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Prodotti a semiconduttore discreti(5680)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - Stato attivo (Vtm) (max)	Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max)	Corrente - Stato spento (max)	Tipo SCR	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
1S953	0,1100	Richiesta di offerta	177	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo					1S95				scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	1
2SC5594XP-TL-E	0,6300	Richiesta di offerta	6	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
2SC945A-ND-A	1.0100	Richiesta di offerta	19	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	1
HZM2.0NB-JTL-E	0,1500	Richiesta di offerta	9	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	3.000
NP110N04PUK-E1-AY	4.8100	Richiesta di offerta	758	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	NP110N04	MOSFET (ossido di metallo)		TO-263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN			40 V	110A (Tc)	10 V	1,4 mOhm a 55 A, 10 V	4 V a 250 µA	297 nC a 10 V	±20 V	15750 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 348 W (Tc)
HAT2096H-EL-E	-	Richiesta di offerta	6762	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	HAT2096	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			30 V	40A (Ta)	4,5 V, 10 V	5,3 mOhm a 20 A, 10 V	-	40 nC a 10 V	±20 V	2200 pF a 10 V	-	20 W (Tc)
CR8FM-12B#BH0	-	Richiesta di offerta	4308	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	CR8FM-12			TO-220FPA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	50			15 mA												600 V	12,6 A	1 V	120A a 60Hz	15 mA	1,4 V	8A	2 mA	Norma di recupero
HAT1126RWS-E	-	Richiesta di offerta	8182	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HAT1126	MOSFET (ossido di metallo)	3 W (Ta)	8-SOP	-		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali P (doppio)				60 V	6A (Ta)		50 mOhm a 3 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	37nC a 10 V		2300 pF a 10 V	Porta a livello logico, azionamento da 4,5 V
2SD768K01-I#00	1.8500	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
UPA1857GR-9JG-E1-A	0,3808	Richiesta di offerta	5828	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta			Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	UPA1857	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W	8-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)				60 V	3,8 A		67 mOhm a 2 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	12nC a 10V		580 pF a 10 V	Porta a livello logico
HFA3096B	-	Richiesta di offerta	6471	Renesas Electronics America Inc	-	-	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HFA3096		150 mW	16-SOIC	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	48				-																					12V, 15V	65 mA			3NPN + 2PNP	40 a 10 mA, 2 V / 20 a 10 mA, 2 V	8GHz, 5,5GHz	3,5 dB a 1 GHz
HSB124S-JTL-E	0,1000	Richiesta di offerta	63	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	3.000
HZ2C3JTA-E	0,1000	Richiesta di offerta	5	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
2SK3060-Z-E1-AZ	5.8000	Richiesta di offerta	1	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1.000
NP15P06SLG-E1-AY	1.3200	Richiesta di offerta	6728	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NP15P06	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (MP-3ZK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P			60 V	15A (Ta)	4,5 V, 10 V	70 mOhm a 7,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	23 nC a 10 V	±20 V	1100 pF a 10 V	-	1,2 W (Ta), 30 W (Tc)
RJK03C1DPB-00#J5	-	Richiesta di offerta	8724	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			30 V	60A (Ta)	4,5 V, 10 V	2,2 mOhm a 30 A, 10 V	-	42 nC a 4,5 V	±20 V	6000 pF a 10 V	Diodo Schottky (corpo)	65 W (Tc)
UPA2746UT1A-E2-AY	1.8500	Richiesta di offerta	6	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000
GWS9293	-	Richiesta di offerta	9815	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-VDFN	GWS92	MOSFET (ossido di metallo)	3,6 W	4-QFN (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			EAR99	8541.29.0095	1	Scarico comune a 2 canali N (doppio).				20 V	9,4A (Ta)		17 mOhm a 3 A, 4,5 V	1,5 V a 1 mA	3,5 nC a 4 V		400 pF a 10 V	-
RD91E-T1-AZ	0,0900	Richiesta di offerta	8	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
RJK0397DPA-0G#J7A	0,5500	Richiesta di offerta	4	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	3.000
HZ15-3TA-E	0,0300	Richiesta di offerta	4736	Renesas Electronics America Inc	HZ	Massa	Attivo	±6%	175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			1 W	DO-35	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	2.500																								10 µA a 11 V			15 V	10 Ohm
RJK0655DPB-WS#J5	-	Richiesta di offerta	9904	Renesas Electronics America Inc	*	Vassoio	Obsoleto									scaricamento				559-RJK0655DPB-WS#J5	OBSOLETO		1
2SK4093TZ-E	-	Richiesta di offerta	5952	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo		MOSFET (ossido di metallo)		TO-92MOD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.500		CanaleN			250 V	1A (Ta)	2,5 V, 4 V	2,6 Ohm a 500 mA, 4 V	-	5,5 nC a 4 V	±10 V	140 pF a 25 V	-	900 mW (Ta)
RD6.8ES-T1	0,0600	Richiesta di offerta	42	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito				1
NP100P06PDG-E1-AY	4.5300	Richiesta di offerta	5487	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	NP100P06	MOSFET (ossido di metallo)		TO-263	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		Canale P			60 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm a 50 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	300 nC a 10 V	±20 V	15.000 pF a 10 V	-	1,8 W (Ta), 200 W (Tc)
HZ6C3LTD-E	0,1000	Richiesta di offerta	81	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
CR5AS-12#F01	1.8500	Richiesta di offerta	1	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.30.0080	1
2SK160A-LA	0,1500	Richiesta di offerta	6	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	1
2SK3481-Z-AZ	1.3200	Richiesta di offerta	373	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo					2SK3481	-			scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1													-
HZ27BP-JTK	0,5000	Richiesta di offerta	53	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1