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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)
ZXTC2061E6TA	0,7500	Richiesta di offerta	6286	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	ZXTC2061		1,1 W	SOT-26	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	3.000																							12V	5A, 3,5A			50nA (ICBO)			PNP, PNP	180 mV a 100 mA, 5 A / 200 mV a 350 mA, 3,5 A	480 a 1 A, 2 V / 290 a 1 A, 2 V	260 MHz
DMT12H065LFDF-13	0,3232	Richiesta di offerta	3014	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	DMT12	MOSFET (ossido di metallo)		U-DFN2020-6 (Tipo F)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-DMT12H065LFDF-13TR	EAR99	8541.29.0095	10.000			CanaleN	115 V	4,3A(Ta)	3 V, 10 V	65 mOhm a 3 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	5,5 nC a 10 V	±12V	252 pF a 50 V	-	1 W (Ta)
DMC3061SVTQ-7-52	0,1059	Richiesta di offerta	8800	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	DMC3061	MOSFET (ossido di metallo)	880 mW	TSOT-26	scaricamento				31-DMC3061SVTQ-7-52	EAR99	8541.29.0095	3.000	Canali N e P complementari			30 V	3,4 A (Ta), 2,7 A (Ta)		60 mOhm a 3,1 A, 10 V, 95 mOhm a 2,7 A, 10 V	1,8 V a 250 µA, 2,2 V a 250 µA	6,6 nC a 10 V, 6,8 nC a 10 V		27,6 pF a 15 V, 28,7 pF a 15 V	Standard
DMC1015UPD-13-52	0,2900	Richiesta di offerta	4154	Diodi incorporati	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	DMC1015	MOSFET (ossido di metallo)	2,3 W(Ta)	PowerDI5060-8	scaricamento				31-DMC1015UPD-13-52	EAR99	8541.29.0095	2.500	Canali N e P			12V, 20V	9,5 A(Ta), 6,8 A(Ta)		17 mOhm a 11,8 A, 4,5 V, 35 mOhm a 8,9 A, 4,5 V	1,5 V a 250 µA	15,6 nC a 4,5 V, 15,4 nC a 4,5 V		1495pF a 6V, 1745pF a 10V	Standard
DDTC113TCA-7	-	Richiesta di offerta	9296	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTC113		200 mW	SOT-23-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							50 V	100 mA			500nA (ICBO)			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 1 mA, 10 mA	100 a 1 mA, 5 V	250 MHz	1 kOhm
BZX84B3V3Q-7-F	0,0382	Richiesta di offerta	8629	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300 mW	SOT-23-3	scaricamento			REACH Inalterato	31-BZX84B3V3Q-7-FTR	EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		5 µA a 1 V									3,3 V	95 Ohm
SD1A240E	0,4100	Richiesta di offerta	8678	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo					SD1A240				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	5.000
BAT760-7	0,5300	Richiesta di offerta	10	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	BAT760	Schottky		SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													30 V		550 mV a 1 A		50 µA a 15 V	-65°C ~ 150°C	1A	25 pF a 5 V, 1 MHz
DMT6016LSS-13	0,6000	Richiesta di offerta	41	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	DMT6016	MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	60 V	9,2A (Ta)	4,5 V, 10 V	18 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±20 V	864 pF a 30 V	-	1,5 W(Ta)
BAW101V-7	0,0907	Richiesta di offerta	8557	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta			Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	BAW101	Standard		SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												2 Indipendente	325 V	250 mA (CC)	1,1 V a 100 mA	50 n	150 nA a 250 V	-55°C ~ 150°C
DMT6010LSS-13	1.3000	Richiesta di offerta	6	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	DMT6010	MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	60 V	14A (Ta)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 20 A, 10 V	2 V a 250 µA	41,3 nC a 10 V	±20 V	2090 pF a 30 V	-	1,5 W(Ta)
PR1003GL-T	-	Richiesta di offerta	5016	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	PR1003	Standard		DO-41	-		1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													200 V		1,3 V a 1 A	150 n	5 µA a 200 V	-65°C ~ 150°C	1A	15 pF a 4 V, 1 MHz
BAT54CWQ-7-F-52	0,0619	Richiesta di offerta	7991	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BAT54	Schottky		SOT-323	scaricamento				31-BAT54CWQ-7-F-52	EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												1 paio di catodo comune	30 V	200mA	1 V a 100 mA	5 nn	2 µA a 25 V	-65°C ~ 125°C
ZTX415STZ	6.5536	Richiesta di offerta	5133	Diodi incorporati	-	Nastro e scatola (TB)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX415		680 mW	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000																							100 V	500 mA			100nA (ICBO)			NPN - Modalità valanga	500 mV a 1 mA, 10 mA	25 a 10 mA, 10 V	40 MHz
RS2J-13-F	0,4600	Richiesta di offerta	10	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	RS2J	Standard		PMI	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													600 V		1,3 V a 1,5 A	250 n	5 µA a 600 V	-65°C ~ 150°C	1,5 A	30 pF a 4 V, 1 MHz
DMN2024UQ-13	0,1075	Richiesta di offerta	2208	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN2024	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento			REACH Inalterato	31-DMN2024UQ-13TR	EAR99	8541.29.0095	10.000			CanaleN	20 V	6,8A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	25 mOhm a 6,5 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	6,5 nC a 4,5 V	±10 V	647 pF a 10 V	-	800 mW
BC848C-7-F	0,2000	Richiesta di offerta	632	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC848		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							30 V	100 mA			15nA			NPN	600mV a 5mA, 100mA	420 a 2 mA, 5 V	300 MHz
PBPC1005	-	Richiesta di offerta	6734	Diodi incorporati	-	Scatola	Obsoleto		-65°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	4 quadrati, PBPC-8		Standard		PBPC-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	150																	1,1 V a 5 A		10 µA a 600 V		8A				Monofase	600 V
DDZX24C-7	0,2500	Richiesta di offerta	1	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±3%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDZX24		300 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		50 nA a 19 V									24 V	35 Ohm
DSS4160U-7	0,4300	Richiesta di offerta	2615	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	DSS4160		400 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																							60 V	1A			100 nA			NPN	280 mV a 100 mA, 1 A	200 a 500 mA, 5 V	150 MHz
G30H120CTFW	0,8700	Richiesta di offerta	7849	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata		Schottky		ITO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-G30H120CTFW	EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	120 V	30A	840 mV a 15 A		5 µA a 120 V	-55°C ~ 175°C
FZT796ATC	-	Richiesta di offerta	4961	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	FZT796		2 W	SOT-223-3	scaricamento		1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0075	4.000																							200 V	500 mA			100nA (ICBO)			PNP	300mV a 20mA, 200mA	300 a 10 mA, 10 V	100 MHz
DDZ9705T-7	0,0840	Richiesta di offerta	9646	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523	DDZ9705		150 mW	SOD-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		50 nA a 13,6 V									18 V
BSS123-7-F-50	0,0357	Richiesta di offerta	6601	Diodi incorporati	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS123	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento		1 (illimitato)		31-BSS123-7-F-50	EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	100 V	170mA (Ta)	4,5 V, 10 V	6 Ohm a 170 mA, 10 V	2 V a 1 mA		±20 V	60 pF a 25 V	-	300 mW (Ta)
DMP3048LSD-13	0,2097	Richiesta di offerta	5062	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	DMP3048	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali P (doppio)			30 V	4,8A(Ta)		48 mOhm a 5 A, 10 V	1,3 V a 250 µA	13,5 nC a 4,5 V		1438 pF a 15 V	-
FLLD258TA	-	Richiesta di offerta	7225	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FLLD258	Standard		SOT-23-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	100 V	250 mA	1,4 V a 200 mA	400 n	3 nA a 50 V	-55°C ~ 150°C
DMN3032LFDB-13	0,1234	Richiesta di offerta	5234	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	DMN3032	MOSFET (ossido di metallo)	1 W	U-DFN2020-6 (Tipo B)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10.000	2 canali N (doppio)			30 V	6.2A		30 mOhm a 5,8 A, 10 V	2 V a 250 µA	10,6 nC a 10 V		500 pF a 15 V	-
ZXM66N03N8TA	-	Richiesta di offerta	9602	Diodi incorporati	-	Digi-Reel®	Obsoleto			Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN	30 V	9A (Ta)		15 mOhm a 7,3 A, 10 V	1 V a 250 µA				-
BCX5216TA	0,4000	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	BCX5216		1 W	SOT-89-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																							60 V	1A			100nA (ICBO)			PNP	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	150 MHz
DMN10H170SVTQ-7	0,6000	Richiesta di offerta	725	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	DMN10	MOSFET (ossido di metallo)		TSOT-26	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN	100 V	2,6A(Ta)	4,5 V, 10 V	160 mOhm a 5 A, 10 V	3 V a 250 µA	9,7 nC a 10 V	±20 V	1167 pF a 25 V	-	1,2 W (Ta)