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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
ZXMN2AMCTA Diodes Incorporated ZXMN2AMCTA 0,9900
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 ECAD 4 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-WDFN Tampone esposto ZXMN2 MOSFET (ossido di metallo) 1,7 W DFN3020B-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 20 V 3,7A(Ta) 120 mOhm a 4 A, 4,5 V 3 V a 250 µA 3,1 nC a 4,5 V 299 pF a 15 V -
PR3005G-T Diodes Incorporated PR3005G-T -
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 ECAD 5508 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-201AD, assiale Standard DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 1.200 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,3 V a 3 A 250 n 5 µA a 600 V -65°C ~ 150°C 3A 50 pF a 4 V, 1 MHz
S1GB-13-F Diodes Incorporated S1GB-13-F 0,3500
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 ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AA, PMI S1G Standard PMI scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 400 V 1,1 V a 1 A 3 µs 5 µA a 400 V -65°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
DMP2110UFDB-7 Diodes Incorporated DMP2110UFDB-7 0,1038
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 ECAD 6993 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMP2110 MOSFET (ossido di metallo) 820 mW (Ta) U-DFN2020-6 (Tipo B) scaricamento REACH Inalterato 31-DMP2110UFDB-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali P (doppio) 20 V 3,2A(Ta) 75 mOhm a 2,8 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 12,7 nC a 8 V 443 pF a 10 V -
SBR2U60S1F-7 Diodes Incorporated SBR2U60S1F-7 0,4000
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 ECAD 14 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123F SBR2U60 Superbarriera SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 60 V 510 mV a 2 A 150 µA a 60 V -55°C ~ 175°C 2A 75 pF a 10 V, 1 MHz
DMTH10H2M5STLWQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H2M5STLWQ-13 4.4500
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 ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerSFN DMTH10 MOSFET (ossido di metallo) POWERDI1012-8 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 100 V 215A(Tc) 10 V 2,5 mOhm a 30 A, 10 V 4 V a 250 µA 124,4 nC a 10 V ±20 V 8450 pF a 50 V - 5,8 W (Ta), 230,8 W (Tc)
MURS320-13-F Diodes Incorporated MURS320-13-F 0,5500
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 ECAD 3922 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AB, SMC MURS320 Standard SMC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 875 mV a 3 A 25 ns 5 µA a 200 V -65°C ~ 175°C 3A 45 pF a 0 V, 1 MHz
DMN2053UFDB-7 Diodes Incorporated DMN2053UFDB-7 0,1038
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 ECAD 4167 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMN2053 MOSFET (ossido di metallo) 820 mW (Ta) U-DFN2020-6 (Tipo B) scaricamento REACH Inalterato 31-DMN2053UFDB-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 20 V 4,6A(Ta) 35 mOhm a 5 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 7,7 nC a 10 V 369 pF a 10 V -
DDZ31-7 Diodes Incorporated DDZ31-7 0,0435
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 ECAD 7486 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±3% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SOD-123 DDZ31 500 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 50 nA a 25 V 31 V 65 Ohm
GBJ602 Diodes Incorporated GBJ602 -
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 ECAD 5205 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Interrotto alla SIC -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, GBJ Standard GBJ scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato GBJ602DI EAR99 8541.10.0080 15 1 V a 3 A 5 µA a 200 V 6A Monofase 200 V
SBR40150CTFP-JT Diodes Incorporated SBR40150CTFP-JT -
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 ECAD 6574 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata SBR40150 Superbarriera ITO-220AB scaricamento 1 (illimitato) 31-SBR40150CTFP-JT EAR99 8541.10.0080 50 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 150 V 20A 900 mV a 20 A 100 µA a 150 V -65°C ~ 175°C
BZT52C13S-7 Diodes Incorporated BZT52C13S-7 -
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 ECAD 2463 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±6% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 BZT52 200 mW SOD-323 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 8 V 13 V 30 Ohm
MMSZ5259BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5259BQ-7-F -
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 ECAD 3703 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 MMSZ5259 370 mW SOD-123 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-MMSZ5259BQ-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 30 V 39 V 80 Ohm
ZVN3306ASTZ Diodes Incorporated ZVN3306ASTZ 0,2970
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 ECAD 3291 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante E-Line-3 ZVN3306 MOSFET (ossido di metallo) E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 CanaleN 60 V 270mA (Ta) 10 V 5 Ohm a 500 mA, 10 V 2,4 V a 1 mA ±20 V 35 pF a 18 V - 625 mW(Ta)
1N4746A-T Diodes Incorporated 1N4746A-T -
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 ECAD 2357 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4746 1 W DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 13,7 V 18 V 20 Ohm
UMC5N-7 Diodes Incorporated UMC5N-7 0,4100
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 ECAD 7978 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UMC5 150 mW SOT-353 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 500nA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 500 µA, 10 mA 68 a 5 mA, 5 V / 30 a 10 mA, 5 V 250 MHz 47kOhm, 4,7kOhm 47kOhm, 10kOhm
MBRF20150CT-LJ Diodes Incorporated MBRF20150CT-LJ -
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 ECAD 1127 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata MBRF20150 Schottky ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 150 V 10A 900 mV a 10 A 50 µA a 150 V -55°C ~ 175°C
ZTX948STZ Diodes Incorporated ZTX948STZ 0,4970
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 ECAD 5837 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro tagliato (CT) Attivo -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante E-Line-3, formati lead ZTX948 1,2 W E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0075 2.000 20 V 4,5 A 50nA (ICBO) PNP 310 mV a 300 mA, 5 A 100 a 1 A, 1 V 80 MHz
MMBTA42-7 Diodes Incorporated MMBTA42-7 -
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 ECAD 6227 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA42 300 mW SOT-23-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 500 mA 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 2 mA, 20 mA 40 a 30 mA, 10 V 50 MHz
MMDT2227M-7 Diodes Incorporated MMDT2227M-7 0,4600
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 ECAD 20 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 MMDT2227 300 mW SOT-26 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V, 60 V 600mA 10nA (ICBO) PNP, PNP 1 V a 50 mA, 500 mA / 1,6 V a 50 mA, 500 mA 100 a 150 mA, 10 V 300 MHz, 200 MHz
DMN2025UFDF-13 Diodes Incorporated DMN2025UFDF-13 0,0998
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 ECAD 7380 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMN2025 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo F) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 CanaleN 20 V 6,5A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 25 mOhm a 4 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 12,3 nC a 10 V ±10 V 486 pF a 10 V - 700mW (Ta)
B1100B-13-F Diodes Incorporated B1100B-13-F 0,4300
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 ECAD 106 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AA, PMI B1100 Schottky PMI scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 790 mV a 1 A 500 µA a 100 V -65°C ~ 150°C 1A 80 pF a 4 V, 1 MHz
DMP1070UCA3-7A Diodes Incorporated DMP1070UCA3-7A -
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 ECAD 5486 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN DMP1070 MOSFET (ossido di metallo) X4-DSN0607-3 - 31-DMP1070UCA3-7ATR 1 Canale P 12 V 3,6A(Ta) 1,5 V, 4,5 V 70 mOhm a 400 mA, 4,5 V 0,95 V a 250 µA 1,45 nC a 4,5 V -6V 147 pF a 6 V - 710 mW
RL206-T Diodes Incorporated RL206-T -
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 ECAD 1541 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale RL206 Standard DO-15 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 4.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 800 V 1 V a 2 A 5 µA a 800 V -65°C ~ 150°C 2A -
DZTA42Q-13 Diodes Incorporated DZTA42Q-13 0,4700
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA DZTA42 1 W SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.500 300 V 500 mA 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 2 mA, 20 mA 25 a 1 mA, 10 V 50 MHz
BAW56W-7 Diodes Incorporated BAW56W-7 -
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 ECAD 8505 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 BAW56 Standard SOT-323 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 1 paio di anodo comune 75 V 150mA 1,25 V a 150 mA 4nn 2,5 µA a 75 V -65°C ~ 150°C
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated ZXMN3A01FTA 0,4600
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 ECAD 18 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 30 V 1,8A(Ta) 4,5 V, 10 V 120 mOhm a 2,5 A, 10 V 1 V a 250 µA 3,9 nC a 10 V ±20 V 190 pF a 25 V - 625 mW(Ta)
2N7002-7-F-79 Diodes Incorporated 2N7002-7-F-79 -
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 ECAD 9387 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto 2N7002 - 1 (illimitato) REACH Inalterato 2N7002-7-F-79DI EAR99 8541.21.0095 3.000
DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated DMC2053UVT-7 0,4200
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 DMC2053 MOSFET (ossido di metallo) 700mW (Ta) TSOT-26 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canali N e P complementari 20 V 4,6 A (Ta), 3,2 A (Ta) 35 mOhm a 5 A, 4,5 V, 74 mOhm a 3,5 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 3,6 nC a 4,5 V, 5,9 nC a 4,5 V 369 pF a 10 V, 440 pF a 10 V -
SD103AW-13 Diodes Incorporated SD103AW-13 -
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 ECAD 9217 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SOD-123 SD103A Schottky SOD-123 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 600 mV a 200 mA 10 ns 5 µA a 30 V -65°C ~ 125°C 350mA 28 pF a 0 V, 1 MHz
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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