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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
DMG2301L-13 Diodes Incorporated DMG2301L-13 0,3200
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 ECAD 7858 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2301 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 10.000 Canale P 20 V 3A (Ta) 2,5 V, 4,5 V 120 mOhm a 2,8 A, 4,5 V 1,2 V a 250 µA 5,5 nC a 4,5 V ±8 V 476 pF a 10 V - 1,5 W(Ta)
SBR2065D1-13 Diodes Incorporated SBR2065D1-13 0,8900
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 ECAD 2620 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 SBR2065 Superbarriera TO-252-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 2.500 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 65 V 630 mV a 20 A 400 µA a 65 V -55°C ~ 150°C 20A -
SBR8S45SP5-13D Diodes Incorporated SBR8S45SP5-13D -
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 ECAD 8129 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - SBR8S45 - - 1 (illimitato) 31-SBR8S45SP5-13DTR OBSOLETO 1.000 - - - -
DDTC123TCA-7-F Diodes Incorporated DDTC123TCA-7-F 0,2200
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 ECAD 14 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC123 200 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 5 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 2,2 kOhm
DMN3020LK3-13 Diodes Incorporated DMN3020LK3-13 -
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 ECAD 8997 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 DMN3020 MOSFET (ossido di metallo) TO-252-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 11,3A (Ta) 4,5 V, 10 V 20 mOhm a 7 A, 10 V 3 V a 250 µA 6,3 nC a 4,5 V ±20 V 608 pF a 15 V - 2,17 W(Ta)
SBR2045CT-G Diodes Incorporated SBR2045CT-G 0,9100
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 ECAD 50 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 SBR2045 Superbarriera TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato SBR2045CT-GDI EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 10A 540 mV a 10 A 500 µA a 45 V -65°C ~ 150°C
BZX84C6V8S-7-F Diodes Incorporated BZX84C6V8S-7-F 0,0756
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 ECAD 2038 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,88% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 2 Indipendente 900 mV a 10 mA 2 µA a 4 V 6,8 V 15 Ohm
DF1502S Diodes Incorporated DF1502S 0,7644
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 ECAD 6438 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DF1502 Standard DF-S scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V a 1,5 A 10 µA a 100 V 1,5 A Monofase 200 V
SBR2U150SA-13-50 Diodes Incorporated SBR2U150SA-13-50 0,1370
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 ECAD 8129 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Massa Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA SBR2U150 Superbarriera SMA scaricamento 31-SBR2U150SA-13-50 EAR99 8541.10.0080 5.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 150 V 800 mV a 2 A 75 µA a 150 V -65°C ~ 175°C 2A -
BZT52C4V7TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C4V7TQ-7-F 0,0474
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 ECAD 7640 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,38% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BZT52 300 mW SOD-523 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 3 µA a 2 V 4,7 V 80 Ohm
ZXTP2039FTC Diodes Incorporated ZXTP2039FTC 0,0943
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 ECAD 4466 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTP2039 350 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 10.000 60 V 1A 100 nA PNP 600 mV a 100 mA, 1 A 100 a 500 mA, 5 V 150 MHz
DMN3031LSS-13 Diodes Incorporated DMN3031LSS-13 -
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 ECAD 3041 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DMN3031 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 9A (Ta) 4,5 V, 10 V 18,5 mOhm a 9 A, 10 V 2,1 V a 250 µA 25 nC a 10 V ±20 V 741 pF a 15 V - 2,5 W(Ta)
ZVN2120GTA Diodes Incorporated ZVN2120GTA 0,8700
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 ECAD 4000 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA ZVN2120 MOSFET (ossido di metallo) SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 200 V 320mA (Ta) 10 V 10 Ohm a 250 mA, 10 V 3 V a 1 mA ±20 V 85 pF a 25 V - 2 W (Ta)
DDZ9705-7-79 Diodes Incorporated DDZ9705-7-79 -
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 ECAD 6999 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto DDZ9705 - 1 (illimitato) REACH Inalterato DDZ9705-7-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
DDTC114ECAQ-13-F Diodes Incorporated DDTC114ECAQ-13-F 0,0277
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 ECAD 9391 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC114 200 mW SOT-23-3 scaricamento REACH Inalterato 31-DDTC114ECAQ-13-FTR EAR99 8541.21.0075 10.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 35 a 5 mA, 5 V 250 MHz 10 kOhm 10 kOhm
SB560-T-01 Diodes Incorporated SB560-T-01 -
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 ECAD 1446 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-201AD, assiale Schottky DO-201AD - 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 1.200 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 670 mV a 5 A 500 µA a 60 V -65°C ~ 150°C 5A -
DMP2120U-13 Diodes Incorporated DMP2120U-13 0,0560
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 ECAD 1228 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2120 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 Canale P 20 V 3,8A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 62 mOhm a 4,2 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 6,3 nC a 4,5 V ±8 V 487 pF a 20 V - 800 mW
BAS40BRW-7 Diodes Incorporated BAS40BRW-7 -
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 ECAD 4226 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAS40 Schottky SOT-363 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità Connessione in serie a 2 coppie 40 V 200 mA (CC) 1 V a 40 mA 5 ns 200 nA a 30 V -55°C ~ 125°C
DN0150ALP4-7B Diodes Incorporated DN0150ALP4-7B -
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 ECAD 7220 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN DN0150 450 mW X2-DFN1006-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 50 V 100 mA 100nA (ICBO) NPN 250mV a 10mA, 100mA 120 a 2 mA, 6 V 60 MHz
BZX84C6V8Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C6V8Q-13-F 0,0280
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 ECAD 6236 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,88% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 mW SOT-23-3 scaricamento REACH Inalterato 31-BZX84C6V8Q-13-FTR EAR99 8541.10.0050 10.000 900 mV a 10 mA 2 µA a 4 V 6,8 V 15 Ohm
ZHCS2000TA-2477 Diodes Incorporated ZHCS2000TA-2477 -
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 ECAD 5221 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Acquisto per l'ultima volta Montaggio superficiale SOT-23-6 Schottky SOT-26 - 31-ZHCS2000TA-2477 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 500 mV a 2 A 5,5 ns 300 µA a 30 V 125°C 2A 50 pF a 25 V, 1 MHz
MMBZ5256B-7 Diodes Incorporated MMBZ5256B-7 0,4300
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 ECAD 9 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 23 V 30 V 49 Ohm
MMBZ5228BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5228BT-7-F 0,0736
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 ECAD 3260 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SOT-523 MMBZ5228 150 mW SOT-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 10 µA a 1 V 3,9 V 23 Ohm
DMN32D4SDW-13 Diodes Incorporated DMN32D4SDW-13 0,0672
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 ECAD 4096 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN32 MOSFET (ossido di metallo) 290 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato DMN32D4SDW-13DI EAR99 8541.21.0095 10.000 2 canali N (doppio) 30 V 650 mA 400 mOhm a 250 mA, 10 V 1,6 V a 250 µA 1,3 nC a 10 V 50 pF a 15 V -
SBR10U150CT Diodes Incorporated SBR10U150CT 0,7440
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 ECAD 1474 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 SBR10 Superbarriera TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato SBR10U150CTDI EAR99 8541.10.0080 50 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 150 V 5A 880 mV a 10 A 200 µA a 150 V -65°C ~ 175°C
DMP2305UQ-7 Diodes Incorporated DMP2305UQ-7 0,1079
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2305 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-DMP2305UQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 20 V 4,2A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 60 mOhm a 4,2 A, 4,5 V 900 mV a 250 µA 7,6 nC a 4,5 V ±8 V 727 pF a 20 V - 1,4 W
DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated DMN3010LSS-13 0,2741
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 ECAD 7226 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DMN3010 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 16A (Ta) 4,5 V, 10 V 9 mOhm a 16 A, 10 V 2 V a 250 µA 43,7 nC a 10 V ±20 V 2096 pF a 15 V - 2,5 W(Ta)
DMN2009UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2009UFDF-7 0,1462
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 ECAD 9524 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMN2009 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo F) - 31-DMN2009UFDF-7 EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 20 V 12,8A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 9 mOhm a 8,5 A, 4,5 V 1,4 V a 250 µA 27,9 nC a 10 V ±12V 1083 pF a 10 V - 1,3 W(Ta)
1N5818-B Diodes Incorporated 1N5818-B -
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 ECAD 9121 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N5818 Schottky DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 1N5818-BDI EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 550 mV a 1 A 1 mA a 30 V -65°C ~ 125°C 1A 110 pF a 4 V, 1 MHz
SBR2A150SP5-13 Diodes Incorporated SBR2A150SP5-13 0,2103
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 ECAD 5206 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale PowerDI™5 SBR2A150 Superbarriera PowerDI™5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato SBR2A150SP5-13DI EAR99 8541.10.0080 5.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 150 V 800 mV a 2 A 100 µA a 150 V -65°C ~ 150°C 2A -
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AD9208BBPZ-3000

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