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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DDTC115ECA-7-F | 0,2200 |  | 8 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DDTC115 | 200 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500nA | NPN - Prepolarizzato | 300 mV a 250 µA, 5 mA | 82 a 5 mA, 5 V | 250 MHz | 100 kOhm | 100 kOhm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | ZDT6702QTA | 0,8667 |  | 4945 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-223-8 | ZDT6702 | 2,75 W | SM-8 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-ZDT6702QTATR | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 V | 1,75 A | 500nA | NPN, PNP Darlington complementari | 1,28 V a 2 mA, 1,75 A | da 5000 a 500 mA, 5 V / da 2000 a 500 mA, 5 V | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCV47TC | 0,3500 |  | 1930 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCV47 | 330 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 60 V | 500 mA | - | NPN-Darlington | 1 V a 100 µA, 100 mA | 10000 a 100 mA, 5 V | 170 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | DMN10H220LK3-13 | 0,4300 |  | 7131 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | DMN10 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252, (D-Pak) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 100 V | 7,5 A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 220 mOhm a 2 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 6,7 nC a 10 V | ±20 V | 384 pF a 25 V | - | 18,7 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
|  | PR1502G-T | - |  | 6899 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | PR1502 | Standard | DO-15 | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1,3 V a 1,5 A | 150 n | 5 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 1,5 A | 25 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SBR10150CT | 1.1600 |  | 43 | 0.00000000 | Diodi incorporati | SBR® | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 | SBR10150 | Superbarriera | TO-220-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 5A | 920 mV a 5 A | 250 µA a 150 V | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | S2A-13-F | 0,3800 |  | 77 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | S2A | Standard | PMI | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,15 V a 1,5 A | 5 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 1,5 A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | DXTP07040CFGQ-7 | 0,2136 |  | 5767 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale, fianco bagnabile | 8-PowerVDFN | DXTP07040 | 900 mW | PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 V | 3A | 20nA (ICBO) | PNP | 500 mV a 50 mA, 2 A | 300 a 10 mA, 2 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DZ23C6V2-7 | - |  | 9084 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DZ23C6V2 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 paio di catodo comune | 6,2 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB156 | - |  | 9740 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Terminale CQ | 4 quadrati, MB | MB156 | Standard | MB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V a 7,5 A | 10 µA a 600 V | 15A | Monofase | 600 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AZ23C5V1Q-7-F | 0,0734 |  | 1677 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5,88% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | AZ23C5V1 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | AZ23C5V1Q-7-FDI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 paio di anodo comune | 100 nA a 800 mV | 5,1 V | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BST51TA | - |  | 7673 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Digi-Reel® | Obsoleto | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | BST51 | 1 W | SOT-89-3 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 60 V | 500 mA | 10 µA | NPN-Darlington | 1,3 V a 500 µA, 500 mA | 1000 a 150 mA, 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | APD340VG-G1 | - |  | 2284 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Obsoleto | Foro passante | DO-204AC, DO-15, assiale | APD340 | Schottky | DO-15 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 500 mV a 3 A | 500 µA a 40 V | -50°C ~ 125°C | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | 1N4148WS-13-F | 0,2100 |  | 37 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | 1N4148 | Standard | SOD-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 75 V | 1,25 V a 150 mA | 4nn | 1 µA a 75 V | 150°C (massimo) | 150mA | 2pF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | DDZ14BQ-7 | - |  | 5874 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±3% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | DDZ14 | 310 mW | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 11 V | 14.26 V | 16 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | SDT15H100P5-13 | 0,8200 |  | 6584 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | PowerDI™5 | SDT15 | Schottky | PowerDI™5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 660 mV a 15 A | 250 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | DMN6013LFG-7 | 0,7300 |  | 31 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | DMN6013 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerDI3333-8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | CanaleN | 60 V | 10,3 A (Ta), 45 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 13 mOhm a 10 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 55,4 nC a 10 V | ±20 V | 2577 pF a 30 V | - | 1 W (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
|  | MBRD10100CT-13 | 0,5400 |  | 32 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | MBRD10100 | Schottky | TO-252-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 5A | 840 mV a 5 A | 100 µA a 100 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBZ5257BQ-7-F | 0,0367 |  | 1967 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5257 | 350 mW | SOT-23-3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 25 V | 33 V | 58 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | ZTX10470ASTOB | - |  | 8800 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Foro passante | E-Line-3, formati lead | 1 W | E-Line (compatibile con TO-92) | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 10 V | 4A | 10nA | NPN | 185 mV a 10 mA, 3 A | 300 a 1 A, 2 V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | BZX84C6V8S-7-F-79 | - |  | 6966 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | BZX84 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | BZX84C6V8S-7-F-79DI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | S5MC-13-F | 0,5500 |  | 174 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | S5M | Standard | SMC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,15 V a 5 A | 10 µA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 5A | 40 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | DMN2080UCB4-7 | 0,1300 |  | 5291 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-XFBGA, WLBGA | DMN2080 | MOSFET (ossido di metallo) | X2-WLB0606-4 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 3A (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 56 mOhm a 1 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 7,4 nC a 4,5 V | ±8 V | 540 pF a 10 V | - | 710 mW | ||||||||||||||||||||||||||||
| SDM02M30CLP3-7B | 0,0347 |  | 3748 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 3-XFDFN | SDM02 | Schottky | X2-DFN1006-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | SDM02M30CLP3-7BDI | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 30 V | 700 mV a 100 mA | 2 nn | 400 µA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 200mA | 3,3 pF a 5 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | DL4934-13 | - |  | 2210 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-213AB, MELF (vetro) | DL4934 | Standard | MELF | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1,2 V a 1 A | 200 n | 5 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 15 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | S2MA-13 | - |  | 3704 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | S2M | Standard | SMA | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,15 V a 1,5 A | 5 µA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 1,5 A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXTN2020FTA | 0,7900 |  | 12 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZXTN2020 | 1,2 W | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 100 V | 4A | 20nA (ICBO) | NPN | 150 mV a 400 mA, 4 A | 100 a 1 A, 2 V | 130 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | B130LAW-7-F-2477 | - |  | 6253 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | - | 31-B130LAW-7-F-2477 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 420 mV a 1 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 125°C | 1A | 40 pF a 10 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN10H170SVT-7 | 0,5100 |  | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 | DMN10 | MOSFET (ossido di metallo) | TSOT-26 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 100 V | 2,6A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 160 mOhm a 5 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 9,7 nC a 10 V | ±20 V | 1167 pF a 25 V | - | 1,2 W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||
|  | DMPH6050SSDQ-13 | 0,9300 |  | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DMPH6050 | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W (Ta) | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canali P (doppio) | 60 V | 5,2A(Ta) | 48 mOhm a 5 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 14,5 nC a 4,5 V | 1525 pF a 30 V | - | 

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