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Prodotti a semiconduttore discreti(5680)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HVD145-1KRF-E | 0,1100 |  | 488 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0070 | 8.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HZS5C3TD-E | 0,1000 | | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| HSC226TRF-E | 0,1000 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0070 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1S2075KTA-PE | 0,0300 | | 2134 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0070 | 4.666 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK1567-04-E | 4.6800 | | 16 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3299B-S19-AY | 3.8800 | | 22 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| N0434N-S23-AY | 2.7300 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | N0434N-S23 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-262 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 40 V | 100A (Ta) | 10 V | 3,7 mOhm a 50 A, 10 V | - | 100 nC a 10 V | ±20 V | 5550 pF a 25 V | - | 1,5 W (Ta), 119 W (Tc) | |||||||||||
| RKZ30BKG#P1 | 0,1100 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| UPA2451CTL-E1-A | 0,6100 | | 392 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | 6-VFDFN Tampone esposto | UPA2451 | MOSFET (ossido di metallo) | 700 mW | 6-HWSON | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canali N (doppio) | 30 V | 8.2A | 20 mOhm a 4 A, 4,5 V | 1,5 V a 1 mA | 6,3 nC a 4 V | 605 pF a 10 V | Porta a livello logico | ||||||||||||||||
 | NP75N04YUG-E1-AY | 0,9837 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SMD, piazzola esposta conduttore piatto | NP75N04 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-HSSON | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 40 V | 75A (Tc) | 10 V | 4,8 mOhm a 37,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 116 nC a 10 V | ±20 V | 6450 pF a 25 V | - | 1 W (Ta), 138 W (Tc) | |||||||||||
| 2P4M(34)-AZ | 1.7100 | | 649 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| HZS18NB3TD-E | 0,1200 | | 40 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HSM83TL-E | 0,1000 | | 62 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| HZM6.2NB1TR-E | 0,1800 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK6002DPD-00#J2 | - | | 1733 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | RJK6002 | MOSFET (ossido di metallo) | MP-3A | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 600 V | 2A (Ta) | 10 V | 6,8 Ohm a 1 A, 10 V | - | 6,2 nC a 10 V | ±30 V | 165 pF a 25 V | - | 30 W (Tc) | |||||||||||
| 2SC3632-Z-E1-AZ | - | | 9267 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| HZ2CLL-E | 0,1200 | | 7238 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.934 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HZ6.2CP-JE | 0,2400 | | 8 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HZU3.3B2JTRF-E | 0,1000 | | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | N0439N-S19-AY | 1.1988 | | 2513 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | N0439N-S19 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | -1161-N0439N-S19-AYCT | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 40 V | 90A (Tc) | 10 V | 3,3 mOhm a 45 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 102 nC a 10 V | ±20 V | 5850 pF a 25 V | - | 1,8 W (Ta), 147 W (Tc) | ||||||||||
 | RJK2555DPA-WS#J0 | - | | 2166 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C | Montaggio superficiale | 8-PowerWDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-WPAK (3) | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 250 V | 17A (Ta) | 10 V | 104 mOhm a 8,5 A, 10 V | 4,5 V a 1 mA | 39 nC a 10 V | ±30 V | 2400 pF a 25 V | - | 30 W (Tc) | ||||||||||||||
 | HFA3102B96 | - | | 2406 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 14-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HFA3102 | 250 mW | 14-SOIC | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.500 | 12,4dB~17,5dB | 12V | 30mA | 6PNP | 40 a 10 mA, 3 V | 10GHz | 1,8 dB ~ 2,1 dB a 500 MHz ~ 1 GHz | |||||||||||||||
| HZ15CPTN-E | 0,1300 | | 17 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HZU4.7B2TRF-E | 0,1300 | | 66 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Obsoleto | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| HZ12B1TD-E | 0,1100 | | 11 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RD9.1F(3)-AZ | 1.0000 | | 8966 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ356(0)-T1-AY | 0,4300 | | 14 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA1559H(2)-AZ | 5.8700 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HAT2168H-EL-E | - | | 9997 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | HAT2168 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 30A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 7,9 mOhm a 15 A, 10 V | - | 11 nC a 4,5 V | ±20 V | 1730 pF a 10 V | - | 15 W (Tc) | |||||||||||
 | HZM9.1NB3TL-E | 0,1700 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Obsoleto | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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