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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMC6070LFDH-7 | - | ![]() | 4209 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-VDFN | DMC6070 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,4 W | V-DFN3030-8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canali N e P | 60 V | 3,1 A, 2,4 A | 85 mOhm a 1,5 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 11,5 nC a 10 V | 731 pF a 20 V | Porta a livello logico | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF3005-T | - | ![]() | 5532 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-201AD, assiale | UF3005 | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 3 A | 75 ns | 5 µA a 600 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR3U60P5Q-13 | 0,1776 | ![]() | 9265 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | PowerDI™5 | SBR3U60 | Superbarriera | PowerDI™5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 60 V | 620 mV a 3 A | 100 µA a 60 V | -65°C ~ 150°C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4933-T | 0,1700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4933 | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1,2 V a 1 A | 200 n | 5 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5259BQ-7-F | - | ![]() | 3703 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123 | MMSZ5259 | 370 mW | SOD-123 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 31-MMSZ5259BQ-7-FTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 30 V | 39 V | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS20-7 | - | ![]() | 4379 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS20 | Standard | SOT-23-3 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 150 V | 1,25 V a 200 mA | 50 n | 100 nA a 150 V | -65°C ~ 150°C | 200mA | 5 pF a 0 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ602 | - | ![]() | 5205 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -65°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBJ | Standard | GBJ | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | GBJ602DI | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V a 3 A | 5 µA a 200 V | 6A | Monofase | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C16T-7 | 0,2100 | ![]() | 464 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | BZT52 | 300 mW | SOD-523 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 11,2 V | 16 V | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR1030CT | - | ![]() | 1463 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-220-3 | MBR1030 | Schottky | TO-220-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 30 V | 10A | 840 mV a 10 A | 100 µA a 30 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRT20M60SP5-13D | 0,3445 | ![]() | 2252 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | PowerDI™5 | SBRT20 | Superbarriera | PowerDI™5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 60 V | 570 mV a 20 A | 180 µA a 60 V | -55°C ~ 150°C | 20A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT61M5SPSW-13 | 0,8489 | ![]() | 9221 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | MOSFET (ossido di metallo) | PowerDI5060-8 (SWP) | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMT61M5SPSW-13TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 60 V | 215A(Tc) | 10 V | 1,5 mOhm a 30 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 130,6 nC a 10 V | ±20 V | 8306 pF a 30 V | - | 2,7 W (Ta), 139 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DRDP006W-7 | 0,1040 | ![]() | 1825 | 0.00000000 | Diodi incorporati | DRD (xxxx) W | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DRDP006 | 200 mW | SOT-363 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | DRDP006WDITR | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 600 mA | 10nA (ICBO) | PNP - Prepolarizzato + Diodo | 400mV a 15mA, 150mA | - | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5236B-7-F | 0,1500 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | MMSZ5236 | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA a 6 V | 7,5 V | 6 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDS3100-13-2477 | - | ![]() | 7224 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | PowerDI™5 | Schottky | PowerDI™5 | - | 31-PDS3100-13-2477 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 830 mV a 6 A | 200 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ31-7 | 0,0435 | ![]() | 7486 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±3% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | DDZ31 | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 25 V | 31 V | 65 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AZ23C5V6-7-F | 0,3800 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C5V6 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 paio di anodo comune | 100 nA a 1 V | 5,6 V | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK32-7-F | - | ![]() | 5682 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | SK32 | Schottky | SMC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 500 mV a 3 A | 500 µA a 20 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 300 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR40150CTFP-JT | - | ![]() | 6574 | 0.00000000 | Diodi incorporati | SBR® | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | SBR40150 | Superbarriera | ITO-220AB | scaricamento | 1 (illimitato) | 31-SBR40150CTFP-JT | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 20A | 900 mV a 20 A | 100 µA a 150 V | -65°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD3Z284C5V1-7 | 0,4100 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | ±6% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | PowerDI™323 | PD3Z284 | 500 mW | PowerDI™323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V a 100 mA | 2 µA a 2 V | 5,1 V | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MURS320-13-F | 0,5500 | ![]() | 3922 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | MURS320 | Standard | SMC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 875 mV a 3 A | 25 ns | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 175°C | 3A | 45 pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2DA1201Y-7 | 0,1743 | ![]() | 7280 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 2DA1201 | 1,5 W | SOT-89-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 120 V | 800 mA | 100 nA | PNP | 1 V a 50 mA, 500 mA | 120 a 100 mA, 5 V | 160 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR2U60S1F-7 | 0,4000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123F | SBR2U60 | Superbarriera | SOD-123F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 60 V | 510 mV a 2 A | 150 µA a 60 V | -55°C ~ 175°C | 2A | 75 pF a 10 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84B3V9Q-7-F | 0,0382 | ![]() | 7732 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-BZX84B3V9Q-7-FTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA a 1 V | 3,9 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDZX20C-7 | 0,0621 | ![]() | 1083 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2,48% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DDZX20 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 15 V | 20 V | 28 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXT12N50DXTA | 1.4800 | ![]() | 4913 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", larghezza 3,00 mm) | ZXT12N50 | 1,04 W | 8-MSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 50 V | 3A | 100 nA | 2 NPN (doppio) | 250 mV a 50 mA, 3 A | 300 a 1 A, 2 V | 132 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| AZ23C36-7 | - | ![]() | 6759 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C36 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 paio di anodo comune | 36 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2110UFDB-7 | 0,1038 | ![]() | 6993 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | DMP2110 | MOSFET (ossido di metallo) | 820 mW (Ta) | U-DFN2020-6 (Tipo B) | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMP2110UFDB-7TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali P (doppio) | 20 V | 3,2A(Ta) | 75 mOhm a 2,8 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 12,7 nC a 8 V | 443 pF a 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH10H2M5STLWQ-13 | 4.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSFN | DMTH10 | MOSFET (ossido di metallo) | POWERDI1012-8 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 100 V | 215A(Tc) | 10 V | 2,5 mOhm a 30 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 124,4 nC a 10 V | ±20 V | 8450 pF a 50 V | - | 5,8 W (Ta), 230,8 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C13S-7 | - | ![]() | 2463 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±6% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 mW | SOD-323 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 8 V | 13 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3025LFDF-7 | 0,5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | DMN3025 | MOSFET (ossido di metallo) | U-DFN2020-6 (Tipo F) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 9,9A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 20,5 mOhm a 7 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 13,2 nC a 10 V | ±20 V | 641 pF a 15 V | - | 2,1 W (Ta) |

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