SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1)
DMT2004UFG-7 Diodes Incorporated DMT2004UFG-7 0,6100
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ECAD 3407 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMT2004 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 24 V 70A (Tc) 2,5 V, 10 V 5 mOhm a 12 A, 10 V 1,45 V a 250 µA 53,7 nC a 10 V ±12V 1683 pF a 15 V - 2,3 W(Ta)
DMP610DLQ-13 Diodes Incorporated DMP610DLQ-13 0,0406
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ECAD 3257 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento REACH Inalterato 31-DMP610DLQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10.000 Canale P 60 V 186mA (Ta) 5 V 10 Ohm a 100 mA, 5 V 2 V a 1 mA 0,5 nC a 5 V ±30 V 40 pF a 25 V - 520 mW (Ta)
1N4003G-T Diodes Incorporated 1N4003G-T 0,3600
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ECAD 23 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4003 Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1 V a 1 A 2 µs 5 µA a 200 V -65°C ~ 175°C 1A 8 pF a 4 V, 1 MHz
BC857BW-7-F Diodes Incorporated BC857BW-7-F 0,2000
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ECAD 17 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 BC857 200 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15nA (ICBO) PNP 650 mV a 5 mA, 100 mA 220 a 2 mA, 5 V 200 MHz
BAV199DWQ-7-F Diodes Incorporated BAV199DWQ-7-F 0,4000
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ECAD 26 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAV199 Standard SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità Connessione in serie a 2 coppie 85 V 140 mA (CC) 1,1 V a 50 mA 3 µs 5 nA a 75 V -65°C ~ 150°C
SBR40100CT Diodes Incorporated SBR40100CT 2.1250
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ECAD 9168 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 SBR40100 Superbarriera TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 20A 820 mV a 20 A 100 µA a 100 V -65°C ~ 175°C
SBR3U60P5Q-7D Diodes Incorporated SBR3U60P5Q-7D 0,2083
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ECAD 3814 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale PowerDI™5 SBR3U60 Superbarriera PowerDI™5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 1.500 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 60 V 620 mV a 3 A 100 µA a 60 V -65°C ~ 150°C 3A -
DMP3026SFDF-13 Diodes Incorporated DMP3026SFDF-13 0,1462
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ECAD 4371 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMP3026 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo F) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 10.000 Canale P 30 V 10,3A(Ta) 4 V, 10 V 19 mOhm a 4,5 A, 10 V 3 V a 250 µA 19,6 nC a 10 V ±25 V 1204 pF a 15 V - 2 W (Ta)
ZXMN2A01E6TC Diodes Incorporated ZXMN2A01E6TC -
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ECAD 8701 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-6 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 10.000 CanaleN 20 V 2,5A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 120 mOhm a 4 A, 4,5 V 700 mV a 250 µA (min) 3 nC a 4,5 V ±12V 303 pF a 15 V - 1,1 W (Ta)
SBR30E45CT Diodes Incorporated SBR30E45CT -
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ECAD 3545 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 SBR30 Superbarriera TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 50 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 15A 550 mV a 15 A 480 µA a 45 V -65°C ~ 150°C
DDZ9697S-7 Diodes Incorporated DDZ9697S-7 0,4500
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ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 DDZ9697 200 mW SOD-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 7,6 V 10 V
SBRT30A45CT Diodes Incorporated SBRT30A45CT 1.2500
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ECAD 44 0.00000000 Diodi incorporati TrinceaSBR Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 SBRT30 Superbarriera TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato SBRT30A45CTDI EAR99 8541.10.0080 50 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 15A 510 mV a 15 A 400 µA a 45 V -55°C ~ 150°C
ADTB122LCQ-13 Diodes Incorporated ADTB122LCQ-13 -
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ECAD 7809 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ADTB122 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-ADTB122LCQ-13TR OBSOLETO 10.000
BZT585B2V4TQ-13 Diodes Incorporated BZT585B2V4TQ-13 0,0417
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ECAD 9660 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-79, SOD-523 BZT585 350 mW SOD-523 scaricamento REACH Inalterato 31-BZT585B2V4TQ-13TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1,1 V a 100 mA 50 µA a 1 V 2,4 V 100 ohm
FMMT718TA-50 Diodes Incorporated FMMT718TA-50 0,0852
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ECAD 9862 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT718 625 mW SOT-23-3 scaricamento 31-FMMT718TA-50 EAR99 8541.21.0075 3.000 20 V 1,5 A 100 nA PNP 220 mV a 50 mA, 1,5 A 300 a 100 mA, 2 V 180 MHz
MMSZ5252BS-7 Diodes Incorporated MMSZ5252BS-7 -
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ECAD 2337 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 MMSZ5252B 200 mW SOD-323 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 18 V 24 V 33 Ohm
DMTH61M8LPS-13 Diodes Incorporated DMTH61M8LPS-13 2.3200
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ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMTH61 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 225A(Tc) 4,5 V, 10 V 1,6 mOhm a 30 A, 10 V 3 V a 250 µA 115,5 nC a 10 V ±20 V 8320 pF a 30 V - 3,2 W (Ta), 187,5 W (Tc)
DMG1012T-13 Diodes Incorporated DMG1012T-13 0,0393
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ECAD 3523 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-523 DMG1012 MOSFET (ossido di metallo) SOT-523 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 CanaleN 20 V 630mA (Ta) 1,8 V, 4,5 V 400 mOhm a 600 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA 0,74 nC a 4,5 V ±6 V 60,67 pF a 16 V - 280 mW (Ta)
DMPH4025SFVWQ-13 Diodes Incorporated DMPH4025SFVWQ-13 0,3426
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ECAD 6593 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale, fianco bagnabile 8-PowerVDFN DMPH4025 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 40 V 8,7 A (Ta), 40 A (Tc) 4,5 V, 10 V 25 mOhm a 30 A, 10 V 1,8 V a 250 µA 38,6 nC a 10 V ±20 V 1918 pF a 20 V - 2,3 W (Ta), 60 W (Tc)
DMN2991UT-13 Diodes Incorporated DMN2991UT-13 0,0544
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ECAD 8611 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-523 DMN2991 MOSFET (ossido di metallo) SOT-523 scaricamento REACH Inalterato 31-DMN2991UT-13TR EAR99 8541.21.0095 10.000 CanaleN 20 V 300mA (Ta) 1,5 V, 4,5 V 3 Ohm a 100 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA 0,35 nC a 4,5 V ±10 V 21,5 pF a 15 V - 280 mW (Ta)
MMBZ5243BS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5243BS-7-F 0,4100
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ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5243 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 2 Indipendente 900 mV a 10 mA 500 nA a 9,9 V 13 V 13 Ohm
DMT10H015SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H015SPS-13 0,3772
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ECAD 8950 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMT10 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 100 V 7,3 A(Ta), 44 A(Tc) 4,5 V, 10 V 16 mOhm a 20 A, 10 V 3 V a 250 µA 33,3 nC a 10 V ±20 V 1871 pF a 50 V - 1,3 W (Ta), 46 W (Tc)
DDZ9717-7 Diodes Incorporated DDZ9717-7 0,0630
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ECAD 6111 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 DDZ9717 500 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 50 nA a 32,6 V 43 V
1N4752A-T Diodes Incorporated 1N4752A-T -
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ECAD 9458 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 175°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4752 1 W DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 5 µA a 25,1 V 33 V 45 Ohm
DMNH4011SK3Q-13 Diodes Incorporated DMNH4011SK3Q-13 0,4939
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ECAD 7703 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 DMNH4011 MOSFET (ossido di metallo) TO-252-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 50A (Tc) 10 V 10 mOhm a 50 A, 10 V 4 V a 250 µA 25,5 nC a 10 V ±20 V 1405 pF a 20 V - 2,6 W(Ta)
PR1006GL-T Diodes Incorporated PR1006GL-T -
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ECAD 8013 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale Standard DO-41 - 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 800 V 1,3 V a 1 A 500 n 5 µA a 800 V -65°C ~ 150°C 1A 8 pF a 4 V, 1 MHz
DMT6017LFDF-13 Diodes Incorporated DMT6017LFDF-13 0,1580
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ECAD 3587 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMT6017 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo F) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-DMT6017LFDF-13TR EAR99 8541.21.0095 10.000 CanaleN 65 V 8.1A (Ta) 4,5 V, 10 V 18 mOhm a 6 A, 10 V 2,3 V a 250 µA 15,3 nC a 10 V ±16V 891 pF a 30 V - 800 mW (Ta)
SBRT20V45CTB-13 Diodes Incorporated SBRT20V45CTB-13 -
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ECAD 8802 0.00000000 Diodi incorporati TrinceaSBR Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SBRT20 Superbarriera TO-263AB (D²PAK) scaricamento 1 (illimitato) 31-SBRT20V45CTB-13TR EAR99 8541.10.0080 800 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 10A 520 mV a 10 A 300 µA a 45 V -55°C ~ 150°C
BAW56W-7-G Diodes Incorporated BAW56W-7-G -
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ECAD 6268 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BAW56 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BAW56W-7-GDI EAR99 8541.10.0070 3.000
DDTA144TUA-7-F Diodes Incorporated DDTA144TUA-7-F 0,0435
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ECAD 7456 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DDTA144 200 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 250 µA, 2,5 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 47 kOhm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock