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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
ZTX655STOA Diodes Incorporated ZTX655STOA -
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 ECAD 8783 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante E-Line-3, formati lead ZTX655 1 W E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.000 150 V 1A 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 200 mA, 1 A 50 a 500 mA, 5 V 30 MHz
DMT32M6LDG-7 Diodes Incorporated DMT32M6LDG-7 1.4800
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMT32 MOSFET (ossido di metallo) 1,1 W (Ta) PowerDI3333-8 (Tipo G) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 2.000 2 canali N (doppio) 30 V 21A (Ta), 47A (Tc) 2,5 mOhm a 18 A, 10 V 2,2 V a 400 µA 15,6 nC a 4,5 V 2101pF @ 15V Standard
DMN2028UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2028UFDF-7 0,4900
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 ECAD 24 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMN2028 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo F) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 20 V 7,9A(Ta) 1,5 V, 4,5 V 25 mOhm a 4 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 18 nC a 8 V ±8 V 907 pF a 10 V - 660 mW(Ta)
DMP4011SK3Q-13 Diodes Incorporated DMP4011SK3Q-13 0,5555
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 ECAD 8804 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 DMP4011 MOSFET (ossido di metallo) TO-252, (D-Pak) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato DMP4011SK3Q-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 40 V 14A (Ta), 74A (Tc) 4,5 V, 10 V 11 mOhm a 9,8 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 52 nC a 10 V ±20 V 2747 pF a 20 V - 1,8 W (Ta), 5 W (Tc)
DDTC115GE-7 Diodes Incorporated DDTC115GE-7 -
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 ECAD 9727 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale SOT-523 DDTC115 150 mW SOT-523 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 82 a 5 mA, 5 V 250 MHz 100 kOhm
FMMT723QTA Diodes Incorporated FMMT723QTA 0,6000
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 ECAD 40 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT723 625 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 100 V 1A 100 nA PNP 330 mV a 150 mA, 1 A 250 a 500 mA, 10 V 200 MHz
ZTX849STZ Diodes Incorporated ZTX849STZ 0,4340
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 ECAD 3381 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e scatola (TB) Attivo -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante E-Line-3, formati lead ZTX849 1,2 W E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0075 2.000 30 V 5A 50nA (ICBO) NPN 220 mV a 200 mA, 5 A 100 a 1 A, 1 V 100 MHz
DMC1016UPD-13 Diodes Incorporated DMC1016UPD-13 0,7900
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 ECAD 846 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMC1016 MOSFET (ossido di metallo) 2,3 W PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canali N e P 12V, 20V 9,5 A, 8,7 A 17 mOhm a 11,8 A, 4,5 V 1,5 V a 250 µA 32nC a 8 V 1454 pF a 6 V -
ZTX603STOB Diodes Incorporated ZTX603STOB -
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 ECAD 1247 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante E-Line-3, formati lead ZTX603 1 W E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.000 80 V 1A 10 µA NPN-Darlington 1 V a 1 mA, 1 A 2000 a 1 A, 5 V 150 MHz
DDTC124ECA-7 Diodes Incorporated DDTC124ECA-7 -
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 ECAD 3924 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale SOT-23-3 Derivazioni piatte DDTC124 200 mW SOT-23F scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 56 a 5 mA, 5 V 250 MHz 22 kOhm 22 kOhm
BC847C-7-F Diodes Incorporated BC847C-7-F 0,1700
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 ECAD 18 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 300 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15nA NPN 600mV a 5mA, 100mA 420 a 2 mA, 5 V 300 MHz
DMN2055UQ-13 Diodes Incorporated DMN2055UQ-13 0,0640
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 ECAD 3184 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2055 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 - 31-DMN2055UQ-13 EAR99 8541.29.0095 10.000 CanaleN 20 V 4,8A(Ta) 2,5 V, 4,5 V 38 mOhm a 3,6 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 4,3 nC a 4,5 V ±8 V 400 pF a 10 V - 800 mW (Ta)
ZVN4525ZTA Diodes Incorporated ZVN4525ZTA 0,8700
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 ECAD 6707 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA ZVN4525 MOSFET (ossido di metallo) SOT-89-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 250 V 240mA (Ta) 2,4 V, 10 V 8,5 Ohm a 500 mA, 10 V 1,8 V a 1 mA 3,65 nC a 10 V ±40 V 72 pF a 25 V - 1,2 W (Ta)
ZXMN3A06DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TA 1.1400
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 ECAD 514 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ZXMN3 MOSFET (ossido di metallo) 1,8 W 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 2 canali N (doppio) 30 V 4,9A 35 mOhm a 9 A, 10 V 1 V a 250 µA (min) 17,5 nC a 10 V 796 pF a 25 V Porta a livello logico
BZT52C6V8-13-G Diodes Incorporated BZT52C6V8-13-G -
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 ECAD 4699 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZT52C6V8-13-GDI EAR99 8541.10.0050 10.000
ZDM4206NTC Diodes Incorporated ZDM4206NTC -
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 ECAD 3594 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-223-8 ZDM4206N MOSFET (ossido di metallo) 2,75 W SM8 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 4.000 2 canali N (doppio) 60 V 1A 1 Ohm a 1,5 A, 10 V 3 V a 1 mA - 100 pF a 25 V Porta a livello logico
DDTC114YKA-7-F Diodes Incorporated DDTC114YKA-7-F -
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 ECAD 3643 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC114 200 mW SC-59-3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 250 µA, 5 mA 68 a 5 mA, 5 V 250 MHz 10 kOhm 47 kOhm
DMN26D0UFB4-7 Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7 -
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 ECAD 2494 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-XFDFN DMN26 MOSFET (ossido di metallo) X2-DFN1006-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 20 V 230mA(Ta) 1,5 V, 4,5 V 3 Ohm a 100 mA, 4,5 V 1,1 V a 250 µA ±10 V 14,1 pF a 15 V - 350 mW(Ta)
SBR30M100CTFP-JT Diodes Incorporated SBR30M100CTFP-JT -
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 ECAD 6839 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata SBR30 Superbarriera ITO-220AB scaricamento 1 (illimitato) 31-SBR30M100CTFP-JT EAR99 8541.10.0080 50 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 15A 850 mV a 15 A 12 µA a 100 V -65°C ~ 175°C
MMBZ5232BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5232BT-7-F 0,0736
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 ECAD 1042 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SOT-523 MMBZ5232 150 mW SOT-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 5 µA a 3 V 5,6 V 11 Ohm
ZTX796ASTOA Diodes Incorporated ZTX796ASTOA -
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 ECAD 7923 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante E-Line-3, formati lead ZTX796A 1 W E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.000 200 V 500mA 100 nA PNP 300mV a 20mA, 200mA 300 a 10 mA, 5 V 100 MHz
DDZ36ASF-7 Diodes Incorporated DDZ36ASF-7 0,0286
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 ECAD 4429 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±3% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-90, SOD-323F DDZ36 500 mW SOD-323F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 70 nA a 30,5 V 32,97 V 90 Ohm
BZX84C5V6Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C5V6Q-13-F 0,0280
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 ECAD 3718 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±7,14% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 mW SOT-23-3 scaricamento REACH Inalterato 31-BZX84C5V6Q-13-FTR EAR99 8541.10.0050 10.000 900 mV a 10 mA 1 µA a 2 V 5,6 V 40 Ohm
DMP2040USS-13 Diodes Incorporated DMP2040USS-13 0,4800
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DMP2040 MOSFET (ossido di metallo) 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.500 Canale P 20 V 7A (Ta), 15A (Tc) 2,5 V, 4,5 V 33 mOhm a 8,9 A, 4,5 V 1,5 V a 250 µA 19 nC a 8 V ±12V 834 pF a 10 V - 800 mW (Ta)
BZT52B5V6-7-F Diodes Incorporated BZT52B5V6-7-F -
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 ECAD 1366 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZT52 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-BZT52B5V6-7-FTR EAR99 8541.10.0050 10.000
DDC115EU-7-F Diodes Incorporated DDC115EU-7-F 0,1040
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 ECAD 7243 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC115 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 500nA 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 500 µA, 10 mA 82 a 5 mA, 5 V 250 MHz 100kOhm 100kOhm
BC857BS-13-F Diodes Incorporated BC857BS-13-F 0,2400
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 ECAD 48 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC857 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 10.000 45 V 100mA 15nA (ICBO) 2 PNP (doppio) 400 mV a 5 mA, 100 mA 220 a 2 mA, 5 V 100 MHz
AZ23C5V6W-7-F-79 Diodes Incorporated AZ23C5V6W-7-F-79 -
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 ECAD 9345 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto AZ23C5V6 - 1 (illimitato) REACH Inalterato AZ23C5V6W-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
BZT52C3V6Q-7-F Diodes Incorporated BZT52C3V6Q-7-F 0,0384
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 ECAD 8633 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,56% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 BZT52 370 mW SOD-123 scaricamento REACH Inalterato 31-BZT52C3V6Q-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 5 µA a 1 V 3,6 V 90 Ohm
SBR30A40CTFP-G Diodes Incorporated SBR30A40CTFP-G -
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 ECAD 9786 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata SBR30 Superbarriera ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-SBR30A40CTFP-G EAR99 8541.10.0080 50 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 40 V 30A 500 mV a 15 A 500 µA a 40 V -65°C ~ 150°C
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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