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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
DDZ9V1BQ-7 Diodes Incorporated DDZ9V1BQ-7 0,0508
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 ECAD 6728 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±2,5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SOD-123 DDZ9V1 500 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 7 V 9,1 V 8 Ohm
DMT3020LFDBQ-7 Diodes Incorporated DMT3020LFDBQ-7 0,5500
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 ECAD 5461 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMT3020 - 700 mW U-DFN2020-6 (Tipo B) scaricamento REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 30 V 7,7A(Ta) 20 mOhm a 9 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 7nC a 10V 393 pF a 15 V -
BZX84B8V2-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84B8V2-7-F-79 -
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 ECAD 7324 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZX84B8V2-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated DMN10H170SFDE-7 0,1790
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 ECAD 3541 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-PowerUDFN DMN10 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo E) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 100 V 2,9A(Ta) 4,5 V, 10 V 160 mOhm a 5 A, 10 V 3 V a 250 µA 9,7 nC a 10 V ±20 V 1167 pF a 25 V - 660 mW(Ta)
BAV170-7-F Diodes Incorporated BAV170-7-F 0,2800
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV170 Standard SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 1 paio di catodo comune 85 V 125 mA (CC) 1,1 V a 50 mA 3 µs 5 nA a 75 V -65°C ~ 150°C
S2K-13-F Diodes Incorporated S2K-13-F 0,3400
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 ECAD 87 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AA, PMI S2K Standard PMI scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 800 V 1,15 V a 1,5 A 5 µA a 800 V -65°C ~ 150°C 1,5 A 20 pF a 4 V, 1 MHz
DMG4496SSS-13 Diodes Incorporated DMG4496SSS-13 0,4400
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 ECAD 19 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DMG4496 MOSFET (ossido di metallo) 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 10A (Ta) 4,5 V, 10 V 21,5 mOhm a 10 A, 10 V 2 V a 250 µA 10,2 nC a 10 V ±25 V 493,5 pF a 15 V - 1,42 W(Ta)
BZT52C6V2-13-G Diodes Incorporated BZT52C6V2-13-G -
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 ECAD 8600 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZT52 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZT52C6V2-13-GDI EAR99 8541.10.0050 10.000
ZTX555STOA Diodes Incorporated ZTX555STOA -
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 ECAD 7930 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante E-Line-3, formati lead ZTX555 1 W E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.000 150 V 1A 100nA (ICBO) PNP 300 mV a 10 mA, 100 mA 50 a 300 mA, 10 V 100 MHz
DMTH61M8LPS-13 Diodes Incorporated DMTH61M8LPS-13 2.3200
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DMTH61 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 225A(Tc) 4,5 V, 10 V 1,6 mOhm a 30 A, 10 V 3 V a 250 µA 115,5 nC a 10 V ±20 V 8320 pF a 30 V - 3,2 W (Ta), 187,5 W (Tc)
DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated DMP3105LVT-7 0,4500
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 ECAD 42 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 DMP3105 MOSFET (ossido di metallo) TSOT-26 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 30 V 3.1A (Ta) 2,5 V, 10 V 75 mOhm a 4,2 A, 10 V 1,5 V a 250 µA 19,8 nC a 10 V ±12V 839 pF a 15 V - 1,15 W(Ta)
AZ23C39-7-G Diodes Incorporated AZ23C39-7-G -
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 ECAD 6752 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto AZ23C39 - 1 (illimitato) REACH Inalterato AZ23C39-7-GDI EAR99 8541.10.0050 3.000
SBR3M100SAF-13 Diodes Incorporated SBR3M100SAF-13 0,0774
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 ECAD 3830 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, cavi piatti SMA Superbarriera SMAF scaricamento REACH Inalterato 31-SBR3M100SAF-13TR EAR99 8541.10.0080 10.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 100 V 810 mV a 3 A 1 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 3A -
BCP6825TC Diodes Incorporated BCP6825TC -
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 ECAD 6585 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA BCP6825 2 W SOT-223-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 4.000 20 V 1A 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 100 mA, 1 A 160 a 500 mA, 1 V 100 MHz
DDTA114EUA-7-F Diodes Incorporated DDTA114EUA-7-F 0,2500
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 ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DDTA114 200 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 30 a 5 mA, 5 V 250 MHz 10 kOhm 10 kOhm
MMBZ5240B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5240B-7-F 0,1800
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 ECAD 84 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5240 350 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 3 µA a 8 V 10 V 17 Ohm
RABF152-13 Diodes Incorporated RABF152-13 -
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 ECAD 5882 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano RABF152 Standard 4-SOPA - Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 1,3 V a 1,5 A 5 µA a 200 V 1,5 A Monofase 200 V
MMDT5401Q-7-F Diodes Incorporated MMDT5401Q-7-F 0,0900
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 ECAD 2229 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT5401 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 150 V 200mA 50nA (ICBO) 2 PNP (doppio) 500mV a 5mA, 50mA 60 a 10 mA, 5 V 300 MHz
DMT3003LFG-7 Diodes Incorporated DMT3003LFG-7 0,7900
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 ECAD 7337 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMT3003 MOSFET (ossido di metallo) POWERDI3333-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 30 V 22A (Ta), 100A (Tc) 4,5 V, 10 V 3,2 mOhm a 20 A, 10 V 3 V a 250 µA 44 nC a 10 V ±20 V 2370 pF a 15 V - 2,4 W (Ta), 62 W (Tc)
PR1503S-T Diodes Incorporated PR1503S-T -
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 ECAD 7039 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale PR1503 Standard DO-41 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 1,2 V a 1,5 A 150 n 5 µA a 200 V -65°C ~ 150°C 1,5 A -
DMP3130L-7 Diodes Incorporated DMP3130L-7 0,4300
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 ECAD 81 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3130 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 30 V 3,5A(Ta) 2,5 V, 10 V 77 mOhm a 4,2 A, 10 V 1,3 V a 250 µA 12 nC a 10 V ±12V 432 pF a 15 V - 700mW (Ta)
BZT52C30S-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C30S-7-F-79 -
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 ECAD 9327 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±6,67% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 BZT52 200 mW SOD-323 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-BZT52C30S-7-F-79TR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 21 V 30 V 80 Ohm
BC847BLD-7 Diodes Incorporated BC847BLD-7 -
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 ECAD 4875 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 300 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 200 mA 50nA NPN 400 mV a 5 mA, 100 mA 150 a 10 mA, 5 V 100 MHz
UG3001-T Diodes Incorporated UG3001-T -
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 ECAD 4691 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante DO-201AD, assiale Standard DO-201AD scaricamento 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 1.200 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 950 mV a 3 A 50 n 5 µA a 50 V -65°C ~ 150°C 3A 60 pF a 4 V, 1 MHz
DMT47M2SFVW-13 Diodes Incorporated DMT47M2SFVW-13 0,2451
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 ECAD 7657 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale, fianco bagnabile 8-PowerVDFN DMT47 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato DMT47M2SFVW-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 40 V 15,4 A(Ta), 49,1 A(Tc) 10 V 7,5 mOhm a 20 A, 10 V 4 V a 250 µA 12,1 nC a 10 V ±20 V 897 pF a 20 V - 2,67 W (Ta), 27,1 W (Tc)
MMBZ5259B-7 Diodes Incorporated MMBZ5259B-7 -
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 ECAD 5388 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5259B 350 mW SOT-23-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 30 V 39 V 80 Ohm
ZTX690BSTOA Diodes Incorporated ZTX690BSTOA -
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 ECAD 9817 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante E-Line-3, formati lead ZTX690B 1 W E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.000 45 V 2A 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 5 mA, 1 A 400 a 1 A, 2 V 150 MHz
DMN6017SFV-7 Diodes Incorporated DMN6017SFV-7 0,2723
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 ECAD 6635 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMN6017 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 (tipo UX) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 60 V 35A (Tc) 4,5 V, 10 V 18 mOhm a 6 A, 10 V 3 V a 250 µA 55 nC a 10 V ±20 V 2711 pF a 15 V - 1 W (Ta)
B530C-13 Diodes Incorporated B530C-13 -
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 ECAD 1930 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC B530 Schottky SMC scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 550 mV a 5 A 500 µA a 30 V -55°C ~ 150°C 5A 300 pF a 4 V, 1 MHz
BZX84C11Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C11Q-13-F -
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 ECAD 2234 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5,45% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-BZX84C11Q-13-FTR EAR99 8541.10.0050 10.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 8 V 11 V 20 Ohm
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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