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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMPH3010LPSQ-13 | 0,4631 | ![]() | 5150 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | DMPH3010 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerDI5060-8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 30 V | 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 7,5 mOhm a 10 A, 10 V | 2,1 V a 250 µA | 139 nC a 10 V | ±20 V | 6807 pF a 15 V | - | 2,6 W(Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRT15M50SP5-13 | - | ![]() | 1707 | 0.00000000 | Diodi incorporati | TrinceaSBR | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | PowerDI™5 | Superbarriera | PowerDI™5 | scaricamento | 1 (illimitato) | 31-SBRT15M50SP5-13TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 520 mV a 15 A | 150 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4001-B | - | ![]() | 4746 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4001 | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 1N4001-BDI | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1 V a 1 A | 5 µA a 50 V | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52HC3V9WF-7 | 0,0439 | ![]() | 9803 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5,13% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123F | BZT52 | 375 mW | SOD-123F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA a 1 V | 3,9 V | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9702S-7 | 0,4500 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | DDZ9702 | 200 mW | SOD-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 11,4 V | 15 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V0-7-F-79 | - | ![]() | 9235 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | BZX84 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | BZX84C3V0-7-F-79DI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5234B-7 | - | ![]() | 6584 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | MMSZ5234 | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 5 µA a 4 V | 6,2 V | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C12T-7 | 0,2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | BZT52 | 300 mW | SOD-523 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 8 V | 12 V | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30A40CTFP-G | - | ![]() | 9786 | 0.00000000 | Diodi incorporati | SBR® | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | SBR30 | Superbarriera | ITO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 31-SBR30A40CTFP-G | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 30A | 500 mV a 15 A | 500 µA a 40 V | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5258BS-7 | 0,1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro tagliato (CT) | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF20DG_HF | 0,0963 | ![]() | 6223 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Attivo | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | SF20DG | Standard | DO-15 | scaricamento | 31-SF20DG_HF | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 950 mV a 2 A | 35 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 40 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTA114YCA-7-F | 0,0386 | ![]() | 9580 | 0.00000000 | Diodi incorporati | DDTA (SERIE R1≠R2) CA | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DDTA114 | 200 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-polarizzato | 300 mV a 250 µA, 5 mA | 68 a 10 mA, 5 V | 250 MHz | 10 kOhm | 47 kOhm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ1002 | - | ![]() | 9282 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -65°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBJ | GBJ1002 | Standard | GBJ | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | GBJ1002DI | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V a 5 A | 10 µA a 200 V | 10A | Monofase | 200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B350BQ-13-F | 0,1752 | ![]() | 6041 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | B350 | Schottky | PMI | scaricamento | REACH Inalterato | 31-B350BQ-13-FTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 700 mV a 3 A | 500 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 200 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH4014LDVW-13 | 0,2426 | ![]() | 6964 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | DMTH4014 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,16 W(Ta) | PowerDI3333-8 (tipo UXD) | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMTH4014LDVW-13TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali N (doppio) | 40 V | 10,2 A (Ta), 27,5 A (Tc) | 15 mOhm a 20 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 11,2 nC a 10 V | 750 pF a 20 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZ9V1BQ-13 | 0,3300 | ![]() | 4819 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | - | UDZ9V1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC2025UFDBQ-7 | 0,1294 | ![]() | 1889 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | DMC2025 | MOSFET (ossido di metallo) | 700mW (Ta) | U-DFN2020-6 (Tipo B) | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMC2025UFDBQ-7TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canali N e P complementari | 20 V | 6A(Ta), 3,5A(Ta) | 25 mOhm a 4 A, 4,5 V, 75 mOhm a 2,9 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA, 1,4 V a 250 µA | 12,3 nC a 10 V, 15 nC a 8 V | 486pF a 10 V, 642pF a 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B150-13-F | 0,4300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | B150 | Schottky | SMA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 700 mV a 1 A | 500 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 110 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS8402DWQ-13-52 | 0,0608 | ![]() | 9416 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS8402 | MOSFET (ossido di metallo) | 200mW (Ta) | SOT-363 | scaricamento | 1 (illimitato) | 31-BSS8402DWQ-13-52 | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canali N e P complementari | 60 V, 50 V | 115 mA (Ta), 130 mA (Ta) | 13,5 Ohm a 500 mA, 10 V, 10 Ohm a 100 mA, 5 V | 2,5 V a 250 µA, 2 V a 1 mA | - | 50 pF a 25 V, 45 pF a 25 V | Standard | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5248BTS-7-F | 0,1300 | ![]() | 7154 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5248 | 200 mW | SOT-363 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Indipendente | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 14 V | 18 V | 21 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C30W-7 | - | ![]() | 8961 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±7% | -65°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | BZX84 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 21 V | 30 V | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T12M50T600B | 0,8000 | ![]() | 5886 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Attivo | T12M50 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 31-T12M50T600B | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR2U60S1FQ-7 | 0,4000 | ![]() | 3010 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automotive, AEC-Q101, SBR® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123F | SBR2U60 | Superbarriera | SOD-123F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 60 V | 510 mV a 2 A | 150 µA a 60 V | -55°C ~ 175°C | 2A | 75 pF a 10 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99BRW-7-F | 0,4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV99 | Standard | SOT-363 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | Connessione in serie a 2 coppie | 75 V | 150mA | 1,25 V a 150 mA | 4 ns | 2,5 µA a 75 V | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS2030 | 0,8450 | ![]() | 1989 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | STPS20 | Standard | ITO220AB (Tipo WX2) | scaricamento | 31-STPS2030 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 300 V | 10A | 1,3 V a 10 A | 35 ns | 10 µA a 300 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KBJ604G | 1.0220 | ![]() | 9915 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Attivo | -65°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBJ | KBJ604 | Standard | KBJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V a 3 A | 5 µA a 400 V | 6A | Monofase | 400 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP3007SPS-13 | 0,9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | DMP3007 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerDI5060-8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 30 V | 90A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 7 mOhm a 15 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 64,2 nC a 10 V | ±25 V | 2826 pF a 15 V | - | 2,7 W(Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LSC06065Q8 | - | ![]() | 8746 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | 4-PowerTSFN | SiC (carburo di silicio) Schottky | DFN8080 | scaricamento | 31-LSC06065Q8 | OBSOLETO | 1 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 200 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 6A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADTA144VCAQ-13 | 0,0526 | ![]() | 3864 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ADTA144 | 310 mW | SOT-23-3 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-ADTA144VCAQ-13TR | EAR99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 V | 100 mA | 500nA | PNP - Pre-polarizzato | 300 mV a 500 µA, 10 mA | 33 a 10 mA, 5 V | 250 MHz | 47 kOhm | 10 kOhm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B230-13 | - | ![]() | 8907 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | B230 | Schottky | PMI | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 500 mV a 2 A | 500 µA a 30 V | -65°C ~ 150°C | 2A | 200 pF a 4 V, 1 MHz |

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