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Prodotti a semiconduttore discreti(5680)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
2SC3209-T-AZ	0,3900	Richiesta di offerta	66	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	1
BCR8PM-12LA-A8	1.2800	Richiesta di offerta	78	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento					EAR99	8541.30.0080	1
NP100P04PLG-E1-AY	4.4500	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	NP100P04	MOSFET (ossido di metallo)		TO-263	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800	Canale P		40 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,7 mOhm a 50 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	320 nC a 10 V	±20 V	15.100 pF a 10 V	-	1,8 W (Ta), 200 W (Tc)
RD22E-TB-AZ	0,0300	Richiesta di offerta	35	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
2SC2462LCTL-E	0,1700	Richiesta di offerta	81	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			150 mW	3-MPAK	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	3.000														40 V	100 mA	500nA (ICBO)			NPN	200 mV a 1 mA, 10 mA	160 a 2 mA, 12 V	-
N0412N-S19-AY	2.2000	Richiesta di offerta	974	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	N0412N-S19	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	-1161-N0412N-S19-AY	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		40 V	100A (Ta)	10 V	3,7 mOhm a 50 A, 10 V	-	100 nC a 10 V	±20 V	5550 pF a 25 V	-	1,5 W (Ta), 119 W (Tc)
HZS12A3LRX-E	0,1000	Richiesta di offerta	150	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
HZ12C1L-E	0,1000	Richiesta di offerta	16	Renesas Electronics America Inc	HZ-L	Massa	Attivo	±2,08%	175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			400 mW	DO-35	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1													1 µA a 10,5 V				12 V	80 Ohm
2SC4988FRTR-E	0,2800	Richiesta di offerta	23	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1.000
HZK4BTR-SE	0,2600	Richiesta di offerta	37	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	2.500
FS10ASJ-06F-T13#X3	0,9600	Richiesta di offerta	6	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	3.000
AC05DJM-Z-AZ	-	Richiesta di offerta	9520	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	61
2SK2529-90-E	2.8300	Richiesta di offerta	557	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
RJK0328DPB-01#J0	1.5057	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	RJK0328	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN		30 V	60A (Ta)	4,5 V, 10 V	2,1 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	42 nC a 4,5 V	±20 V	6380 pF a 10 V	-	65 W (Tc)
2SA1385	-	Richiesta di offerta	8732	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	1
2SD667D-E	-	Richiesta di offerta	2604	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	1
HSS104-02TA-E	0,0200	Richiesta di offerta	5090	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	5.000
NP80N04MHE-S18-AY	1.8400	Richiesta di offerta	227	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Obsoleto		175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		40 V	80A (Tc)		8 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V		3300 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 120 W (Tc)
RJK1052DPB-00#J5	1.2077	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	RJK1052	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN		100 V	20A (Ta)	4,5 V, 10 V	20 mOhm a 10 A, 10 V	-	29 nC a 4,5 V	±20 V	4160 pF a 10 V	-	55 W (Tc)
2SK1518-E	-	Richiesta di offerta	8535	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SK1518	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		500 V	20A (Ta)	10 V	270 mOhm a 10 A, 10 V	-		±30 V	3050 pF a 10 V	-	120 W (Tc)
HAT1043M-EL-E	1.0900	Richiesta di offerta	12	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6		MOSFET (ossido di metallo)		6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	3.000	Canale P		20 V	4,4A(Ta)		65 mOhm a 3 A, 4,5 V	-	11 nC a 4,5 V		750 pF a 10 V	-	1,05 W(Ta)
2SK1838STR-E	2.1400	Richiesta di offerta	3	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	3.000
RKZ6.8AKU#P6	0,1000	Richiesta di offerta	8025	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	2.708
2SC4536-AZ	-	Richiesta di offerta	2856	Renesas Electronics America Inc	-	Striscia	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA			2 W	SOT-89	-	Non applicabile				EAR99	8541.29.0075	1		7,2dB												15 V	250 mA				NPN		60 a 50 mA, 10 V	-	2 dB a 1 GHz
2SK3290BNTL-E	0,1800	Richiesta di offerta	12	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000
HZS18-1TD-E	-	Richiesta di offerta	2033	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
HZS15NB1TA-E	0,1000	Richiesta di offerta	10	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
HZU2.7B2TRF-E	0,1200	Richiesta di offerta	78	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000
HSM2838CTR-E	0,1400	Richiesta di offerta	3	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000
UPA2600T1R-E2-AX	-	Richiesta di offerta	8653	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WFDFN Tampone esposto	UPA2600	MOSFET (ossido di metallo)		6-HUSON (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		20 V	7A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	19,1 mOhm a 3,5 A, 2,5 V	-	7,9 nC a 10 V	±12V	870 pF a 10 V	-	2,4 W(Ta)