000	2 canali P (doppio)			30 V	550mA(Ta)		900 mOhm a 420 mA, 10 V	2,6 V a 250 µA	0,8 nC a 10 V		19 pF a 15 V	-
MMBZ5246B-7-F	0,2100	Richiesta di offerta	24	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5246		350 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 12 V							16 V	17 Ohm
ZXTC6718MCQTA	0,4340	Richiesta di offerta	4322	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	ZXTC6718		1,5 W	W-DFN3020-8	scaricamento			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	3.000																							20 V		100nA (ICBO)			PNP, PNP	300 mV a 125 mA, 4,5 A	300 a 200 mA, 2 V	100 MHz
MMBTA14-7	-	Richiesta di offerta	5004	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBTA14		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							30 V	300mA	100nA (ICBO)			NPN-Darlington	1,5 V a 100 µA, 100 mA	20000 a 100 mA, 5 V	125 MHz
DMN2058UW-13	0,0562	Richiesta di offerta	4682	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	DMN2058	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000			CanaleN	20 V	3,5A(Ta)	1,8 V, 10 V	42 mOhm a 3 A, 10 V	1,2 V a 250 µA	7,7 nC a 10 V	±12V	281 pF a 10 V	-	500mW (Ta)
DMTH10H025LK3Q-13	1.0200	Richiesta di offerta	8246	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	DMTH10	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252, (D-Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	100 V	51,7 A(Tc)	4,5 V, 10 V	22 mOhm a 20 A, 10 V	3 V a 250 µA	21 nC a 10 V	±20 V	1477 pF a 50 V	-	3,1 W (Ta)
AZ23C11-7-G	-	Richiesta di offerta	6336	Diodi incorporati	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto					AZ23C11				-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	AZ23C11-7-GDI	EAR99	8541.10.0050	3.000
SF164	-	Richiesta di offerta	9513	Diodi incorporati	-	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-220-3	SF16	Standard		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	SF164DI	EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	200 V	16A	975 mV a 8 A	35 ns	10 µA a 200 V	-65°C ~ 175°C
DMN3033LSN-7	0,4100	Richiesta di offerta	71	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN3033	MOSFET (ossido di metallo)		SC-59-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN	30 V	6A (Ta)	4,5 V, 10 V	30 mOhm a 6 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	10,5 nC a 5 V	±20 V	755 pF a 10 V	-	1,4 W(Ta)
DMP3035SFG-7	0,1872	Richiesta di offerta	6490	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	DMP3035	MOSFET (ossido di metallo)		PowerDI3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	DMP3035SFG-7DI	EAR99	8541.21.0095	2.000			Canale P	30 V	8,5A(Ta)	5 V, 10 V	20 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±25 V	1633 pF a 15 V	-	950 mW(Ta)
DP0150ALP4-7	-	Richiesta di offerta	2912	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XFDFN	DP0150		450 mW	X2-DFN1006-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	DP0150ALP4-7DI	EAR99	8541.21.0095	3.000																							50 V	100 mA	100nA (ICBO)			PNP	300 mV a 10 mA, 100 mA	120 a 2 mA, 6 V	80 MHz
PR1004GL-T	-	Richiesta di offerta	5673	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	PR1004	Standard		DO-41	-		1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													400 V		1,3 V a 1 A	150 n	5 µA a 400 V	-65°C ~ 150°C	1A	15 pF a 4 V, 1 MHz
AC847CWQ-7	0,2100	Richiesta di offerta	5	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	AC847		200 mW	UMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	150 mA	100nA (ICBO)			PNP	500mV a 5mA, 50mA	120 a 1 mA, 6 V	140 MHz
B3100BE-13	0,1441	Richiesta di offerta	8761	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	B3100	Schottky		PMI	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													100 V		790 mV a 3 A		300 µA a 100 V	-55°C ~ 150°C	3A	105 pF a 4 V, 1 MHz
SBRT20U60SP5-7	0,8500	Richiesta di offerta	8	Diodi incorporati	TrinceaSBR	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	PowerDI™5	SBRT20	Superbarriera		PowerDI™5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	1.500		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													60 V		570 mV a 20 A		180 µA a 60 V	-55°C ~ 150°C	20A	-
DDZ9712Q-13	-	Richiesta di offerta	1535	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-123	DDZ9712		500 mW	SOD-123	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-DDZ9712Q-13TR	EAR99	8541.10.0050	10.000																	900 mV a 10 mA		50 nA a 21,2 V							28 V
1SMB5943B-13	0,1300	Richiesta di offerta	5635	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C (TA)	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	1SMB5943		3 W	PMI	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,5 V a 200 mA		1 µA a 42,6 V							56 V	86 Ohm
ZXTC6719MCTA	0,8200	Richiesta di offerta	7	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-WDFN Tampone esposto	ZXTC6719		1,7 W	DFN3020B-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	3.000																							50 V, 40 V	4A, 3A	100 nA			PNP, PNP	320 mV a 200 mA, 4 A / 370 mV a 250 mA, 2,5 A	100 a 2 A, 2 V / 60 a 1,5 A, 2 V	165 MHz, 190 MHz
DFLS160-7-2477	-	Richiesta di offerta	9605	Diodi incorporati	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta			Montaggio superficiale	POWERDI®123		Schottky		PowerDI™123	-				31-DFLS160-7-2477			1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													60 V		500 mV a 1 A		100 µA a 60 V	-65°C ~ 150°C	1A	67 pF a 10 V, 1 MHz
DMN53D0L-7	0,3700	Richiesta di offerta	31	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN53	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	50 V	500mA (Ta)	2,5 V, 10 V	1,6 Ohm a 500 mA, 10 V	1,5 V a 250 µA	0,6 nC a 4,5 V	±20 V	46 pF a 25 V	-	370 mW (Ta)
DMP2004VK-7	0,4500	Richiesta di offerta	60	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	DMP2004	MOSFET (ossido di metallo)	400 mW	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)			20 V	530mA		900 mOhm a 430 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	-		175 pF a 16 V	Porta a livello logico
DDTA115TKA-7-F	-	Richiesta di offerta	4056	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTA115		200 mW	SC-59-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100 mA	500nA (ICBO)			PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 100 µA, 1 mA	100 a 1 mA, 5 V	250 MHz	100 kOhm
ZXMN3A01E6TA	0,5700	Richiesta di offerta	167	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	ZXMN3	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN	30 V	2,4A(Ta)	4,5 V, 10 V	120 mOhm a 2,5 A, 10 V	1 V a 250 µA	3,9 nC a 10 V	±20 V	190 pF a 25 V	-	1,1 W (Ta)
UF3001-T	-	Richiesta di offerta	2161	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Foro passante	DO-201AD, assiale	UF3001	Standard		DO-201AD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	Q1883140	EAR99	8541.10.0080	1.200		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													50 V		1 V a 3 A	50 n	5 µA a 50 V	-65°C ~ 150°C	3A	75 pF a 4 V, 1 MHz
BSS84Q-7-F	0,8500	Richiesta di offerta	1	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS84	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			Canale P	50 V	130mA (Ta)	5 V	10 Ohm a 100 mA, 5 V	2 V a 1 mA	0,59 nC a 10 V	±20 V	45 pF a 25 V	-	300 mW (Ta)