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Prodotti a semiconduttore discreti(13379)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) Tensione - Stato attivo (Vtm) (max) Corrente - Stato spento (max) TipoSCR Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
DMN10H170SFDE-7 Diodes Incorporated DMN10H170SFDE-7 0,1790
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 ECAD 3541 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-PowerUDFN DMN10 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo E) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 100 V 2,9A(Ta) 4,5 V, 10 V 160 mOhm a 5 A, 10 V 3 V a 250 µA 9,7 nC a 10 V ±20 V 1167 pF a 25 V - 660 mW(Ta)
DMC2710UV-13 Diodes Incorporated DMC2710UV-13 0,0839
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 ECAD 6160 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 DMC2710 MOSFET (ossido di metallo) 460 mW(Ta) SOT-563 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato DMC2710UV-13DI EAR99 8541.21.0095 10.000 Canali N e P complementari 20 V 1,1 A (Ta), 800 mA (Ta) 400 mOhm a 600 mA, 4,5 V, 700 mOhm a 430 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA 0,6 nC a 4,5 V, 0,7 nC a 4,5 V 42pF a 16V, 49pF a 16V -
DMTH4014LDVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4014LDVWQ-13 0,2771
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 ECAD 1053 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMTH4014 MOSFET (ossido di metallo) 1,16 W(Ta) PowerDI3333-8 (tipo UXD) scaricamento REACH Inalterato 31-DMTH4014LDVWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 40 V 10,2 A (Ta), 27,5 A (Tc) 15 mOhm a 20 A, 10 V 3 V a 250 µA 11,2 nC a 10 V 750 pF a 20 V -
DMN3401LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN3401LDWQ-13 0,0613
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 ECAD 9863 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN3401 MOSFET (ossido di metallo) 290 mW (Ta) SOT-363 scaricamento REACH Inalterato 31-DMN3401LDWQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10.000 2 canali N (doppio) 30 V 800mA (Ta) 400 mOhm a 590 mA, 10 V 1,6 V a 250 µA 1,2 nC a 10 V 50 pF a 15 V -
BAV170-7-F Diodes Incorporated BAV170-7-F 0,2800
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV170 Standard SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 1 paio di catodo comune 85 V 125 mA (CC) 1,1 V a 50 mA 3 µs 5 nA a 75 V -65°C ~ 150°C
SBR3M100SAF-13 Diodes Incorporated SBR3M100SAF-13 0,0774
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 ECAD 3830 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, cavi piatti SMA Superbarriera SMAF scaricamento REACH Inalterato 31-SBR3M100SAF-13TR EAR99 8541.10.0080 10.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 100 V 810 mV a 3 A 1 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 3A -
BCP6825TC Diodes Incorporated BCP6825TC -
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 ECAD 6585 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA BCP6825 2 W SOT-223-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 4.000 20 V 1A 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 100 mA, 1 A 160 a 500 mA, 1 V 100 MHz
FZT705QTA Diodes Incorporated FZT705QTA 0,3600
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 ECAD 3580 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FZT705 200 mW SST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 31-FZT705QTATR EAR99 8541.21.0075 1.000 120 V 50 mA 500nA (ICBO) PNP 500 mV a 1 mA, 10 mA 180 a 2 mA, 6 V 140 MHz
MMSZ5246BQ-13-F Diodes Incorporated MMSZ5246BQ-13-F 0,0286
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 ECAD 10 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOD-123 MMSZ5246 370 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-MMSZ5246BQ-13-FTR EAR99 8541.10.0050 10.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 12 V 16 V 17 Ohm
BST39TA Diodes Incorporated BST39TA 0,4600
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 ECAD 64 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA BST39 1 W SOT-89-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 350 V 500mA 20nA (ICBO) NPN 500 mV a 4 mA, 50 mA 40 a 20 mA, 10 V 70 MHz
DMP3036SFVQ-7 Diodes Incorporated DMP3036SFVQ-7 0,2223
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 ECAD 8272 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN DMP3036 MOSFET (ossido di metallo) PowerDI3333-8 (tipo UX) scaricamento 31-DMP3036SFVQ-7 EAR99 8541.21.0095 2.000 Canale P 30 V 8,7 A (Ta), 30 A (Tc) 5 V, 10 V 20 mOhm a 8 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 16,5 nC a 10 V ±25 V 1931 pF a 15 V - 900 mW (Ta)
BZX84B8V2-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84B8V2-7-F-79 -
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 ECAD 7324 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Obsoleto BZX84 - 1 (illimitato) REACH Inalterato BZX84B8V2-7-F-79DI EAR99 8541.10.0050 3.000
ZXMP6A16DN8TC Diodes Incorporated ZXMP6A16DN8TC 0,4851
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 ECAD 4375 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) ZXMP6A16 MOSFET (ossido di metallo) 1,25 W 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali P (doppio) 60 V 2,9 A 85 mOhm a 2,9 A, 10 V 1 V a 250 µA (min) 24,2 nC a 10 V 1021 pF a 30 V -
BAT54CTA Diodes Incorporated BAT54CTA 0,3100
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 1 paio di catodo comune 30 V 200 mA (CC) 1 V a 100 mA 5 ns 4 µA a 25 V 125°C (massimo)
GDZ10LP3-7 Diodes Incorporated GDZ10LP3-7 0,2700
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 ECAD 14 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 0201 (0603 metrico) GDZ10 250 mW X3-DFN0603-2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 200 nA a 7 V 10 V
MBR2150VRTR-E1 Diodes Incorporated MBR2150VRTR-E1 -
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 ECAD 2081 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 7.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 150 V 850 mV a 2 A 100 µA a 150 V -65°C ~ 150°C 2A -
DMP3105LVT-7 Diodes Incorporated DMP3105LVT-7 0,4500
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 ECAD 42 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 DMP3105 MOSFET (ossido di metallo) TSOT-26 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 30 V 3.1A (Ta) 2,5 V, 10 V 75 mOhm a 4,2 A, 10 V 1,5 V a 250 µA 19,8 nC a 10 V ±12V 839 pF a 15 V - 1,15 W(Ta)
BZT52C39SQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C39SQ-7-F -
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 ECAD 6039 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5,13% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-76, SOD-323 BZT52 200 mW SOD-323 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-BZT52C39SQ-7-FTR EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 27,3 V 39 V 130 Ohm
S12M15600B Diodes Incorporated S12M15600B 0,6100
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 ECAD 98 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Attivo -40°C ~ 125°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo S12M15600 TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-S12M15600B EAR99 8541.30.0080 50 40 mA 600 V 12A 1 V 120A, 125A 15 mA 2,2 V 10 µA Cancello sensibile
MMBZ5223BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5223BW-7-F 0,3200
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 ECAD 6090 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 150°C Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 MMBZ5223 200 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 75 µA a 1 V 2,7 V 30 Ohm
DXTP3C60PS-13 Diodes Incorporated DXTP3C60PS-13 0,5600
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 ECAD 8 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN DXTP3 5 W PowerDI5060-8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 60 V 3A 100 nA PNP 360 mV a 300 mA, 3 A 150 a 500 mA, 2 V -
RABF152-13 Diodes Incorporated RABF152-13 -
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 ECAD 5882 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano RABF152 Standard 4-SOPA - Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0080 5.000 1,3 V a 1,5 A 5 µA a 200 V 1,5 A Monofase 200 V
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated ZXMP7A17KTC 0,9100
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 ECAD 36 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 ZXMP7A17 MOSFET (ossido di metallo) TO-252-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 70 V 3,8A(Ta) 4,5 V, 10 V 160 mOhm a 2,1 A, 10 V 1 V a 250 µA 18 nC a 10 V ±20 V 635 pF a 40 V - 2,11 W (Ta)
ZVN4306GVTA Diodes Incorporated ZVN4306GVTA 1.5600
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 ECAD 1 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA ZVN4306 MOSFET (ossido di metallo) SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 60 V 2.1A (Ta) 5 V, 10 V 330 mOhm a 3 A, 10 V 3 V a 1 mA ±20 V 350 pF a 25 V - 3 W (Ta)
DMC2710UDW-13 Diodes Incorporated DMC2710UDW-13 0,0565
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 ECAD 2152 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMC2710 MOSFET (ossido di metallo) 290 mW (Ta) SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato DMC2710UDW-13DI EAR99 8541.21.0095 10.000 Canali N e P complementari 20 V 750 mA (Ta), 600 mA (Ta) 450 mOhm a 600 mA, 4,5 V, 750 mOhm a 430 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA 0,6 nC a 4,5 V, 0,7 nC a 4,5 V 42pF a 16V, 49pF a 16V -
ZDT694TA Diodes Incorporated ZDT694TA 1.1300
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 ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-223-8 ZDT694 2,75 W SM8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0075 1.000 120 V 500mA 100nA (ICBO) 2 NPN (doppio) 500mV a 5mA, 400mA 400 a 200 mA, 2 V 130 MHz
DMP1045UQ-7 Diodes Incorporated DMP1045UQ-7 0,4800
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 ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP1045 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 12 V 4A (Ta) 1,8 V, 4,5 V 31 mOhm a 4 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 15,8 nC a 4,5 V ±8 V 1357 pF a 10 V - 800 mW (Ta)
SBR3U60SLDQ-13 Diodes Incorporated SBR3U60SLDQ-13 0,5471
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 ECAD 2509 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 8-PowerTDFN SBR3U60 Superbarriera PowerDI5060-8 (tipo D) scaricamento REACH Inalterato 31-SBR3U60SLDQ-13TR EAR99 8541.10.0080 2.500 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 2 Indipendente 60 V 3A 600 mV a 3 A 100 µA a 60 V -55°C ~ 175°C
MBRF2045CT-LJ Diodes Incorporated MBRF2045CT-LJ -
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 ECAD 2589 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata MBRF2045CT Schottky ITO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato MBRF2045CT-LJDI EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 10A 640 mV a 10 A 100 µA a 45 V -55°C ~ 150°C
DDC114YUQ-13-F Diodes Incorporated DDC114YUQ-13-F 0,0528
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 ECAD 9992 0.00000000 Diodi incorporati Automotive, AEC-Q101, DDC (XXXX) U Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC114 200 mW SOT-363 scaricamento REACH Inalterato 31-DDC114YUQ-13-FTR EAR99 8541.21.0075 10.000 50 V 100mA 500nA (ICBO) 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 80 a 5 mA, 5 V 250 MHz 10kOhm 47kOhm
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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