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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
DMN2013UFDEQ-7 Diodes Incorporated DMN2013UFDEQ-7 0,2465
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 ECAD 9944 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-PowerUDFN DMN2013 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo E) scaricamento REACH Inalterato 31-DMN2013UFDEQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 20 V 10,5A(Ta) 1,5 V, 4,5 V 11 mOhm a 8,5 A, 4,5 V 1,1 V a 250 µA 25,8 nC a 8 V ±8 V 2453 pF a 10 V - 660 mW(Ta)
DMT10H009SCG-7 Diodes Incorporated DMT10H009SCG-7 0,3849
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 ECAD 9508 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMT10 MOSFET (ossido di metallo) V-DFN3333-8 (Tipo B) scaricamento REACH Inalterato 31-DMT10H009SCG-7TR EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 100 V 14A(Ta), 48A(Tc) 10 V 9,5 mOhm a 20 A, 10 V 4 V a 250 µA 30 nC a 10 V ±20 V 2085 pF a 50 V - 1,3 W(Ta)
BAV199TQ-7-F Diodes Incorporated BAV199TQ-7-F 0,0736
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 ECAD 4494 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-523 BAV199 Standard SOT-523 scaricamento REACH Inalterato 31-BAV199TQ-7-FTR EAR99 8541.10.0070 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 85 V 215 mA (CC) 1,25 V a 150 mA 3 µs 5 nA a 75 V -55°C ~ 150°C
DDZX18C-7 Diodes Incorporated DDZX18C-7 0,0435
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 ECAD 3150 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±3% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDZX18 300 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 50 nA a 14 V 18 V 23 Ohm
DMP21D0UT-7 Diodes Incorporated DMP21D0UT-7 0,3700
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 ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-523 DMP21 MOSFET (ossido di metallo) SOT-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 590mA (Ta) 1,8 V, 4,5 V 495 mOhm a 400 mA, 4,5 V 700 mV a 250 µA (tip.) 1,54 nC a 8 V ±8 V 80 pF a 10 V - 240 mW (Ta)
MMBZ5255BW-7 Diodes Incorporated MMBZ5255BW-7 0,3600
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 ECAD 6 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000
DDC114TU-7-F Diodes Incorporated DDC114TU-7-F 0,4100
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 ECAD 125 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC114 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA - 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 100 µA, 1 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 10kOhm -
SDM1A40CSP-7 Diodes Incorporated SDM1A40CSP-7 0,0855
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 ECAD 6045 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale 2-XDFN SDM1A40 Schottky X3-WLB1006-2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 560 mV a 1 A 75 µA a 40 V -55°C ~ 150°C 1A 35 pF a 4 V, 1 MHz
GBJ606-F Diodes Incorporated GBJ606-F 1.7000
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 ECAD 78 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, GBJ GBJ606 Standard GBJ scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 15 1 V a 3 A 5 µA a 600 V 6A Monofase 600 V
GBPC2504 Diodes Incorporated GBPC2504 -
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 ECAD 3867 0.00000000 Diodi incorporati - Vassoio Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Terminale CQ 4 quadrati, GBPC GBPC2504 Standard GBPC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato GBPC2504DI EAR99 8541.10.0080 100 1,1 V a 12,5 A 5 µA a 400 V 25A Monofase 400 V
DMT10H009SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H009SPS-13 0,9100
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMT10 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 100 V 14A (Ta), 80A (Tc) 10 V 8,5 mOhm a 20 A, 10 V 4 V a 250 µA 30 nC a 10 V ±20 V 2085 pF a 50 V - 1,3 W(Ta)
DMN10H100SK3-13 Diodes Incorporated DMN10H100SK3-13 0,7500
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 ECAD 5 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 DMN10 MOSFET (ossido di metallo) TO-252-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 100 V 18A (Tc) 4,5 V, 10 V 80 mOhm a 3,3 A, 10 V 3 V a 250 µA 25,2 nC a 10 V ±20 V 1172 pF a 50 V - 37 W (Tc)
DMC2710UDW-13 Diodes Incorporated DMC2710UDW-13 0,0565
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 ECAD 2152 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMC2710 MOSFET (ossido di metallo) 290 mW (Ta) SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato DMC2710UDW-13DI EAR99 8541.21.0095 10.000 Canali N e P complementari 20 V 750 mA (Ta), 600 mA (Ta) 450 mOhm a 600 mA, 4,5 V, 750 mOhm a 430 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA 0,6 nC a 4,5 V, 0,7 nC a 4,5 V 42pF a 16V, 49pF a 16V -
MB3505-F Diodes Incorporated MB3505-F -
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 ECAD 9360 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Interrotto alla SIC -55°C ~ 150°C (TJ) Terminale CQ 4 quadrati, MB MB3505 Standard MB scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato MB3505-FDI EAR99 8541.10.0080 100 1,2 V a 17,5 A 10 µA a 50 V 35A Monofase 50 V
BZT52C33-13-G Diodes Incorporated BZT52C33-13-G -
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 ECAD 5970 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZT52C33-13-GDI EAR99 8541.10.0050 10.000
STPR1040CTW Diodes Incorporated STPR1040CTW 0,6500
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 ECAD 3240 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STPR10 Standard TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-STPR1040CTW EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 400 V 10 A (CC) 1,5 V a 10 A 35 ns 10 µA a 400 V -55°C ~ 150°C
MMSZ5259BS-7-F Diodes Incorporated MMSZ5259BS-7-F 0,2800
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 ECAD 6 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 MMSZ5259 200 mW SOD-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 30 V 39 V 80 Ohm
PR3007-A52 Diodes Incorporated PR3007-A52 -
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 ECAD 4676 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Obsoleto Montaggio superficiale 6-SMD, senza piombo Standard 6-SMD - 31-PR3007-A52 OBSOLETO 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1000 V 1,3 V a 3 A 500 n 5 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C 3A 50 pF a 4 V, 1 MHz
SBR30A100CTB-13 Diodes Incorporated SBR30A100CTB-13 1.5200
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 ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati SBR® Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SBR30 Superbarriera TO-263AB (D²PAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 15A 850 mV a 15 A 100 µA a 100 V -65°C ~ 150°C
MBR1045 Diodes Incorporated MBR1045 -
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 ECAD 3916 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-2 MBR104 Schottky TO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato MBR1045DI EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 45 V 840 mV a 10 A 100 µA a 45 V -65°C ~ 150°C 10A 400 pF a 4 V, 1 MHz
BZX84C22W-7-F Diodes Incorporated BZX84C22W-7-F 0,0557
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 ECAD 9901 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±6% -65°C ~ 125°C Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 BZX84 200 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 15,4 V 22 V 55 Ohm
DMP4050SSD-13 Diodes Incorporated DMP4050SSD-13 0,9200
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 ECAD 213 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DMP4050 MOSFET (ossido di metallo) 1,8 W 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali P (doppio) 40 V 4A 50 mOhm a 6 A, 10 V 3 V a 250 µA 13,9 nC a 10 V 674 pF a 20 V -
GDZ16LP3-7 Diodes Incorporated GDZ16LP3-7 -
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 ECAD 4164 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 0201 (0603 metrico) 250 mW X3-DFN0603-2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 100 nA a 11,2 V 16 V
BAV116WSQ-7-52 Diodes Incorporated BAV116WSQ-7-52 0,0380
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 ECAD 5209 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 BAV116 Standard SOD-323 scaricamento 31-BAV116WSQ-7-52 EAR99 8541.10.0070 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 85 V 1,25 V a 150 mA 3 µs 5 nA a 75 V -55°C ~ 150°C 215 mA 1,5 pF a 0 V, 1 MHz
DMNH4006SPS-13 Diodes Incorporated DMNH4006SPS-13 0,5968
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 ECAD 3369 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DMNH4006 MOSFET (ossido di metallo) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato DMNH4006SPS-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 110A (Tc) 10 V 7 mOhm a 50 A, 10 V 4 V a 250 µA 50,9 nC a 10 V 20 V 2280 pF a 25 V - 1,6 W(Ta)
SDM02U30LP3-7B-2477 Diodes Incorporated SDM02U30LP3-7B-2477 -
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 ECAD 1733 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Acquisto per l'ultima volta Montaggio superficiale 0201 (0603 metrico) Schottky X3-DFN0603-2 - 31-SDM02U30LP3-7B-2477 1 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 30 V 370 mV a 10 mA 4 µA a 30 V -65°C ~ 150°C 100mA -
DDZ9715S-7 Diodes Incorporated DDZ9715S-7 0,0840
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 ECAD 3902 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 DDZ9715 200 mW SOD-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 50 nA a 27,3 V 36 V
ZVN4525GTC Diodes Incorporated ZVN4525GTC -
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 ECAD 3158 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA MOSFET (ossido di metallo) SOT-223-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 4.000 CanaleN 250 V 310mA(Ta) 2,5 V, 10 V 8,5 Ohm a 500 mA, 10 V 1,8 V a 1 mA 3,65 nC a 10 V ±40 V 72 pF a 25 V - 2 W (Ta)
APD140VD-G1 Diodes Incorporated APD140VD-G1 -
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 ECAD 3023 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale APD140 Schottky DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 500 mV a 1 A 500 µA a 40 V -65°C ~ 125°C 1A -
MMSZ5257B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5257B-7-F 0,2200
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 ECAD 123 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SOD-123 MMSZ5257 500 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 25 V 33 V 58 Ohm
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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