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Prodotti a semiconduttore discreti(5680)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
2SK3483(0)-Z-E1-AZ	-	Richiesta di offerta	3151	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									scaricamento	Conformità ROHS3	Venditore non definito			EAR99	8541.29.0095	3.000					28A(Tj)
2SJ162-E	-	Richiesta di offerta	6884	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1		Canale P		160 V	7A (Ta)	10 V	-	-		±15 V	900 pF a 10 V	-	100 W (Tc)
RJK1003DPN-E0#T2	-	Richiesta di offerta	1327	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN		100 V	50A (Ta)	10 V	11 mOhm a 25 A, 10 V	-	59 nC a 10 V	±20 V	4150 pF a 10 V	-	125 W (Tc)
BCR16FM-14LB#FG0	-	Richiesta di offerta	9295	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	BCR16			TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	1	Separare													Standard	800 V	16A	1,5 V	160A a 50Hz	30 mA
2SK3116(1)-ZK-E2-AZ	2.3800	Richiesta di offerta	18	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	800
3P4MH(CY)-AZ	1.9100	Richiesta di offerta	24	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.30.0080	1
HZ22-3LTD-E	0,1000	Richiesta di offerta	18	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
1S953	0,1100	Richiesta di offerta	177	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo					1S95				scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	1
2SC5594XP-TL-E	0,6300	Richiesta di offerta	6	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000
2SC945A-ND-A	1.0100	Richiesta di offerta	19	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	1
HZM2.0NB-JTL-E	0,1500	Richiesta di offerta	9	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	3.000
NP110N04PUK-E1-AY	4.8100	Richiesta di offerta	758	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	NP110N04	MOSFET (ossido di metallo)		TO-263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN		40 V	110A (Tc)	10 V	1,4 mOhm a 55 A, 10 V	4 V a 250 µA	297 nC a 10 V	±20 V	15750 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 348 W (Tc)
HAT2096H-EL-E	-	Richiesta di offerta	6762	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	HAT2096	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		30 V	40A (Ta)	4,5 V, 10 V	5,3 mOhm a 20 A, 10 V	-	40 nC a 10 V	±20 V	2200 pF a 10 V	-	20 W (Tc)
2SD768K01-I#00	1.8500	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
UPA1857GR-9JG-E1-A	0,3808	Richiesta di offerta	5828	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta			Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	UPA1857	MOSFET (ossido di metallo)	1,7 W	8-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			60 V	3,8 A		67 mOhm a 2 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	12nC a 10V		580 pF a 10 V	Porta a livello logico
HFA3096B	-	Richiesta di offerta	6471	Renesas Electronics America Inc	-	-	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HFA3096		150 mW	16-SOIC	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	48			-																		12V, 15V	65 mA			3NPN + 2PNP	40 a 10 mA, 2 V / 20 a 10 mA, 2 V	8GHz, 5,5GHz	3,5 dB a 1 GHz
HSB124S-JTL-E	0,1000	Richiesta di offerta	63	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	3.000
HZ2C3JTA-E	0,1000	Richiesta di offerta	5	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
2SK3060-Z-E1-AZ	5.8000	Richiesta di offerta	1	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1.000
NP15P06SLG-E1-AY	1.3200	Richiesta di offerta	6728	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NP15P06	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (MP-3ZK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		60 V	15A (Ta)	4,5 V, 10 V	70 mOhm a 7,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	23 nC a 10 V	±20 V	1100 pF a 10 V	-	1,2 W (Ta), 30 W (Tc)
RJK03C1DPB-00#J5	-	Richiesta di offerta	8724	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		30 V	60A (Ta)	4,5 V, 10 V	2,2 mOhm a 30 A, 10 V	-	42 nC a 4,5 V	±20 V	6000 pF a 10 V	Diodo Schottky (corpo)	65 W (Tc)
UPA2746UT1A-E2-AY	1.8500	Richiesta di offerta	6	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000
GWS9293	-	Richiesta di offerta	9815	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-VDFN	GWS92	MOSFET (ossido di metallo)	3,6 W	4-QFN (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			EAR99	8541.29.0095	1	Scarico comune a 2 canali N (doppio).			20 V	9,4A (Ta)		17 mOhm a 3 A, 4,5 V	1,5 V a 1 mA	3,5 nC a 4 V		400 pF a 10 V	-
RD91E-T1-AZ	0,0900	Richiesta di offerta	8	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
RJK0397DPA-0G#J7A	0,5500	Richiesta di offerta	4	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	3.000
HZ15-3TA-E	0,0300	Richiesta di offerta	4736	Renesas Electronics America Inc	HZ	Massa	Attivo	±6%	175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			1 W	DO-35	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	2.500																				10 µA a 11 V			15 V	10 Ohm
RJK0655DPB-WS#J5	-	Richiesta di offerta	9904	Renesas Electronics America Inc	*	Vassoio	Obsoleto									scaricamento				559-RJK0655DPB-WS#J5	OBSOLETO		1
2SK4093TZ-E	-	Richiesta di offerta	5952	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo		MOSFET (ossido di metallo)		TO-92MOD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.500		CanaleN		250 V	1A (Ta)	2,5 V, 4 V	2,6 Ohm a 500 mA, 4 V	-	5,5 nC a 4 V	±10 V	140 pF a 25 V	-	900 mW (Ta)
RD6.8ES-T1	0,0600	Richiesta di offerta	42	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito				1
NP100P06PDG-E1-AY	4.5300	Richiesta di offerta	5487	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	NP100P06	MOSFET (ossido di metallo)		TO-263	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		Canale P		60 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm a 50 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	300 nC a 10 V	±20 V	15.000 pF a 10 V	-	1,8 W (Ta), 200 W (Tc)