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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (Max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
DMN10H170SVTQ-13	0,1843	Richiesta di offerta	2940	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	DMN10	MOSFET (ossido di metallo)		TSOT-26	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10.000			CanaleN	100 V	2,6A(Ta)	4,5 V, 10 V	160 mOhm a 5 A, 10 V	3 V a 250 µA	9,7 nC a 10 V	±20 V	1167 pF a 25 V	-	1,2 W (Ta)
MMBZ5228BW-7-F	0,0630	Richiesta di offerta	8055	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323			200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		10 µA a 1 V									3,9 V	23 Ohm
BZX84B8V2-7-F-79	-	Richiesta di offerta	7324	Diodi incorporati	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto					BZX84				-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	BZX84B8V2-7-F-79DI	EAR99	8541.10.0050	3.000
MBR1060-LS	-	Richiesta di offerta	4414	Diodi incorporati	-	Massa	Obsoleto			Foro passante	TO-220-2	MBR1060	Schottky		TO-220AC	-				31-MBR1060-LS	OBSOLETO		1		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													60 V		950 mV a 10 A		100 µA a 60 V	-65°C ~ 150°C	10A	400 pF a 4 V, 1 MHz
PB62-F	-	Richiesta di offerta	1109	Diodi incorporati	-	Massa	Interrotto alla SIC		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 quadrati, PB-6	PB62	Standard		PB-6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato	PB62-FDI	EAR99	8541.10.0080	200																	1,1 V a 3 A		10 µA a 200 V		6A				Monofase	200 V
ZTX603STOB	-	Richiesta di offerta	1247	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX603		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000																							80 V	1A			10 µA			NPN-Darlington	1 V a 1 mA, 1 A	2000 a 1 A, 5 V	150 MHz
DMP4026LSDQ-13	0,4078	Richiesta di offerta	4354	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		MOSFET (ossido di metallo)	1,3 W(Ta)	8-SO	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		31-DMP4026LSDQ-13TR			2.500	2 canali P			40 V	6,5A(Ta)		25 mOhm a 3 A, 10 V	1,8 V a 250 µA	45,8 nC a 10 V		2064 pF a 20 V	Standard
BZT52C36T-7	0,0432	Richiesta di offerta	2359	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5,56%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523	BZT52		300 mW	SOD-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 25,2 V									36 V	90 Ohm
DMN2710UW-7	0,0481	Richiesta di offerta	9740	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	DMN2710	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-DMN2710UW-7TR	EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN	20 V	900mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	450 mOhm a 600 mA, 4,5 V	1 V a 250 µA	0,6 nC a 4,5 V	±6 V	42 pF a 16 V	-	470 mW(Ta)
FMMT411FDBWQ-7	3.1800	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 3-UDFN			820 mW	W-DFN2020-3 (Tipo A)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000																							15 V	5A			100nA (ICBO)			NPN - Modalità valanga	100 mV a 1 mA, 10 mA	100 a 10 mA, 10 V	110 MHz
BAS40-6-7-F	-	Richiesta di offerta	8976	Diodi incorporati	-	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky		SOT-23-3	-				31-BAS40-6-7-F			1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												1 paio di anodo comune	40 V	200mA	1 V a 40 mA	5 ns	200 nA a 30 V	-55°C ~ 125°C
DMHC10H170SFJ-13	1.2400	Richiesta di offerta	4	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 12-VDFN	DMHC10	MOSFET (ossido di metallo)	2,1 W	V-DFN5045-12	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N e 2 canali P (mezzo ponte)			100 V	2,9 A, 2,3 A		160 mOhm a 5 A, 10 V	3 V a 250 µA	9,7 nC a 10 V		1167 pF a 25 V	-
MBR10100CD-G1	-	Richiesta di offerta	1484	Diodi incorporati	-	Tubo	Obsoleto			Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	MBR1010	Schottky		TO-252-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	80		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	100 V	5A	850 mV a 5 A		100 µA a 100 V	150°C (massimo)
DMN2012UCA6-7	0,5286	Richiesta di offerta	1295	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	DMN2012	MOSFET (ossido di metallo)	820 mW	X3-DSN2718-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Scarico comune a 2 canali N (doppio).			24 V	13A (Ta)		9 mOhm a 5 A, 4,5 V	1,3 V a 1 mA	26nC a 4V		2417 pF a 10 V	-
1N4448WQ-7-F	0,2200	Richiesta di offerta	84	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOD-123	1N4448	Standard		SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													75 V		1,25 V a 150 mA	4nn	25 nA a 20 V	-65°C ~ 150°C	250 mA	4pF a 0 V, 1 MHz
DDZ8V2CSF-7	0,1900	Richiesta di offerta	3	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±3%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F	DDZ8V2		500 mW	SOD-323F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		7,5 µA a 7,63 V									8,24 V	30 Ohm
RH04-T	0,7500	Richiesta di offerta	7	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	RH04	Standard		4-MiniDIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0070	3.000																	1,15 V a 400 mA		5 µA a 400 V		500 mA				Monofase	400 V
DMN62D0UT-13	0,0500	Richiesta di offerta	2966	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-523	DMN62	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-523	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	DMN62D0UT-13DI	EAR99	8541.29.0095	10.000			CanaleN	60 V	320mA (Ta)	1,8 V, 2,5 V, 4,5 V	2 Ohm a 50 mA, 4,5 V	1 V a 250 A	0,5 nC a 4,5 V	±20 V	32 pF a 30 V	-	230 mW (Ta)
SBRT2U15LP-7	-	Richiesta di offerta	3050	Diodi incorporati	Automotive, AEC-Q101, TrenchSBR	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	3-UDFN	SBRT2	Superbarriera		X1-DFN1411-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													15 V		480 mV a 2 A		5,7 mA a 15 V	-55°C ~ 150°C	2A	-
AZ23C13-7-G	-	Richiesta di offerta	6007	Diodi incorporati	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto					AZ23C13				-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	AZ23C13-7-GDI	EAR99	8541.10.0050	3.000
SBR30M100CTFP-JT	-	Richiesta di offerta	6839	Diodi incorporati	SBR®	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	SBR30	Superbarriera		ITO-220AB	scaricamento		1 (illimitato)		31-SBR30M100CTFP-JT	EAR99	8541.10.0080	50		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)												1 paio di catodo comune	100 V	15A	850 mV a 15 A		12 µA a 100 V	-65°C ~ 175°C
ZMM5234B-7	-	Richiesta di offerta	5654	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80	ZMM5234		500 mW	MiniMELF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0050	2.500																	1,5 V a 200 mA		5 µA a 4 V									6,2 V	7 Ohm
DMC2057UVT-7	0,1084	Richiesta di offerta	9515	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	DMC2057	MOSFET (ossido di metallo)	700mW (Ta)	TSOT-26	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canali N e P complementari			20 V	4A(Ta), 3,3A(Ta)		42 mOhm a 5 A, 4,5 V, 70 mOhm a 3,5 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA, 1 V a 250 µA	10,5 nC a 10 V, 6,5 nC a 4,5 V		416pF a 10 V, 536pF a 10 V	-
MMBT3906-7-F-52	0,0260	Richiesta di offerta	1781	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			310 mW	SOT-23-3	scaricamento				31-MMBT3906-7-F-52	EAR99	8541.21.0075	3.000																							40 V	200 mA			50nA			PNP	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	250 MHz
MMBZ5230BW-7-F	0,3200	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	MMBZ5230		200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	900 mV a 10 mA		5 µA a 2 V									4,7 V	19 Ohm
DMG3N60SCT	-	Richiesta di offerta	9932	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	DMG3N60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	-	Conformità ROHS3		RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN	600 V	3,3 A(Tc)	10 V	3,5 Ohm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	12,6 nC a 10 V	±30 V	354 pF a 25 V	-	104 W(Tc)
BZX84C16Q-13-F	0,0280	Richiesta di offerta	5274	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5,63%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84		300 mW	SOT-23-3	scaricamento			REACH Inalterato	31-BZX84C16Q-13-FTR	EAR99	8541.10.0050	10.000																	900 mV a 10 mA		100 nA a 11,2 V									16 V	40 Ohm
PD3Z284C5V6-7	0,4100	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±7%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	PowerDI™323	PD3Z284		500 mW	PowerDI™323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																	1,1 V a 100 mA		1 µA a 2 V									5,6 V	40 Ohm
T12M5T600B	0,7900	Richiesta di offerta	45	Diodi incorporati	-	Tubo	Attivo					T12M5T				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	31-T12M5T600B	EAR99	8541.30.0080	50
BAS40DW-5-7-F	-	Richiesta di offerta	6131	Diodi incorporati	-	Massa	Attivo			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BAS40	Schottky		SOT-363	-				31-BAS40DW-5-7-F			1		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												Catodo comune a 2 coppie	40 V	200mA	1 V a 40 mA	5 ns	200 nA a 30 V	-55°C ~ 125°C