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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | B250-13-F | 0,4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | B250 | Schottky | PMI | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 700 mV a 2 A | 500 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 2A | 200 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10200CTF-E1 | - | ![]() | 7027 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | MBR10200 | Schottky | TO-220F-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 5A | 950 mV a 5 A | 150 µA a 200 V | 150°C (massimo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DDTA114TCA-7-F | 0,0386 | ![]() | 1616 | 0.00000000 | Diodi incorporati | DDTA (SERIE SOLO R1) CA | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DDTA114 | 200 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500nA (ICBO) | PNP - Pre-polarizzato | 300 mV a 100 µA, 1 mA | 100 a 1 mA, 5 V | 250 MHz | 10 kOhm | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DMT64M8LCG-7 | 0,3973 | ![]() | 1257 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | MOSFET (ossido di metallo) | V-DFN3333-8 (Tipo B) | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMT64M8LCG-7TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | CanaleN | 60 V | 16,1 A (Ta), 77,8 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,8 mOhm a 20 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 47,5 nC a 10 V | ±20 V | 2664 pF a 30 V | - | 990 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF10AG-A | - | ![]() | 8278 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e scatola (TB) | Obsoleto | Foro passante | DO-204AL, DO-41, assiale | Standard | DO-41 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 950 mV a 1 A | 35 ns | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 1A | 75 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5232BSQ-7-F | 0,0589 | ![]() | 3081 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | MMSZ5232 | 200 mW | SOD-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MMSZ5232BSQ-7-FDI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 5 µA a 3 V | 5,6 V | 11 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3AB-13 | - | ![]() | 9342 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | S3A | Standard | PMI | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 50 V | 1,15 V a 3 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 3A | 40 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52HC15WF-7 | 0,2500 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123F | BZT52 | 375 mW | SOD-123F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 50 nA a 10,5 V | 15 V | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP34M4SPS-13 | 1.1200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | DMP34 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerDI5060-8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 30 V | 135A(Tc) | 5 V, 10 V | 3,8 mOhm a 20 A, 10 V | 2,6 V a 250 µA | 127 nC a 10 V | ±25 V | 3775 pF a 15 V | - | 1,5 W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SBL4050PT | - | ![]() | 5603 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-3P-3, SC-65-3 | SBL4050 | Schottky | TO-3P | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 50 V | 40A | 700 mV a 20 A | 1 mA a 50 V | -55°C ~ 125°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP2900UW-13 | 0,0498 | ![]() | 2364 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | DMP2900 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | DMP2900UW-13DI | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canale P | 20 V | 600mA (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 750 mOhm a 430 mA, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 0,7 nC a 4,5 V | ±6 V | 49 pF a 16 V | - | 300 mW | |||||||||||||||||||||||||
| FZT489TA | 0,6400 | ![]() | 347 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | FZT489 | 2 W | SOT-223-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 V | 1A | 100 nA | NPN | 600 mV a 200 mA, 2 A | 100 a 1 A, 2 V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2077UCA3-7 | 0,4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XFDFN | DMP2077 | MOSFET (ossido di metallo) | X4-DSN1006-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canale P | 20 V | 4A (Ta) | 1,5 V, 8 V | 78 mOhm a 500 mA, 8 V | 1 V a 250 µA | 1,34 nC a 4,5 V | ±12V | 143 pF a 10 V | - | 660 mW | |||||||||||||||||||||||||
| ZXTN23015CFHTA | 0,7900 | ![]() | 2049 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZXTN23015 | 1,25 W | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 V | 6A | 20nA (ICBO) | NPN | 180 mV a 120 mA, 6 A | 200 a 500 mA, 2 V | 235 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH10H032LFVWQ-7 | 0,2533 | ![]() | 5430 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale, fianco bagnabile | 8-PowerVDFN | DMTH10 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX | - | 31-DMTH10H032LFVWQ-7 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | CanaleN | 100 V | 26A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 30 mOhm a 10 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 11,9 nC a 10 V | ±20 V | 683 pF a 50 V | - | 1,7 W (Ta) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10100CS2-E1 | - | ![]() | 9330 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Tubo | Obsoleto | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | MBR1010 | Schottky | TO-263-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 5A | 850 mV a 5 A | 100 µA a 100 V | 150°C (massimo) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD3S230H-7 | 0,4400 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | PowerDI™323 | PD3S230 | Schottky | PowerDI™323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 600 mV a 2 A | 100 µA a 30 V | -65°C ~ 150°C | 2A | 40 pF a 10 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C11-7-G | - | ![]() | 2893 | 0.00000000 | Diodi incorporati | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | BZX84 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | BZX84C11-7-GDI | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM02M30DCP3-7 | 0,0554 | ![]() | 9557 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 3-XFDFN | SDM02 | Schottky | X3-DSN1006-3 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-SDM02M30DCP3-7TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 30 V | 400mA | 750 mV a 200 mA | 2,99 ns | 2 µA a 30 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN10H220LK3-13 | 0,4300 | ![]() | 7131 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | DMN10 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252, (D-Pak) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 100 V | 7,5 A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 220 mOhm a 2 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 6,7 nC a 10 V | ±20 V | 384 pF a 25 V | - | 18,7 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVN2120A | - | ![]() | 5373 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET (ossido di metallo) | TO-92 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.000 | CanaleN | 200 V | 180mA (Ta) | 10 V | 10 Ohm a 250 mA, 10 V | 3 V a 1 mA | ±20 V | 85 pF a 25 V | - | 700mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30E100CT | - | ![]() | 8840 | 0.00000000 | Diodi incorporati | SBR | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-220-3 | SBR30 | Superbarriera | TO-220-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 15A | 800 mV a 15 A | 100 µA a 100 V | -65°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMG3415UFY4Q-7 | 0,4000 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-XDFN | DMG3415 | MOSFET (ossido di metallo) | X2-DFN2015-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canale P | 16 V | 2,5A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 39 mOhm a 4 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 10 nC a 4,5 V | ±8 V | 282 pF a 10 V | - | 650 mW(Ta) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5241B-7 | - | ![]() | 7283 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | ±5% | -65°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOD-123 | MMSZ5241B | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 2 µA a 8,4 V | 11 V | 22 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP610DLQ-13 | 0,0406 | ![]() | 3257 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMP610DLQ-13TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canale P | 60 V | 186mA(Ta) | 5 V | 10 Ohm a 100 mA, 5 V | 2 V a 1 mA | 0,5 nC a 5 V | ±30 V | 40 pF a 25 V | - | 520 mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN62D0UDWQ-7 | 0,0993 | ![]() | 8969 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN62 | MOSFET (ossido di metallo) | 320 mW (Ta) | SOT-363 | scaricamento | REACH Inalterato | 31-DMN62D0UDWQ-7TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canali N (doppio) | 60 V | 350mA(Ta) | 2 Ohm a 100 mA, 4,5 V | 1,1 V a 250 µA | 0,5 nC a 4,5 V | 32 pF a 30 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S5MC-13-F | 0,5500 | ![]() | 174 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | S5M | Standard | SMC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,15 V a 5 A | 10 µA a 1000 V | -65°C ~ 150°C | 5A | 40 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54LP-7 | 0,4000 | ![]() | 257 | 0.00000000 | Diodi incorporati | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 0402 (1006 metri) | BAT54 | Schottky | X1-DFN1006-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 30 V | 1 V a 100 mA | 5 ns | 2 µA a 25 V | -65°C ~ 125°C | 200mA | 10 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR1045D1Q-13 | 0,9300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automotive, AEC-Q101, SBR® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SBR1045 | Superbarriera | TO-252-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 45 V | 580 mV a 10 A | 500 µA a 45 V | -65°C ~ 150°C | 10A | 400 pF a 5 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V6-13-G | - | ![]() | 9683 | 0.00000000 | Diodi incorporati | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | ±5,56% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123 | BZT52 | 500 mW | SOD-123 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | BZT52C3V6-13-GDI | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mV a 10 mA | 5 µA a 1 V | 3,6 V | 90 Ohm |

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