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Prodotti a semiconduttore discreti(5680)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SD768K01-I#00 | 1.8500 |  | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | UPA1857GR-9JG-E1-A | 0,3808 | | 5828 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | UPA1857 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,7 W | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali N (doppio) | 60 V | 3,8 A | 67 mOhm a 2 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 12nC a 10V | 580 pF a 10 V | Porta a livello logico | |||||||||||
| HZ2C3JTA-E | 0,1000 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| 2SK3060-Z-E1-AZ | 5.8000 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | NP15P06SLG-E1-AY | 1.3200 | | 6728 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | NP15P06 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (MP-3ZK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 60 V | 15A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 70 mOhm a 7,5 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 23 nC a 10 V | ±20 V | 1100 pF a 10 V | - | 1,2 W (Ta), 30 W (Tc) | ||||||||
 | RJK03C1DPB-00#J5 | - | | 8724 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 60A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 2,2 mOhm a 30 A, 10 V | - | 42 nC a 4,5 V | ±20 V | 6000 pF a 10 V | Diodo Schottky (corpo) | 65 W (Tc) | |||||||||
 | UPA2746UT1A-E2-AY | 1.8500 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | RD91E-T1-AZ | 0,0900 | | 8 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | RJK0397DPA-0G#J7A | 0,5500 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
| HZ15-3TA-E | 0,0300 | | 4736 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | HZ | Massa | Attivo | ±6% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 1 W | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 10 µA a 11 V | 15 V | 10 Ohm | ||||||||||||||||
| RJK0655DPB-WS#J5 | - | | 9904 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Vassoio | Obsoleto | scaricamento | 559-RJK0655DPB-WS#J5 | OBSOLETO | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK4093TZ-E | - | | 5952 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo | MOSFET (ossido di metallo) | TO-92MOD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | CanaleN | 250 V | 1A (Ta) | 2,5 V, 4 V | 2,6 Ohm a 500 mA, 4 V | - | 5,5 nC a 4 V | ±10 V | 140 pF a 25 V | - | 900 mW (Ta) | |||||||||
| RD6.8ES-T1 | 0,0600 | | 42 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | NP100P06PDG-E1-AY | 4.5300 | | 5487 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | NP100P06 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canale P | 60 V | 100A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 6 mOhm a 50 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 300 nC a 10 V | ±20 V | 15.000 pF a 10 V | - | 1,8 W (Ta), 200 W (Tc) | ||||||||
| HZ6C3LTD-E | 0,1000 | | 81 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | CR5AS-12#F01 | 1.8500 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SK160A-LA | 0,1500 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| HZ27BP-JTK | 0,5000 | | 53 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| HZK12ALTL-SE | 0,1500 | | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||
| H5N3301LSTL-E | 3.4400 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||
| RD8.2E-T1 | 0,0600 | | 108 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 5.413 | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SA992-TA | 0,2600 | | 439 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SC5080ZD-TL | 0,2800 | | 42 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
| HZM10NB1JTL | 0,1400 | | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | HZM-N | Massa | Attivo | ±2,1% | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 mW | 3-MPAK | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA a 7 V | 10 V | 30 Ohm | ||||||||||||||||
| HAT2172H-EL-E | - | | 2900 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | HAT2172 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 40 V | 30A (Ta) | 7 V, 10 V | 7,5 mOhm a 15 A, 10 V | 3 V a 1 mA | 32 nC a 10 V | ±20 V | 2420 pF a 10 V | - | 20 W (Tc) | ||||||||
 | NP90N04VLK-E1-AY | 0,8260 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 175°C | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | NP90N04 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (MP-3ZP) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 559-NP90N04VLK-E1-AYTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 40 V | 90A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,8 mOhm a 45 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 102 nC a 10 V | ±20 V | 5700 pF a 25 V | - | 1,2 W (Ta), 147 W (Tc) | |||||||
| NESG210833-T1B-A | - | | 9814 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SB794-AZ | 0,5700 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| 2SD1900-02-E | 1.6600 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
| HZ20BPTK-E | 0,3700 | | 570 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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