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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | US1MDFQ-13 | 0,4400 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 2-SMD, cavo piatto | US1M | Standard | Re bemolle | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,7 V a 1 A | 75 ns | 5 µA a 1000 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 10 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FZT591AQTA | 0,3680 | ![]() | 1648 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | FZT591 | 2 W | SOT-223-3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 40 V | 1A | 100 nA | PNP | 500 mV a 100 mA, 1 A | 300 a 100 mA, 5 V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT585B15TQ-13 | 0,4400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 mW | SOD-523 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V a 100 mA | 50 nA a 10,5 V | 15 V | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACX114EUQ-7R | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ACX114 | 270 mW | SOT-363 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100mA | 500nA | 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 300 mV a 500 µA, 10 mA | 30 a 5 mA, 5 V | 250 MHz | 10kOhm | 10kOhm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH6016LFVWQ-7-A | 0,3236 | ![]() | 2565 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale, fianco bagnabile | 8-PowerVDFN | DMTH6016 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMTH6016LFVWQ-7-ATR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | CanaleN | 60 V | 41A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 16 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 15,1 nC a 10 V | ±20 V | 939 pF a 30 V | - | 1,17 W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||
| DMC2400UV | - | ![]() | 1276 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-563, SOT-666 | DMC2400 | MOSFET (ossido di metallo) | 450 mW(Ta) | SOT-563 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMC2400UV | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canali N e P complementari | 20 V | 1,03 A (Ta), 700 mA (Ta) | 480 mOhm a 200 mA, 5 V, 970 mOhm a 100 mA, 5 V | 900 mV a 250 µA, 1 V a 250 µA | 0,5 nC a 4,5 V, 0,8 nC a 10 V | 37,1 pF a 10 V, 46,1 pF a 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB560-A52 | - | ![]() | 1906 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e scatola (TB) | Obsoleto | scaricamento | REACH Inalterato | 31-SB560-A52TB | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT54A-13-F-52 | 0,0242 | ![]() | 2233 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | SOT-23-3 | scaricamento | 31-BAT54A-13-F-52 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 1 paio di anodo comune | 30 V | 200mA | 800 mV a 100 mA | 5 ns | 2 µA a 25 V | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM20U40-7-52 | 0,0412 | ![]() | 5678 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | SDM20 | Schottky | SOD-523 | scaricamento | 31-SDM20U40-7-52 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 600 mV a 200 mA | 10 ns | 5 µA a 30 V | -65°C ~ 125°C | 250 mA | 50 pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTD123EC-7-F | 0,0531 | ![]() | 7160 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DDTD123 | 200 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500nA | NPN - Prepolarizzato | 300 mV a 2,5 mA, 50 mA | 39 a 50 mA, 5 V | 200 MHz | 2,2 kOhm | 2,2 kOhm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| AZ23C5V6-7 | - | ![]() | 2408 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C5V6 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 paio di anodo comune | 100 nA a 1 V | 5,6 V | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ULN62003AS16-13 | 0,6500 | ![]() | 4250 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ULN62003 | - | 16-SO | scaricamento | 31-ULN62003AS16-13 | EAR99 | 8541.10.0070 | 4.000 | 50 V | 500mA | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3069L-13 | 0,0608 | ![]() | 2007 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN3069 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMN3069L-13TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 10.000 | CanaleN | 30 V | 5,3A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 30 mOhm a 4 A, 10 V | 1,8 V a 250 µA | 8,1 nC a 10 V | ±20 V | 309 pF a 15 V | - | 800 mW | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR1M100BLP-7 | 0,7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-PowerUDFN | Standard | U-DFN3030-4 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 820 mV a 1 A | 25 µA a 100 V | 1A | Monofase | 100 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR8S45SP5-13 | - | ![]() | 6094 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | SBR8S45 | - | - | 1 (illimitato) | 31-SBR8S45SP5-13TR | OBSOLETO | 1.000 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP6023LSS-13 | 0,8300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DMP6023 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 60 V | 6,6A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 25 mOhm a 5 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 53,1 nC a 10 V | ±20 V | 2569 pF a 30 V | - | 1,2 W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZT600TA-79 | - | ![]() | 8223 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 31-FZT600TA-79TR | OBSOLETO | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZLLS400TC-2477 | - | ![]() | 1812 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | - | 31-ZLLS400TC-2477 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 500 mV a 400 mA | 3 ns | 10 µA a 30 V | 150°C | 520mA | 15 pF a 30 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP610DL-13 | 0,0289 | ![]() | 7476 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMP610 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canale P | 60 V | 180mA (Ta) | 5 V | 10 Ohm a 100 mA, 5 V | 2 V a 1 mA | 0,56 nC a 10 V | ±30 V | 24,6 pF a 25 V | - | 310 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2025UFDF-7 | 0,1135 | ![]() | 1928 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | DMN2025 | MOSFET (ossido di metallo) | U-DFN2020-6 (Tipo F) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 6,5A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 25 mOhm a 4 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 12,3 nC a 10 V | ±10 V | 486 pF a 10 V | - | 700mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC05120FP | 6.0400 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 Confezione completa, scheda isolata | SiC (carburo di silicio) Schottky | ITO-220AC (Tipo WX) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 31-DSC05120FP | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V a 5 A | 0 ns | 190 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 5A | 318pF a 100mV, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ20CQ-7 | 0,0508 | ![]() | 9437 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±3% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | DDZ20 | 310 mW | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | DDZ20CQ-7DI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 15 V | 19.73 V | 28 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5229B-7-G | - | ![]() | 3379 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MMBZ5229B-7-GDI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6263W-7-F | 0,4300 | ![]() | 71 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123 | 1N6263 | Schottky | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 60 V | 1 V a 15 mA | 1 ns | 200 nA a 50 V | -55°C ~ 125°C | 15 mA | 2,2 pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN33D8LT-13 | 0,3600 | ![]() | 255 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-523 | DMN33 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-523 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | CanaleN | 30 V | 115mA (Ta) | 2,5 V, 4 V | 5 Ohm a 10 mA, 4 V | 1,5 V a 100 µA | 0,55 nC a 10 V | ±20 V | 48 pF a 5 V | - | 240 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
| DZ23C15-7-F | 0,4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 paio di catodo comune | 15 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ22ASF-7 | 0,0380 | ![]() | 1907 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±3% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-90, SOD-323F | DDZ22 | 500 mW | SOD-323F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 70 nA a 19,1 V | 20,68 V | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT3009UDT-7 | 0,3304 | ![]() | 2797 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | DMT3009 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,1 W (Ta), 16 W (Tc) | V-DFN3030-8 (Tipo KS) | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMT3009UDT-7TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | Sorgente comune a 2 canali N (doppia). | 30 V | 10,6 A (Ta), 30 A (Tc) | 11,1 mOhm a 11 A, 10 V | 1,8 V a 250 µA | 14,6 nC a 10 V | 894 pF a 15 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5819A-01 | - | ![]() | 1110 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Obsoleto | - | - | 1N5819 | - | - | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 31-1N5819A-01 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZLLS1000QTA | 0,5300 | ![]() | 701 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZLLS1000 | Schottky | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 31-ZLLS1000QTACT | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 560 mV a 1 A | 5 ns | 20 µA a 30 V | 150°C (massimo) | 1,16A | 28 pF a 30 V, 1 MHz |

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