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Prodotti a semiconduttore discreti(5680)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
NP180N04TUG-E1-AY	-	Richiesta di offerta	2840	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		TO-263-7	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN			40 V	180A(Tc)	10 V	1,5 mOhm a 90 A, 10 V	4 V a 250 µA	390 nC a 10 V	±20 V	25700 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 288 W (Tc)
AC05FGM-AZ	0,9800	Richiesta di offerta	4	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	1
HFA3102BZ	8.8300	Richiesta di offerta	991	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	14-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HFA3102			250 mW	14-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1.000				12,4dB~17,5dB																			12V	30mA				6PNP	40 a 10 mA, 3 V	10GHz	1,8 dB ~ 2,1 dB a 500 MHz ~ 1 GHz
2SC4784YA-TR-E	0,2400	Richiesta di offerta	30	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	3.000
UPA2754GR(0)-E1-AY	-	Richiesta di offerta	4018	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									scaricamento	Conformità ROHS3	Venditore non definito			EAR99	8541.29.0095	3.000						11A (Tj)
2SK3812-ZP-E1-AZ	6.2700	Richiesta di offerta	1	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		TO-263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN			60 V	110A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,8 mOhm a 55 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	250 nC a 10 V	±20 V	16800 pF a 10 V	-	1,5 W (Ta), 213 W (Tc)
RJL5020DPK-00#T0	-	Richiesta di offerta	1765	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	RJL5020		MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	38A (Ta)	10 V	135 mOhm a 19 A, 10 V	-	140 nC a 10 V	±30 V	4750 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
UPA1872BGR-9JG-E1-A	0,7300	Richiesta di offerta	230	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	UPA1872		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-TSSOP	-	Non applicabile				EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)				20 V	10A		13 mOhm a 5 A, 4,5 V	1,5 V a 1 mA	10nC a 4V		945 pF a 10 V	Porta a livello logico
UPA677TB-T1-A	-	Richiesta di offerta	4907	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro tagliato (CT)	Acquisto per l'ultima volta		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UPA677		MOSFET (ossido di metallo)	200 mW	SC-88	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)				20 V	350mA		570 mOhm a 300 mA, 4,5 V	-	-		28 pF a 10 V	Porta a livello logico
RJP30Y2ADPP-M9#T2F	1.7100	Richiesta di offerta	92	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
RD43E(N)-T4	0,0500	Richiesta di offerta	10	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
1SS120-91	0,1700	Richiesta di offerta	230	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	1
HZS27NB1TD-E	0,1000	Richiesta di offerta	429	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1
UPD70F3417GCA-V02-UEU-X3-QG	-	Richiesta di offerta	4820	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Obsoleto									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			OBSOLETO	0000.00.0000	1
RJK1003DPP-A0#T2	3.2300	Richiesta di offerta	5147	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo	150°C	Foro passante	TO-220-3	RJK1003		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220ABA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN			100 V	50A (Ta)	10 V	11 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	59 nC a 10 V	±20 V	4150 pF a 10 V	-	25 W (Ta)
BCR5LM-12LB#B00	-	Richiesta di offerta	5485	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	BCR5				TO-220FL	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	BCR5LM12LBB00	EAR99	8541.30.0080	1	Separare														Standard	600 V	5A	1,5 V	50A a 60Hz	20 mA
HZU15B2JTRF	0,1000	Richiesta di offerta	66	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	3.000
RJH60F7ADPK-00#T0	-	Richiesta di offerta	7748	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	RJH60F7	Standard		328,9 W	TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	RJH60F7ADPK00T0	EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 30 A, 5 Ohm, 15 V																		140 n	Trincea	600 V	90A	1,75 V a 15 V, 50 A	-	63ns/142ns
RJM0306JSP-01#J0	-	Richiesta di offerta	7201	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo	-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	RJM0306		MOSFET (ossido di metallo)	2,2 W	8-SOP	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N e 2 canali P (mezzo ponte)				30 V	3,5 A		65 mOhm a 2 A, 10 V	-	5nC a 10V		290 pF a 10 V	Porta a livello logico, azionamento a 4 V
2SJ326-AZ	-	Richiesta di offerta	6276	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
2SK3481-Z-AZ	1.3200	Richiesta di offerta	373	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo				2SK3481		-			scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1													-
HZ5C1JTA	0,1400	Richiesta di offerta	10	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
RJK5002DPD-00#J2	0,5851	Richiesta di offerta	6	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	RJK5002		MOSFET (ossido di metallo)		MP-3A	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	-1161-RJK5002DPD-00#J2CT	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			500 V	2,4A(Ta)	10 V	5 Ohm a 1,2 A, 10 V	-	6,7 nC a 10 V	±30 V	165 pF a 25 V	-	30 W (Tc)
HZ27BP-JTK	0,5000	Richiesta di offerta	53	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
RJP4002ANS-00#Q1	1.1900	Richiesta di offerta	32	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	3.000
RJK60S5DPP-E0#T2	14.8000	Richiesta di offerta	226	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	100		CanaleN			600 V	20A (Tc)		178 mOhm a 10 A, 10 V	-	27 nC a 10 V		1600 pF a 25 V	-	33,7 W(Tc)
RD3.3E(10)-T2-AZ	0,0500	Richiesta di offerta	10	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	5.000
HZU10B2JTRF-E	0,1100	Richiesta di offerta	102	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	3.000
2SK4151TZ-E	-	Richiesta di offerta	1291	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			MOSFET (ossido di metallo)		TO-92	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.500		CanaleN			150 V	1A (Ta)	2,5 V, 4 V	1,95 Ohm a 500 mA, 4 V	-	3,5 nC a 4 V	±10 V	98 pF a 10 V	-	750 mW(Ta)
NP110N055PUG-E1-AY	-	Richiesta di offerta	3593	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		TO-263	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN			55 V	110A (Tc)	10 V	2,4 mOhm a 55 A, 10 V	4 V a 250 µA	380 nC a 10 V	±20 V	25700 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 288 W (Tc)