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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
ZTX749STOB	-	Richiesta di offerta	1175	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX749		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000																					25 V	2A	100nA (ICBO)			PNP	500 mV a 200 mA, 2 A	100 a 1 A, 2 V	160 MHz
ZTX757STOB	-	Richiesta di offerta	4872	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX757		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000																					300 V	500mA	100nA (ICBO)			PNP	500mV a 10mA, 100mA	50 a 100 mA, 5 V	30 MHz
BZT52C20Q-7-F	0,2200	Richiesta di offerta	3	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±6%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-123	BZT52		370 mW	SOD-123	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000															900 mV a 10 mA		100 nA a 14 V							20 V	55 Ohm
ADTC124ECAQ-7	0,2000	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ADTC124		310 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100 mA	-			NPN - Prepolarizzato	-	-	250 MHz	22 kOhm	22 kOhm
ZTX1053ASTZ	0,3920	Richiesta di offerta	1896	Diodi incorporati	-	Nastro e scatola (TB)	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX1053		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0075	2.000																					75 V	3A	10nA			NPN	350 mV a 100 mA, 3 A	300 a 1 A, 2 V	140 MHz
DDC144EU-7	-	Richiesta di offerta	9658	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC144		200 mW	SOT-363	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																					50 V	100mA	500nA			2 NPN - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 500 µA, 10 mA	68 a 5 mA, 5 V	250 MHz	47kOhm	47kOhm
ZX5T955ZTA	0,8800	Richiesta di offerta	8186	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	ZX5T955		2,1 W	SOT-89-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0075	1.000																					140 V	3A	20nA (ICBO)			PNP	330 mV a 300 mA, 3 A	100 a 1 A, 5 V	120 MHz
SK14-13-F	-	Richiesta di offerta	7928	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	SK14	Schottky		PMI	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												40 V	550 mV a 1 A		500 µA a 40 V	-65°C ~ 125°C	1A	110 pF a 4 V, 1 MHz
SB320-T	-	Richiesta di offerta	3597	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Foro passante	DO-201AD, assiale	SB320	Schottky		DO-201AD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	1.200		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												20 V	500 mV a 3 A		500 µA a 20 V	-65°C ~ 150°C	3A	-
FMMT491ATC	0,1088	Richiesta di offerta	9854	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	FMMT491		500 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000																					40 V	1A	100 nA			NPN	500 mV a 100 mA, 1 A	300 a 500 mA, 5 V	150 MHz
FZT591TA	0,6400	Richiesta di offerta	6	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	FZT591		2 W	SOT-223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0075	1.000																					60 V	1A	100 nA			PNP	600 mV a 100 mA, 1 A	100 a 500 mA, 5 V	150 MHz
ZTX749	0,8700	Richiesta di offerta	9943	Diodi incorporati	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3	ZTX749		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	ZTX749-NDR	EAR99	8541.29.0075	4.000																					25 V	2A	100nA (ICBO)			PNP	500 mV a 200 mA, 2 A	100 a 1 A, 2 V	160 MHz
ZXTN4006ZTA	0,4400	Richiesta di offerta	5	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	ZXTN4006		1,5 W	SOT-89-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000																					200 V	1A	50nA (ICBO)			NPN	-	100 a 150 mA, 320 mV	-
BZT52C15-7-G	-	Richiesta di offerta	8328	Diodi incorporati	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto					BZT52				-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	BZT52C15-7-GDI	EAR99	8541.10.0050	3.000
BCP53QTA	0,1198	Richiesta di offerta	5698	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BCP53		2 W	SOT-223-3	scaricamento			REACH Inalterato	31-BCP53QTATR	EAR99	8541.29.0075	1.000																					80 V	1A	100nA (ICBO)			PNP	500mV a 50mA, 500mA	40 a 150 mA, 2 V	150 MHz
1N5395-T	-	Richiesta di offerta	6291	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Foro passante	DO-204AC, DO-15, assiale	1N5395	Standard		DO-15	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	4.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)												400 V	1,1 V a 1,5 A		5 µA a 400 V	-65°C ~ 150°C	1,5 A	20 pF a 4 V, 1 MHz
B260-13	-	Richiesta di offerta	7220	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	B260	Schottky		PMI	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												60 V	700 mV a 2 A		500 µA a 60 V	-65°C ~ 150°C	2A	200 pF a 4 V, 1 MHz
DMC67D8UFDBQ-7	0,1279	Richiesta di offerta	4081	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	DMC67	MOSFET (ossido di metallo)	580 mW(Ta)	U-DFN2020-6 (Tipo B)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	DMC67D8UFDBQ-7DI	EAR99	8541.21.0095	3.000	Canali N e P complementari			60 V, 20 V	390 mA (Ta), 2,9 A (Ta)		4Ohm a 500 mA, 10 V, 72 mOhm a 3,5 A, 4,5 V	2,5 V a 250 µA, 1,25 V a 250 µA	0,4pC a 4,5 V, 7,3nC a 4,5 V		41pF a 25V, 443pF a 16V	-
B540C-13-G	-	Richiesta di offerta	9343	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	DO-214AB, SMC	B540	Schottky		SMC	-		1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												40 V	550 mV a 5 A		500 µA a 40 V	-55°C ~ 150°C	5A	300 pF a 4 V, 1 MHz
SBL1030	-	Richiesta di offerta	5615	Diodi incorporati	-	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-220-2	SBL1030	Schottky		TO-220AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												30 V	600 mV a 10 A		1 mA a 30 V	-65°C ~ 150°C	10A	-
B350AF-13	0,0870	Richiesta di offerta	5032	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-221AC, cavi piatti SMA	B350	Schottky		SMAF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0080	10.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												50 V	650 mV a 3 A		200 µA a 50 V	-55°C ~ 150°C	3A	110 pF a 4 V, 1 MHz
BCP5616TQTA	0,1125	Richiesta di offerta	6637	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BCP5616		2,5 W	SOT-223-3	scaricamento			REACH Inalterato	31-BCP5616TQTATR	EAR99	8541.29.0075	1.000																					80 V	1A	100nA (ICBO)			NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	150 MHz
DMP3004SSS-13	0,5755	Richiesta di offerta	4331	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	DMP3004	MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canale P	30 V	16,2A(Ta)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	156 nC a 10 V	±20 V	7693 pF a 15 V	-	1,2 W (Ta)
DMTH61M8LPS-13	2.3200	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	DMTH61	MOSFET (ossido di metallo)		PowerDI5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	60 V	225A(Tc)	4,5 V, 10 V	1,6 mOhm a 30 A, 10 V	3 V a 250 µA	115,5 nC a 10 V	±20 V	8320 pF a 30 V	-	3,2 W (Ta), 187,5 W (Tc)
BCX5616QTC	0,0945	Richiesta di offerta	1381	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	BCX5616		1 W	SOT-89-3	scaricamento			REACH Inalterato	31-BCX5616QTCTR	EAR99	8541.29.0075	4.000																					80 V	1A	100nA (ICBO)			NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	150 MHz
PD3SD2580-7	0,3800	Richiesta di offerta	2	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	PowerDI™323	PD3SD2580	Standard		PowerDI™323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												80 V	1,25 V a 150 mA	4 ns	100 nA a 80 V	-65°C ~ 150°C	250 mA	2,3 pF a 0 V, 1 MHz
DMC3035LSD-13	-	Richiesta di offerta	3488	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	DMC3035	MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Canali N e P			30 V	6,9 A, 5 A		35 mOhm a 6,9 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	8,6 nC a 10 V		384 pF a 15 V	Porta a livello logico
DMC2400UV-7	0,4000	Richiesta di offerta	258	Diodi incorporati	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	DMC2400	MOSFET (ossido di metallo)	450 mW	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	Canali N e P			20 V	1,03 A, 700 mA		480 mOhm a 200 mA, 5 V	900 mV a 250 µA	0,5 nC a 4,5 V		37,1 pF a 10 V	Porta a livello logico
DDZ9V1BQ-7	0,0508	Richiesta di offerta	6728	Diodi incorporati	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2,5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-123	DDZ9V1		500 mW	SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000															900 mV a 10 mA		100 nA a 7 V							9,1 V	8 Ohm
ZTX601STZ	0,3682	Richiesta di offerta	5045	Diodi incorporati	-	Nastro e scatola (TB)	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	E-Line-3, formati lead	ZTX601		1 W	E-Line (compatibile con TO-92)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.000																					160 V	1A	10 µA			NPN-Darlington	1,2 V a 10 mA, 1 A	2000 a 500 mA, 10 V	250 MHz