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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP4025SFG-7 | 0,6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | DMP4025 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerDI3333-8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | Canale P | 40 V | 4,65 A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 25 mOhm a 3 A, 10 V | 1,8 V a 250 µA | 14 nC a 4,5 V | ±20 V | 1643 pF a 20 V | - | 810 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTP19060CZTA | 0,7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | ZXTP19060 | 2,4 W | SOT-89-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 V | 4,5 A | 50nA (ICBO) | PNP | 410 mV a 450 mA, 4,5 A | 200 a 100 mA, 2 V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF3003-T | - | ![]() | 6822 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-201AD, assiale | UF3003 | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1 V a 3 A | 50 n | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 75 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002Q-7-F | 0,2400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 170mA (Ta) | 5 V, 10 V | 5 Ohm a 500 mA, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 0,233 nC a 10 V | ±20 V | 50 pF a 25 V | - | 370 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4004GL-T | - | ![]() | 9103 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4004 | Standard | DO-41 | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | IN4004GL-T | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1 V a 1 A | 2 µs | 5 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 8 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMN2AMCTA | 0,9900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | ZXMN2 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,7 W | DFN3020B-8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali N (doppio) | 20 V | 3,7A(Ta) | 120 mOhm a 4 A, 4,5 V | 3 V a 250 µA | 3,1 nC a 4,5 V | 299 pF a 15 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PR3005G-T | - | ![]() | 5508 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-201AD, assiale | Standard | DO-201AD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,3 V a 3 A | 250 n | 5 µA a 600 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1GB-13-F | 0,3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | S1G | Standard | PMI | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 1 A | 3 µs | 5 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 10 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2110UFDB-7 | 0,1038 | ![]() | 6993 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | DMP2110 | MOSFET (ossido di metallo) | 820 mW (Ta) | U-DFN2020-6 (Tipo B) | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMP2110UFDB-7TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali P (doppio) | 20 V | 3,2A(Ta) | 75 mOhm a 2,8 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 12,7 nC a 8 V | 443 pF a 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR2U60S1F-7 | 0,4000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123F | SBR2U60 | Superbarriera | SOD-123F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 60 V | 510 mV a 2 A | 150 µA a 60 V | -55°C ~ 175°C | 2A | 75 pF a 10 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH10H2M5STLWQ-13 | 4.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSFN | DMTH10 | MOSFET (ossido di metallo) | POWERDI1012-8 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 100 V | 215A(Tc) | 10 V | 2,5 mOhm a 30 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 124,4 nC a 10 V | ±20 V | 8450 pF a 50 V | - | 5,8 W (Ta), 230,8 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MURS320-13-F | 0,5500 | ![]() | 3922 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | MURS320 | Standard | SMC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 875 mV a 3 A | 25 ns | 5 µA a 200 V | -65°C ~ 175°C | 3A | 45 pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2053UFDB-7 | 0,1038 | ![]() | 4167 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | DMN2053 | MOSFET (ossido di metallo) | 820 mW (Ta) | U-DFN2020-6 (Tipo B) | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMN2053UFDB-7TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali N (doppio) | 20 V | 4,6A(Ta) | 35 mOhm a 5 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 7,7 nC a 10 V | 369 pF a 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ31-7 | 0,0435 | ![]() | 7486 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±3% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | DDZ31 | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 25 V | 31 V | 65 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ602 | - | ![]() | 5205 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -65°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBJ | Standard | GBJ | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | GBJ602DI | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V a 3 A | 5 µA a 200 V | 6A | Monofase | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR40150CTFP-JT | - | ![]() | 6574 | 0.00000000 | Diodi incorporati | SBR® | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | SBR40150 | Superbarriera | ITO-220AB | scaricamento | 1 (illimitato) | 31-SBR40150CTFP-JT | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 20A | 900 mV a 20 A | 100 µA a 150 V | -65°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C13S-7 | - | ![]() | 2463 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±6% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 mW | SOD-323 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 8 V | 13 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5259BQ-7-F | - | ![]() | 3703 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123 | MMSZ5259 | 370 mW | SOD-123 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 31-MMSZ5259BQ-7-FTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 30 V | 39 V | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVN3306ASTZ | 0,2970 | ![]() | 3291 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | E-Line-3 | ZVN3306 | MOSFET (ossido di metallo) | E-Line (compatibile con TO-92) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | CanaleN | 60 V | 270mA (Ta) | 10 V | 5 Ohm a 500 mA, 10 V | 2,4 V a 1 mA | ±20 V | 35 pF a 18 V | - | 625 mW(Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4746A-T | - | ![]() | 2357 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4746 | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 13,7 V | 18 V | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMC5N-7 | 0,4100 | ![]() | 7978 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UMC5 | 150 mW | SOT-353 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100mA | 500nA | 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 300 mV a 500 µA, 10 mA | 68 a 5 mA, 5 V / 30 a 10 mA, 5 V | 250 MHz | 47kOhm, 4,7kOhm | 47kOhm, 10kOhm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF20150CT-LJ | - | ![]() | 1127 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | MBRF20150 | Schottky | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 10A | 900 mV a 10 A | 50 µA a 150 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX948STZ | 0,4970 | ![]() | 5837 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | E-Line-3, formati lead | ZTX948 | 1,2 W | E-Line (compatibile con TO-92) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 20 V | 4,5 A | 50nA (ICBO) | PNP | 310 mV a 300 mA, 5 A | 100 a 1 A, 1 V | 80 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBTA42-7 | - | ![]() | 6227 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBTA42 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 500 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 500 mV a 2 mA, 20 mA | 40 a 30 mA, 10 V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMDT2227M-7 | 0,4600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | MMDT2227 | 300 mW | SOT-26 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V, 60 V | 600mA | 10nA (ICBO) | PNP, PNP | 1 V a 50 mA, 500 mA / 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 a 150 mA, 10 V | 300 MHz, 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2025UFDF-13 | 0,0998 | ![]() | 7380 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | DMN2025 | MOSFET (ossido di metallo) | U-DFN2020-6 (Tipo F) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | CanaleN | 20 V | 6,5A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 25 mOhm a 4 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 12,3 nC a 10 V | ±10 V | 486 pF a 10 V | - | 700mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B1100B-13-F | 0,4300 | ![]() | 106 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | B1100 | Schottky | PMI | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 790 mV a 1 A | 500 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 80 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP1070UCA3-7A | - | ![]() | 5486 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XFDFN | DMP1070 | MOSFET (ossido di metallo) | X4-DSN0607-3 | - | 31-DMP1070UCA3-7ATR | 1 | Canale P | 12 V | 3,6A(Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 70 mOhm a 400 mA, 4,5 V | 0,95 V a 250 µA | 1,45 nC a 4,5 V | -6V | 147 pF a 6 V | - | 710 mW | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RL206-T | - | ![]() | 1541 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | RL206 | Standard | DO-15 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1 V a 2 A | 5 µA a 800 V | -65°C ~ 150°C | 2A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DZTA42Q-13 | 0,4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | DZTA42 | 1 W | SOT-223-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 300 V | 500 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 500 mV a 2 mA, 20 mA | 25 a 1 mA, 10 V | 50 MHz |

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