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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
KBP406G	0,7400	Richiesta di offerta	3118	Diodi incorporati	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBP	KBP406	Standard		KBP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	35																	1,1 V a 4 A		5 µA a 600 V		4A				Monofase	600 V
ZVP4105ASTOB	-	Richiesta di offerta	8675	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3		MOSFET (ossido di metallo)		E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000			Canale P	50 V	175mA(Ta)	5 V	10 Ohm a 100 mA, 5 V	2 V a 1 mA		±20 V	40 pF a 25 V	-	625 mW(Ta)
DMP2004TK-7-79	-	Richiesta di offerta	8088	Diodi incorporati	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-523	DMP2004	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-523	-				31-DMP2004TK-7-79	EAR99	8541.21.0095	1			Canale P	20 V	430mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	1,1 Ohm a 430 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	0,97 nC a 8 V	±8 V	47 pF a 16 V	-	230 mW (Ta)
DMN10H700S-13	0,4300	Richiesta di offerta	9	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN10	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000			CanaleN	100 V	700mA (Ta)	6 V, 10 V	700 mOhm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	4,6 nC a 10 V	±20 V	235 pF a 50 V	Standard	400 mW (Ta)
SBR20A120CTE	-	Richiesta di offerta	9677	Diodi incorporati	SBR®	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	SBR20	Superbarriera		TO-262	-		1 (illimitato)		31-SBR20A120CTE	EAR99	8541.10.0080	50		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)												1 paio di catodo comune	120 V	10A	790 mV a 10 A		100 µA a 120 V	-65°C ~ 150°C
B230A-13-F-2477	-	Richiesta di offerta	8389	Diodi incorporati	-	Massa	Acquisto per l'ultima volta			Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA		Schottky		SMA	-				31-B230A-13-F-2477			1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													30 V		500 mV a 2 A		500 µA a 30 V	-65°C ~ 150°C	2A	200 pF a 4 V, 1 MHz
SBR2M60S1F-7	0,4000	Richiesta di offerta	23	Diodi incorporati	SBR®	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOD-123F	SBR2M60	Superbarriera		SOD-123F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													60 V		700 mV a 2 A		800 nA a 60 V	-65°C ~ 175°C	2A	-
DDZ12BQ-7	0,2900	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-123	DDZ12		370 mW	SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 9,1 V									12 V	12 Ohm
ZUMT591TC	-	Richiesta di offerta	1091	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	ZUMT591		500 mW	SOT-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							60 V	1A			100 nA			PNP	600 mV a 100 mA, 1 A	100 a 500 mA, 5 V	150 MHz
DZ23C22-7-F	0,0756	Richiesta di offerta	4723	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DZ23		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000	1 paio di catodo comune																											22 V	55 Ohm
SBR60A100CT	2.6800	Richiesta di offerta	6521	Diodi incorporati	SBR®	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3	SBR60	Superbarriera		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	SBR60A100CTDI	EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	100 V	30A	840 mV a 30 A		500 µA a 100 V	-55°C ~ 175°C
FZT795ATA	0,8200	Richiesta di offerta	30	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	FZT795		2 W	SOT-223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0075	1.000																							140 V	500 mA			100 nA			PNP	250mV a 50mA, 500mA	300 a 10 mA, 2 V	100 MHz
MMBZ5246BQ-7-F	0,0337	Richiesta di offerta	3451	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 mW	SOT-23-3	scaricamento			REACH Inalterato	31-MMBZ5246BQ-7-FTR	EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 12 V									16 V	17 Ohm
BAS70LP-7B-79	-	Richiesta di offerta	2696	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	0402 (1006 metri)	BAS70	Schottky		X1-DFN1006-2	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-BAS70LP-7B-79TR	EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità													70 V		960 mV a 15 mA	1,6 n	10 µA a 70 V	-65°C ~ 150°C	70 mA	1pF @ 0V, 1MHz
DMP2240UDM-7	0,4100	Richiesta di offerta	285	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	DMP2240	MOSFET (ossido di metallo)	600 mW	SOT-26	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali P (doppio)			20 V	2A		150 mOhm a 2 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	-		320 pF a 16 V	Porta a livello logico
BZT52C7V5-13-G	-	Richiesta di offerta	4030	Diodi incorporati	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto					BZT52				-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	BZT52C7V5-13-GDI	EAR99	8541.10.0050	10.000
SB150-T	0,1008	Richiesta di offerta	6749	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	SB150	Schottky		DO-41	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													50 V		700 mV a 1 A		500 µA a 50 V	-65°C ~ 150°C	1A	-
DDA124EUQ-7-F	0,0746	Richiesta di offerta	5823	Diodi incorporati	Automotive, AEC-Q101, DDA (XXXX) U	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDA124		200 mW	SOT-363	scaricamento			REACH Inalterato	31-DDA124EUQ-7-FTR	EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100mA			500nA (ICBO)			2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 500 µA, 10 mA	56 a 5 mA, 5 V	250 MHz	22kOhm	22kOhm
DMG6968UTS-13	0,5100	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	DMG6968	MOSFET (ossido di metallo)	1 W	8-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Scarico comune a 2 canali N (doppio).			20 V	5.2A		23 mOhm a 6,5 A, 4,5 V	950 mV a 250 µA	8,8 nC a 4,5 V		143 pF a 10 V	Porta a livello logico
DMN31D5UFO-7B	0,0367	Richiesta di offerta	1610	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XFDFN	DMN31	MOSFET (ossido di metallo)		X2-DFN0604-3	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMN31D5UFO-7BTR	EAR99	8541.21.0095	10.000			CanaleN	30 V	410mA (Ta)	1,5 V, 4,5 V	1,5 Ohm a 100 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	0,38 nC a 4,5 V	±12V	22,6 pF a 15 V	-	380 mW(Ta)
ZXMN6A07FTC	-	Richiesta di offerta	3188	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXMN6	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000			CanaleN	60 V	1,2A(Ta)	4,5 V, 10 V	250 mOhm a 1,8 A, 10 V	3 V a 250 µA	3,2 nC a 10 V	±20 V	166 pF a 40 V	-	625 mW(Ta)
DDZ24CSF-7	0,2000	Richiesta di offerta	6766	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±3%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F	DDZ24		500 mW	SOD-323F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		70 nA a 22 V									23,72 V	60 Ohm
RS1MWF-7	0,4400	Richiesta di offerta	273	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOD-123F	RS1M	Standard		SOD-123F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													1000 V		1,3 V a 1 A	500 n	5 µA a 1000 V	-55°C ~ 150°C	1A	8 pF a 1 V, 1 MHz
SDT40A60VCT	0,9532	Richiesta di offerta	6096	Diodi incorporati	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3	SDT40	Schottky		TO-220-3	scaricamento			REACH Inalterato	31-SDT40A60VCT	EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	60 V	20A	600 mV a 20 A		200 µA a 60 V	-55°C ~ 150°C
ZHCS400TA	0,4000	Richiesta di offerta	581	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	ZHCS400	Schottky		SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													40 V		500 mV a 400 mA		40 µA a 30 V	-	400mA	20 pF a 25 V, 1 MHz
DMPH4025SFVWQ-7	0,3426	Richiesta di offerta	8008	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	8-PowerVDFN	DMPH4025	MOSFET (ossido di metallo)		PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000			Canale P	40 V	8,7 A (Ta), 40 A (Tc)	4,5 V, 10 V	25 mOhm a 30 A, 10 V	1,8 V a 250 µA	38,6 nC a 10 V	±20 V	1918 pF a 20 V	-	2,3 W (Ta), 60 W (Tc)
DMT10H032LFDF-7	0,2915	Richiesta di offerta	7648	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	DMT10	MOSFET (ossido di metallo)		U-DFN2020-6 (Tipo F)	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMT10H032LFDF-7TR	EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN	100 V	6A (Ta)	4,5 V, 10 V	32 mOhm a 6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	11,9 nC a 10 V	±20 V	683 pF a 50 V	-	1,3 W(Ta)
DMN2040U-13	0,3900	Richiesta di offerta	9	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN2040	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000			CanaleN	20 V	6A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	25 mOhm a 8,2 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	7,5 nC a 4,5 V	±12V	667 pF a 10 V	-	800 mW (Ta)
BZT52C16TQ-7-F	0,2700	Richiesta di offerta	3413	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5,63%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523	BZT52		300 mW	SOD-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 11,2 V									16 V	40 Ohm
MMBZ5226BW-7-F	0,3400	Richiesta di offerta	5	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	MMBZ5226		200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		25 µA a 1 V									3,3 V	28 Ohm