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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (Max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
DFLS2100Q-7-52 Diodes Incorporated DFLS2100Q-7-52 0,3500
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 ECAD 8841 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Montaggio superficiale POWERDI®123 DFL2100 Schottky PowerDI™123 scaricamento 31-DFLS2100Q-7-52 EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 860 mV a 2 A 9 ns 1 µA a 100 V -55°C ~ 175°C 2A 36 pF a 5 V, 1 MHz
LZ52C6V2W Diodes Incorporated LZ52C6V2W -
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 ECAD 7650 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Acquisto per l'ultima volta ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 1206 (3216 metri) LZ52C 500 mW 1206 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0050 5.000 1,5 V a 200 mA 100 nA a 2 V 6,2 V 10 Ohm
DMN13H750S-7 Diodes Incorporated DMN13H750S-7 0,5500
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 ECAD 5911 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN13 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 130 V 1A (Ta) 6 V, 10 V 750 mOhm a 2 A, 10 V 4 V a 250 µA 5,6 nC a 10 V ±20 V 231 pF a 25 V - 770 mW (Ta)
DDTC144WE-7-F Diodes Incorporated DDTC144WE-7-F 0,0605
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 ECAD 1731 0.00000000 Diodi incorporati DDTC (SERIE R1 R2) E Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-523 DDTC144 150 mW SOT-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato DDTC144WE-FDICT EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 56 a 5 mA, 5 V 250 MHz 47 kOhm 22 kOhm
BZT52C15-7-G Diodes Incorporated BZT52C15-7-G -
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 ECAD 8328 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZT52C15-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
B250AF-13 Diodes Incorporated B250AF-13 0,4600
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 ECAD 3233 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-221AC, cavi piatti SMA B250 Schottky SMAF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 650 mV a 2 A 100 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 2A 80 pF a 4 V, 1 MHz
MMBD4448HW-7 Diodes Incorporated MMBD4448HW-7 0,4700
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 Standard SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 80 V 1,25 V a 150 mA 4nn 100 nA a 70 V -65°C ~ 150°C 250 mA 3,5 pF a 6 V, 1 MHz
BAV199T-7-G Diodes Incorporated BAV199T-7-G -
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 ECAD 7952 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BAV199 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BAV199T-7-GDI EAR99 8541.10.0070 3.000
BZX84B10Q-7-F Diodes Incorporated BZX84B10Q-7-F 0,0382
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 ECAD 1944 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 mW SOT-23-3 scaricamento REACH Inalterato 31-BZX84B10Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 200 nA a 7 V 10 V 20 Ohm
DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ-7 0,4900
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 ECAD 4035 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 DMN61 MOSFET (ossido di metallo) 820 mW TSOT-26 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canali N (doppio) 60 V 630mA 1,8 Ohm a 150 mA, 5 V 2 V a 1 mA 0,74 nC a 5 V 12,9 pF a 12 V Porta a livello logico
BZT52C3V0-7-F Diodes Incorporated BZT52C3V0-7-F 0,2100
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 ECAD 57 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±7% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SOD-123 BZT52 500 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 10 µA a 1 V 3 V 95 Ohm
DDZ9703S-7 Diodes Incorporated DDZ9703S-7 0,0840
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 ECAD 1898 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 DDZ9703 200 mW SOD-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 50 nA a 12,1 V 16 V
BAV99-7-F-31 Diodes Incorporated BAV99-7-F-31 -
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 ECAD 2962 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV99 Standard SOT-23-3 - 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-BAV99-7-F-31TR OBSOLETO 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 75 V 300 mA (CC) 1,25 V a 150 mA 4nn 2,5 µA a 75 V -65°C ~ 150°C
DMN3110LCP3-7 Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7 -
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 ECAD 8071 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN DMN3110 MOSFET (ossido di metallo) X2-DFN1006-3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 3,2A(Ta) 1,8 V, 8 V 69 mOhm a 500 mA, 8 V 1,1 V a 250 µA 1,52 nC a 4,5 V 12V 150 pF a 15 V - 1,38 W
BAT54-7-G Diodes Incorporated BAT54-7-G -
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 ECAD 6909 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23-3 - 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-BAT54-7-GTR EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 30 V 800 mV a 100 mA 5 ns 2 µA a 25 V -65°C ~ 150°C 200mA 10 pF a 1 V, 1 MHz
DFLS1200-7-2477 Diodes Incorporated DFLS1200-7-2477 -
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 ECAD 7402 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Acquisto per l'ultima volta Montaggio superficiale POWERDI®123 Schottky PowerDI™123 - 31-DFLS1200-7-2477 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 850 mV a 1 A 2 µA a 200 V -65°C ~ 175°C 1A 23 pF a 5 V, 1 MHz
ZXMN7A11GQTA Diodes Incorporated ZXMN7A11GQTA 0,4598
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 ECAD 5116 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ossido di metallo) SOT-223 scaricamento REACH Inalterato 31-ZXMN7A11GQTATR EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 70 V 2,7A(Ta) 4,5 V, 10 V 130 mOhm a 4,4 A, 10 V 1 V a 250 µA 7,4 nC a 10 V ±20 V 298 pF a 50 V - 2 W (Ta)
SDT5H100P5-13 Diodes Incorporated SDT5H100P5-13 0,1450
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 ECAD 5643 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale PowerDI™5 SDT5H100 Schottky PowerDI™5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 620 mV a 5 A 100 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 5A -
DMN3300U-7-52 Diodes Incorporated DMN3300U-7-52 0,1148
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 ECAD 1805 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3300 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento 31-DMN3300U-7-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 1,5A(Ta) 1,5 V, 4,5 V 150 mOhm a 4,5 A, 4,5 V 1 V a 250 µA ±12V 193 pF a 10 V - 700 mW
1N5227B-T Diodes Incorporated 1N5227B-T -
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 ECAD 2031 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 200°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5227 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,1 V a 200 mA 15 µA a 1 V 3,6 V 24 Ohm
B160S1F-7 Diodes Incorporated B160S1F-7 0,3700
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 ECAD 43 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123F B160 Schottky SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 650 mV a 1 A 200 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 1A 45 pF a 4 V, 1 MHz
BZT52C39LP-7 Diodes Incorporated BZT52C39LP-7 0,4500
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale 0402 (1006 metri) BZT52 250 mW DFN1006-2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 27,3 V 39 V 130 Ohm
DMP58D1LV-13 Diodes Incorporated DMP58D1LV-13 0,4100
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 ECAD 6952 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 DMP58 MOSFET (ossido di metallo) 490 mW (Ta) SOT-563 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.21.0095 10.000 2 canali P (doppio) 50 V 220mA (Ta) 8 Ohm a 100 mA, 5 V 2 V a 250 µA 1,2 nC a 10 V 37 pF a 25 V Standard
BZT52C36S-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C36S-7-F-79 -
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 ECAD 7552 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZT52C36S-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
DF10S Diodes Incorporated DF10S 0,9702
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 ECAD 4076 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DF10 Standard DF-S scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V a 1 A 10 µA a 1000 V 1A Monofase 1 kV
DMP22D6UT-7 Diodes Incorporated DMP22D6UT-7 0,5200
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 ECAD 40 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-523 DMP22 MOSFET (ossido di metallo) SOT-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 430mA (Ta) 1,8 V, 4,5 V 1,1 Ohm a 430 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA ±8 V 175 pF a 16 V - 150mW (Ta)
SDM02L30CP3-7 Diodes Incorporated SDM02L30CP3-7 0,2600
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 ECAD 38 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 2-XDFN SDM02 Schottky X3-WLB0603-2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-SDM02L30CP3-7DKR EAR99 8541.10.0070 10.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 30 V 380 mV a 200 mA 120 µA a 30 V -55°C ~ 150°C 200mA 10 pF a 5 V, 1 MHz
SDT12A120P5Q-13 Diodes Incorporated SDT12A120P5Q-13 -
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 ECAD 6793 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000
SD1A240G Diodes Incorporated SD1A240G 0,4300
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 ECAD 8551 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo SD1A240 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.30.0080 4.000
MMDT2227Q-7-F-52 Diodes Incorporated MMDT2227Q-7-F-52 0,0593
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 ECAD 8721 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT2227 200 mW SOT-363 scaricamento 31-MMDT2227Q-7-F-52 EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V, 60 V 600mA 10nA, 50nA NPN, PNP Complementari 1 V a 50 mA, 500 mA / 1,6 V a 50 mA, 500 mA 100 a 150 mA, 10 V 300 MHz, 200 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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