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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Voltaggio: nominale | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Frequenza | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo FET | Corrente nominale (Amp) | Condizione di prova | Corrente-Prova | Potenza-Uscita | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Figura di rumore | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Tensione - Prova | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Figura di rumore (dB tipo @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RJK03D2DPA-00#J53 | 0,9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HAT1127HWS-E | - | ![]() | 3583 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 30 V | 40A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 4,5 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 125 nC a 10 V | +10 V, -20 V | 5600 pF a 10 V | - | 30 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP60N04VUK-E1-AY | 1.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | NP60N04 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 40 V | 60A (Tc) | 10 V | 3,85 mOhm a 30 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 63 nC a 10 V | ±20 V | 3680 pF a 25 V | - | 1,2 W (Ta), 105 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK2076DPA-00#J5A | 1.7538 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | RJK2076 | MOSFET (ossido di metallo) | WPAK(3F) (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | -1161-RJK2076DPA-00#J5ACT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 200 V | 20A (Ta) | 10 V | 85 mOhm a 10 A, 10 V | - | 19 nC a 10 V | ±30 V | 1200 pF a 25 V | - | 65 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJH60D7BDPQ-E0#T2 | - | ![]() | 9123 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | RJH60D7 | Standard | 300 W | TO-247 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | RJH60D7BDPQE0T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V, 50 A, 5 Ohm, 15 V | 25 ns | Trincea | 600 V | 90A | 2,2 V a 15 V, 50 A | 700 µJ (acceso), 1,4 mJ (spento) | 125 nC | 60ns/180ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1190DTZ-E | 0,2000 | ![]() | 116 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP22N055HLE-S16-AY | 0,8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2793GR(01)-E2-AY | - | ![]() | 9901 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | Venditore non definito | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 3.000 | 7A(Tj) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0660DPA-00#J5A | 1.6758 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-WFDFN Tampone esposto | RJK0660 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-WPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | -1161-RJK0660DPA-00#J5ACT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 40A (Ta) | 10 V | 5,1 mOhm a 20 A, 10 V | - | 45 nC a 10 V | ±20 V | 3600 pF a 10 V | - | 65 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQJ0603LGDQAWS#H6 | 0,3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD10E-T4-AZ | 0,0600 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2766T1A-E1-AY | - | ![]() | 6042 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | UPA2766 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-HVSON (5x5,4) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 130A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 1,82 mOhm a 39 A, 4,5 V | - | 257 nC a 10 V | ±20 V | 10850 pF a 10 V | - | 1,5 W (Ta), 83 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZ9B1TA-E | 0,1100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | HZ | Massa | Attivo | ±2,22% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA a 5 V | 9 V | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RKZ10B2KL#R1 | 0,1000 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR8KM-12LA-1AS#X2 | 0,9200 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP75P04YLG-E1-AY | 2.0800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SMD, piazzola esposta conduttore piatto | MOSFET (ossido di metallo) | 8-HSSON | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 40 V | 75A (Tc) | 5 V, 10 V | 9,7 mOhm a 37,5 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 140 nC a 10 V | ±20 V | 4800 pF a 25 V | - | 1 W (Ta), 138 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZ2A2-E | 1.0000 | ![]() | 4482 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | HZ | Massa | Attivo | ±5% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 25 µA a 500 mV | 2 V | 100 ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5751-T2-A | 0,2600 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-343F | 205 mW | SOT-343F | scaricamento | Non applicabile | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 16dB | 6V | 50mA | NPN | 75 a 20 mA, 3 V | 15GHz | 1,7 dB a 2 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NE4210S01-T1B | 1.0000 | ![]() | 5276 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Obsoleto | 4 V | 4-SMD | 12GHz | HFET | SMD | scaricamento | Non applicabile | EAR99 | 8541.21.0075 | 4.000 | 15 mA | 10 mA | - | 13dB | 0,5dB | 2 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJP4010AGE-00#P5 | - | ![]() | 5753 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-TSSOJ (0,094", larghezza 2,40 mm) | RJP4010 | Standard | 1,6 W | 8-TSOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | - | 400 V | 150A | 9 V a 3 V, 150 A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD6.8ES-T4 | 0,0600 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.413 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AC12DGM(YC)-AZ | 1.9200 | ![]() | 204 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD15E-TB-AZ | 0,0300 | ![]() | 165 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM16NB1TL-E | 0,1500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RKZ4.7B2KL#R1 | 0,0700 | ![]() | 110 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS70SM-2#201 | 5.9200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD476KC-E | 1.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UPA1820GR-9JG-E1-A | 0,7000 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | MOSFET (ossido di metallo) | 8-TSSOP | - | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 12A (Ta) | 8,6 mOhm a 6 A, 4,5 V | 1,5 V a 1 mA | 27 nC a 4 V | 2020 pF a 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS54095-01-E | 0,3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0095 | 812 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2124STR-E | - | ![]() | 9279 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 |

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