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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Rapporto di capacità | Condizione del rapporto di capacità | D@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXMN6A07FQTA | 0,5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZXMN6 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 1,2A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 250 mOhm a 1,8 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 3,2 nC a 10 V | ±20 V | 166 pF a 40 V | - | 625 mW(Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4742A-T | - | ![]() | 6818 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4742 | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 9,1 V | 12 V | 9 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ27DS-7 | 0,3000 | ![]() | 6902 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2,5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | DDZ27 | 200 mW | SOD-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 21 V | 27 V | 45 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBZ5251B-7 | - | ![]() | 3850 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5251B | 350 mW | SOT-23-3 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 17 V | 22 V | 29 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5251B-7 | - | ![]() | 4630 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | MMSZ5251B | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 17 V | 22 V | 29 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V6-13 | - | ![]() | 3467 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±6% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | BZT52 | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mV a 10 mA | 5 µA a 1 V | 3,6 V | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ39FS-7 | 0,0531 | ![]() | 7400 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±3% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | DDZ39 | 200 mW | SOD-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 30 V | 39 V | 85 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXT12N50DXTC | 0,6300 | ![]() | 9586 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", larghezza 3,00 mm) | ZXT12N50 | 1,04 W | 8-MSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 50 V | 3A | 100 nA | 2 NPN (doppio) | 250 mV a 50 mA, 3 A | 300 a 1 A, 2 V | 132 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN4035L-13 | 0,0873 | ![]() | 5814 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN4035 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | DMN4035L-13DI | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | CanaleN | 40 V | 4,6A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 42 mOhm a 4,3 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 12,5 nC a 10 V | ±20 V | 574 pF a 20 V | - | 720 mW | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2040USS-13 | 0,4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DMP2040 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | Canale P | 20 V | 7A (Ta), 15A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 33 mOhm a 8,9 A, 4,5 V | 1,5 V a 250 µA | 19 nC a 8 V | ±12V | 834 pF a 10 V | - | 800 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C8V2-7-G | - | ![]() | 6987 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | BZT52 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | BZT52C8V2-7-GDI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V6-7 | - | ![]() | 6404 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±6% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | BZT52 | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 5 µA a 1 V | 3,6 V | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PR1504S-A | - | ![]() | 3655 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e scatola (TB) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,2 V a 1,5 A | 150 n | 5 µA a 400 V | -65°C ~ 150°C | 1,5 A | 20 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84B7V5-7-F | 0,1900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 1 µA a 5 V | 7,5 V | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTN2011ZTA | 0,8600 | ![]() | 8395 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | ZXTN2011 | 2,1 W | SOT-89-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 V | 4,5 A | 50nA (ICBO) | NPN | 195 mV a 500 mA, 5 A | 100 a 2 A, 2 V | 130 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTN19020DZTA | 0,7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | ZXTN19020 | 2,4 W | SOT-89-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 V | 7,5 A | 50nA (ICBO) | NPN | 200 mV a 375 mA, 7,5 A | 300 a 100 mA, 2 V | 160 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84C9V1W-7 | - | ![]() | 7004 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±6% | -65°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | BZX84 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 500 nA a 6 V | 9,1 V | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4751A-T | - | ![]() | 5418 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5% | -65°C ~ 175°C | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | 1N4751 | 1 W | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V a 200 mA | 5 µA a 22,8 V | 30 V | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZC834BTC | - | ![]() | 4755 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZC834B | SOT-23-3 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 49,35 pF a 2 V, 1 MHz | Separare | 25 V | 6.5 | C2/C20 | 200 a 3 V, 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG1029SVQ-7-52 | 0,0622 | ![]() | 6781 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-563, SOT-666 | DMG1029 | MOSFET (ossido di metallo) | 450 mW(Ta) | SOT-563 | scaricamento | 31-DMG1029SVQ-7-52 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canali N e P complementari | 60 V | 500 mA (Ta), 360 mA (Ta) | 1,7 Ohm a 500 mA, 10 V, 4 Ohm a 500 mA, 10 V | 2,5 V a 250 µA, 3 V a 250 µA | 0,3 nC a 4,5 V, 0,28 nC a 4,5 V | 30 pF a 25 V, 25 pF a 25 V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDS560Q-13-2478 | - | ![]() | 6999 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | PowerDI™5 | Schottky | PowerDI™5 | - | 31-PDS560Q-13-2478 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 60 V | 770 mV a 8 A | 150 µA a 60 V | -65°C ~ 150°C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP610DLQ-7 | 0,0550 | ![]() | 5589 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMP610DLQ-7TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canale P | 60 V | 186mA(Ta) | 5 V | 10 Ohm a 100 mA, 5 V | 2 V a 1 mA | 0,5 nC a 5 V | ±30 V | 40 pF a 25 V | - | 520 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZV932V2TA | 0,6900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V9TQ-7-F | - | ![]() | 9182 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5,13% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | BZT52 | 300 mW | SOD-523 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 31-BZT52C3V9TQ-7-FTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 3 µA a 1 V | 3,9 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLZ12-7 | 0,4900 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | POWERDI®123 | DFLZ12 | 1 W | PowerDI™123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V a 200 mA | 3 µA a 9,1 V | 12 V | 7 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S8MCQ-13 | 0,2786 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | S8MC | Standard | SMC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 31-S8MCQ-13TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 985 mV a 8 A | 2,7 µs | 10 µA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 8A | 45 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C11S-7-F | 0,2100 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 mW | SOD-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 8 V | 11 V | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54TQ-7-F | 0,4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOT-523 | BAT54 | Schottky | SOT-523 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 30 V | 1 V a 100 mA | 2 µA a 25 V | -65°C ~ 150°C | 200mA | 10 pF a 10 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC2710UVQ-13 | 0,0648 | ![]() | 4077 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-563, SOT-666 | DMC2710 | MOSFET (ossido di metallo) | 460 mW(Ta) | SOT-563 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 31-DMC2710UVQ-13TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canali N e P | 20 V | 1,1 A (Ta), 800 mA (Ta) | 400 mOhm a 600 mA, 4,5 V, 700 mOhm a 430 mA, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 0,6 nC a 4,5 V, 0,7 nC a 4,5 V | 42pF a 16V, 49pF a 16V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT5H100LP5-13D | 0,1614 | ![]() | 1778 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | PowerDI™5 | SDT5H100 | Schottky | PowerDI™5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 660 mV a 5 A | 3,5 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 5A | - |

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