Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
FZT560TA	0,7100	Richiesta di offerta	15	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	FZT560		2 W	SOT-223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0075	1.000																							500 V	150 mA	100 nA			PNP	500mV a 10mA, 50mA	80 a 50 mA, 10 V	60 MHz
ZTX705STOB	-	Richiesta di offerta	9635	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX705		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000																							120 V	1A	10μA			PNP-Darlington	2,5 V a 2 mA, 2 A	3000 a 1 A, 5 V	160 MHz
BZT52C39-7	-	Richiesta di offerta	1536	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-123	BZT52		500 mW	SOD-123	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 27,3 V							39 V	130 Ohm
DMTH6015LPDWQ-13	0,3624	Richiesta di offerta	2764	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	DMTH6015	MOSFET (ossido di metallo)	2,6 W (Ta), 39,5 W (Tc)	PowerDI5060-8 (tipo UXD)	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMTH6015LPDWQ-13TR	EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)			60 V	9,4 A(Ta), 36,3 A(Tc)		20 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	14,3 nC a 10 V		825 pF a 30 V	-
ADC124EUQ-7	0,0600	Richiesta di offerta	7530	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	ADC124		270 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100mA	-			2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	-	-	250 MHz	22kOhm	22kOhm
BZX84C4V7-7-F	0,1700	Richiesta di offerta	41	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±6%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		3 µA a 2 V							4,7 V	80 Ohm
UDZ6V8B-7	0,0605	Richiesta di offerta	6713	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2,06%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	UDZ6V8		200 mW	SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																			500 nA a 3,5 V							6,79 V	40 Ohm
ZVN2120ASTZ	-	Richiesta di offerta	6035	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3		MOSFET (ossido di metallo)		E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000			CanaleN	200 V	180mA (Ta)	10 V	10 Ohm a 250 mA, 10 V	3 V a 1 mA		±20 V	85 pF a 25 V	-	700mW (Ta)
1N5257B-T	-	Richiesta di offerta	2497	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5257		500 mW	DO-35	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0050	10.000																	1,1 V a 200 mA		100 nA a 25 V							33 V	58 Ohm
BCM857BV-7	0,4400	Richiesta di offerta	18	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	BCM857		357 mW	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							45 V	100mA	15nA (ICBO)			2 PNP (doppio)	400 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	175 MHz
ZTX1147ASTOB	-	Richiesta di offerta	5554	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX1147A		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000																							12 V	4A	100 nA			PNP	235 mV a 70 mA, 4 A	250 a 500 mA, 2 V	115 MHz
BZT585B3V9T-7	0,2300	Richiesta di offerta	374	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523	BZT585		350 mW	SOD-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,1 V a 100 mA		3 µA a 1 V							3,9 V	90 Ohm
DDTB122LC-7	-	Richiesta di offerta	5773	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTB122		200 mW	SOT-23-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	500 mA	500nA			PNP - Prepolarizzato	300 mV a 2,5 mA, 50 mA	56 a 50 mA, 5 V	200 MHz	220 Ohm	10 kOhm
BZT52C5V6S-7-F-79	-	Richiesta di offerta	5671	Diodi incorporati	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto					BZT52				-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	BZT52C5V6S-7-F-79DI	EAR99	8541.10.0050	3.000
ZXMN4A06GTA	0,9300	Richiesta di offerta	1481	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	ZXMN4A06	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN	40 V	5A (Ta)	4,5 V, 10 V	50 mOhm a 4,5 A, 10 V	1 V a 250 µA	18,2 nC a 10 V	±20 V	770 pF a 40 V	-	2 W (Ta)
DMN61D9UV-13	-	Richiesta di offerta	6243	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Obsoleto			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN61			SOT-23-3	scaricamento				31-DMN61D9UV-13	OBSOLETO		1
DMP4015SPS-13	0,8400	Richiesta di offerta	16	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	DMP4015	MOSFET (ossido di metallo)		PowerDI5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canale P	40 V	8,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	11 mOhm a 9,8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	47,5 nC a 5 V	±25 V	4234 pF a 20 V	-	1,3 W(Ta)
BAS21Q-7-F	0,2000	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS21	Standard		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													200 V		1,25 V a 200 mA	50 n	100 nA a 200 V	-65°C ~ 150°C	200mA	5 pF a 0 V, 1 MHz
BAT54SWQ-7-F	0,3300	Richiesta di offerta	7	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BAT54	Schottky		SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												Connessione in serie da 1 paio	30 V	200 mA (CC)	1 V a 100 mA	5 nn	2 µA a 25 V	-65°C ~ 125°C
D2G-T	0,0567	Richiesta di offerta	7949	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Foro passante	T1, assiale	D2G	Standard		T-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													100 V		1 V a 1 A	2 µs	5 µA a 100 V	-65°C ~ 150°C	1A	8 pF a 4 V, 1 MHz
DMN2055UW-13	0,0602	Richiesta di offerta	5407	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	DMN2055	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMN2055UW-13TR	EAR99	8541.21.0095	10.000			CanaleN	20 V	3.1A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	46 mOhm a 3,6 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	4,3 nC a 4,5 V	±8 V	400 pF a 10 V	-	520 mW (Ta)
MMBZ5221BS-7-F	0,0756	Richiesta di offerta	8573	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBZ5221		200 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000	2 Indipendente																900 mV a 10 mA		100 µA a 1 V							2,4 V	30 Ohm
MMDTA06-7	0,5100	Richiesta di offerta	5	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	MMDTA06		900 mW	SOT-26	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							80 V	500mA	100 nA			2 NPN (doppio)	250mV a 10mA, 100mA	100 a 10 mA, 1 V	163 MHz
BZX84C22W-7	-	Richiesta di offerta	5093	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	±6%	-65°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BZX84		200 mW	SOT-323	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 15,4 V							22 V	55 Ohm
BSS84TC	-	Richiesta di offerta	7530	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS84	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000			Canale P	50 V	130mA (Ta)	5 V	10 Ohm a 100 mA, 5 V	2 V a 1 mA		±20 V	40 pF a 25 V	-	360 mW(Ta)
DMN3190LDWQ-7	0,0896	Richiesta di offerta	4239	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN3190	MOSFET (ossido di metallo)	320 mW (Ta)	SOT-363	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMN3190LDWQ-7TR	EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)			30 V	1A (Ta)		190 mOhm a 1,3 A, 10 V	2,8 V a 250 µA	2nC a 10V		87 pF a 20 V	-
MBR2150VG-E1	-	Richiesta di offerta	7900	Diodi incorporati	-	Massa	Obsoleto			Foro passante	DO-204AC, DO-15, assiale		Schottky		DO-15	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	500		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													150 V		850 mV a 2 A		100 µA a 150 V	-65°C ~ 150°C	2A	-
DMG2301L-13	0,3200	Richiesta di offerta	7858	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMG2301	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10.000			Canale P	20 V	3A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	120 mOhm a 2,8 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	5,5 nC a 4,5 V	±8 V	476 pF a 10 V	-	1,5 W(Ta)
SBR2065D1-13	0,8900	Richiesta di offerta	2620	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	SBR2065	Superbarriera		TO-252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	2.500		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													65 V		630 mV a 20 A		400 µA a 65 V	-55°C ~ 150°C	20A	-
SBR8S45SP5-13D	-	Richiesta di offerta	8129	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-		SBR8S45	-			-		1 (illimitato)		31-SBR8S45SP5-13DTR	OBSOLETO		1.000		-												-		-				-